掺氧化镧钼丝的再结晶

研究了掺Ｌａ２Ｏ３钼丝的再结晶机制。直径１ｍｍ试样在不同温度下退火１小时。用透射电镜测亚结构。包括高密度位错和细颗粒在内的亚晶结构在大约１６５０℃以下是稳定的。在１８００℃退火，沿加工方向部分地生长了高长宽比的大晶，虽然还同时保留着由位错构成的亚晶。而且，由于第二相质点的钉轧作用，粗晶内的位错尚未完全消失。相反，在２０００℃退火，整根丝内都形成了长晶粒组织。可以得出结论，晶粒粗化的原因是，包含位错     

RE：YAG晶体中掺杂离子（Ho,Nd,Tm）的最佳浓度

测量了ＲＥ：ＹＡＧ晶体纤维的荧光强度衰减曲线，计算了掺杂稀土离子Ｎｄ、Ｈｏ、Ｔｍ的最佳浓度，分别为２，２，７ａｔ．％并与文献的报导的结果进行了比较。     

半导体热敏电阻的温敏特性在对数放大器中的应用

论述半导体热敏电阻的温敏特性及其在对数放大器中的应用，将其与金属膜电阻的温敏特性相结合，在很宽的温度范围内，使对数放大器的输入－输出特性实现高精密的温度补偿，从而达到很高的运算精度。     

MBE法生长的调制掺杂GaAs／AlxGa1—xAs异质结构材料的输运特性研究

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（B＜0．6T）和低温（T＝77K）条件下，了HEMT器件用调制掺杂GaAs/AlxCa1-xAs异质结构材料的输运特性，给出了材料电学参数（ρ、n和μ）与B的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。     

采用共掺杂光纤的高性能SC型国家式光衰减器

使用共掺杂光纤已发成能精确地控制波长独立衰减和高输入功率耐久性的３－２０ｄＢＳＣ型固定式光衰减器。在１５２０ｎｍ波长、１００ｍＷ输簇功率和９６小时下，１５ｄＢ衰减器的衰减波动〈０．１ｄＢ。     

有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型

提出了有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOI RESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。     

Ni53Mn22Ga25磁性形状记忆合金的相变内耗

研究了Ni53Mn22Ga25磁性记忆合金在190～390K温度范围的内耗行为。结果表明．当合金发生正、逆马氏体相变时出现明显的内耗峰,并伴随模量变化出现极小值。马氏体相变后继续降温。在215K附近出现新的内耗峰,模量明显增高。合金在居里温度发生顺磁及铁磁正反转变时．内耗及模量均不发生变化。对上述现象进行了分析和讨论。     

Fe-0％Ni-5％Mn合金中的等温马氏体转变

当温度低于室温时，重量百分含量为Fe-20％Ni-5％Mn的合金等温转变形成板条马氏体，呈C曲线特征。在所有温度下都发现了板条形态，在每一温度下，板条数量随反应时间增加，最高反应速率出现在233K。介绍了某些板条马氏体的形态和结晶学特性。     

掺杂Si-Al-K对钼粉及其烧结制品组织、性能的影响

研究了不同含量掺杂元素对钼粉形貌、烧结坯及钼丝微观组织的影响。研究表明，随着掺杂元素含量的升高，钼粉粒度逐步细化：在烧结过程中，掺杂元素在烧结坯形成非晶相的第二相粒子，并且随着掺杂元素含量的升高，第二相粒子的分布密度增大，使烧结坯晶粒得到细化；在加工过程中，烧结坯中的第二相粒子碎化为粒子串，粒子串分布于纤维晶界处，可改善钼丝性能。     

一种细晶稀土氧化物掺杂钼合金及其制备方法

本发明提供一种细晶稀土氧化物掺杂钼合金及其制备方法，以二氧化钼为原料，采用雾化法掺杂稀土氧化物，掺杂后的钼合金粉经过球磨、过筛处理后，在800～1100℃的多段马弗炉中使用氢气进行还原处理，再将还原后的粉体在150～200MPa下冷等静压压制成型，成型后的坯料在中频感应烧结炉中分段烧结，时间16～24h。