质子轰击Gd、Eu和Nd引起的L亚壳层电离

用0.4—2.75MeV质子轰击稀土元素Gd、Eu和Nd靶,测得L亚壳层的X射线产生截面。利用亚壳层的荧光产额和Coster-Kronig跃迁几率的半经验值,求得2S_(1,2)、2P_(1/2)和2P_(3/2)三个亚壳层的电离截面。实验测得的电离截面以及它们的比值与ECPSSR理论预言值进行了比较。     

ZnS掺杂技术研究及应用现状

对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果进行了简要介绍,对纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理、主要的掺杂技术、方法进行了综述,并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。     

气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术

环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶，设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺，该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果．2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利，专利号ZL200610013497．6。环欧公刊的气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术获得2007年半导体创新产品和技术奖。     

纳米TiO2光催化剂掺杂改性的研究新进展

对近年来掺杂改性纳米TiO2的研究进行了综述,并且详细论述了金属离子掺杂、非金属离子掺杂、复合半导体、负离子掺杂、有机物敏化等对纳米TiO2光催化性能方面的影响。     

CZTS光阴极性能提升研究进展

Cu₂ZnSnS₄(CZTS)禁带宽度为1.5 eV,是一种较宽光响应范围P型半导体，其理论光电流密度可达25 mA·cm^-2,理论太阳能转氢能效率(STH)为32.2%,是一类重要的光电催化水分解制氢材料。然而，CZTS光阴极自身仍然存在较高的载流子复合几率和较低的表面反应速率等缺点，因此目前已报道的最高STH仅为12.6%。针对此问题，综述了近些年对CZTS的相关研究及改性方法，并对其未来发展进行展望。     

二极管泵浦调Q高能脉冲Nd：YAG激光器

德国InnoLas公司推出全二极管泵浦调Q高能脉冲Nd：YAG激光器SpitLight-DPSS。SpitLight—DPSS的脉冲能量最高可以达到250mJ，脉宽10ns，重复频率0-200Hz，分为振荡器和振荡加放大两种结构。     

半导体可饱和吸收镜被动锁模Nd:YAG激光器的研究

利用自行研制的半导体可饱和吸收镜(SESAM)，在5W光纤耦合半导体激光器端面抽运的Nd：YAG激光中，实现了半导体可饱和吸收镜被动锁模，获得了稳定的皮秒锁模激光输出。经自相关仪测量，其锁模激光脉冲宽度小于10ps。实验采用直腔结构的谐振腔，该腔结构简单，易于调整，实现可饱和半导体吸收镜稳定锁模时，光～光转换效率达到19％。     

掺杂稀土LiNbO_3晶体的生长和光谱性质

在一致熔化的熔料里,用提拉法生长了 LiNbO_3∶TR(TR=Nd、Er、Er+Mg、Ho、Sm、Eu)单晶。测量了它们的吸收光谱和荧光光谱。