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31.
采用两支国产2W 单芯半导体激光器(Diode Laser) 作泵浦源,双向端面泵浦Nd∶YVO4
晶体,由I 类临界相位匹配LBO 晶体腔内倍频,采用Z 型谐振腔结构,在泵浦功率为3. 12W的条件下,得到功率为670mW的TEM00模稳定绿光输出,测量表明4h 功率稳定性优于3 % ,偏振比大于500∶ 1 ,振幅噪声小于0. 5 %。 相似文献
32.
33.
研究了矩形波电流驱动LD激励下的Cr:YAG被动调Q全固态激光器的可控运转包括通过改变矩形波电流的直流预激励电流、峰值电流、占空比和重复频率条件下调Q激光器表现出来的单脉冲发射、单频脉冲发射和多脉冲发射等。 相似文献
34.
35.
本文对Nd:YAG激光的三种不同方法治疗慢性肥厚性鼻炎治疗前、治疗后的鼻粘膜的临床表现及黏液毛系统的光镜、电镜进行了对照研究,对Nd:YAG激光治疗慢性鼻炎提供了理论依据。 相似文献
36.
37.
在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe^2 /Fe^3 和抗光致散射杂质离子Mg^2 ,以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg^2 浓度达到阈值浓度,Mg(6%):Fe∶LiNbO3晶体OH^-吸收峰由3482cm^-1移到3529cm^-1,测试晶体的位相共轭反射率和响应时间,计算光电导。Mg(6%):Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。 相似文献
38.
Ce∶Cu∶SBN晶体生长及全息存储性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在SBN中掺杂的ω(CeO2)、ω(CuO)为0.1%,采用硅钼棒作加热体,以提拉法生长Ce∶Cu∶SBN、Ce∶SBN和Cu:SBN晶体,测试晶体的衍射效率和响应时间。Ce∶Cu∶SBN晶体的最大衍射效率达65%,响应时间为1.3s,以Ce∶Cu∶SBN晶体作记录元件,以Cu∶SBN晶体作为位相共轭反射镜,实现全息关联存储。Ce∶Cu∶SBN晶体的存储性能优于SBN、Ce∶SBN和Cu∶SBN晶体。其响应速度比Fe∶LiNbO3晶体快一个数量级以上。对Ce离子和Cu离子在SBN晶体的占位和Ce∶Cu∶SBN晶体存储性能增强机理进行探讨。 相似文献
39.
GaAs单晶生长工艺的发展状况 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法。对比分析了几种GaAs晶体生长工艺的优缺点,并介绍了各种器件和电路对GaAs单晶材料的要求。列举了GaAs单晶生长中有待解决的问题:热对流与残余热应力问题;位错和亚结构问题;与晶体生长相关的化学计量问题,此外还介绍了我国GaAs材料的发展状况。 相似文献
40.
对采用SBS调Q产生喇曼频移输出的激光器进行了理论分析,并对实验结果与染料调Q时的输出进行了对比,提出了改进该种激光器性能的方法。 相似文献