一种可用于可调谐环行Ti：Al_2O_3激光器的宽带单向器

本文介绍一种宽带单向器的原理及设计。选用ＴＧＧ作磁旋光介质，旋光石英晶片作补偿片，所设计的色散补偿型宽带单向器预计可在７００～１０００ｎｍ波长范围内实现环行激光腔中的单向行波运行；将其应用在可调谐环行Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３激光器中，获得了良好的实验结果。     

昆明铣床厂卧式金刚镗床系列

昆明铣床厂具有30多年的精密机床制造历史，是原机械电子工业部重点骨干企业、出口基地，1986年经国务院批准享有自营进出口权，已通过ISO9001：2000质量体系认证。曾先后荣获“国家质量奖”，“全国五一劳动奖状”．”云南省先进企业”，“云南省出口创汇先进单位”，”昆明市模范企业”等多种荣誉称号。[第一段]     

中俄计算机教育发展比较研究

针对俄罗斯和中国的计算机教育及计算机事业的发展过程情况进行阐述,对中俄两国计算机教育及计算机事业发展原因进行了分析及对比．通过对比看到了两个计算机教育及事业发展道路的坎坷及所获得的成就．希望能对我国今后计算机的发展提供些许参考及借鉴价值,使我国的计算机事业发展更加辉煌。     

FANUCOi数控系统常见P／S程序报警处理

在数控编程操作过程中,常因NC程序的编辑、输入、存储等环节有错误,导致数控系统不执行或中断执行NC程序。针对这个问题,本文通过使用FANUC0i数控系统,以具体的数控加工实例,解读、分析在加工过程中经常出现的P／S程序报警代码信息,并作出相应正确处理,从而避免盲目查找报警故障信息原因的繁琐过程。     

HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片

利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片。所使用掺杂气体为浓度为5%的甲烷气体,混合于N2载气中。所制备晶圆片厚度可达800μm以上,表面无裂纹,表明粗糙度在0.6 nm以下。(002)和(102)晶面X射线衍射摇摆曲线的半峰宽均小于100 arcsec,普遍在为40～60 arcsec,曲率半径可达20 m及以上,位错密度低于106/cm2,测得电阻率大于109?-cm。     

Nd－Fe－B基纳米晶合金的工艺研究

研究了利用快淬工艺制备纳米晶所采用的合金成分与特定工艺的关系以及各工艺参数对形成纳米晶的影响，并对由纳米晶结构导致的高剩磁现象进行了探讨。     

在Fe-Al-C系统中合成优质Ⅱa型宝石级金刚石单晶

和优质Ib型宝石级金刚石单晶生长相比，作为当今高温高压晶体生长的一种高精尖技术，优质1／a型宝石级金刚石单晶对合成技术提出了更高更苛刻的要求：枢研究从晶体的生长速度出发，发现一开始阶段（大约几个小时）的晶体生长速度对优质宝石级金刚石单晶的后期生长争关重要。埘Fe-Al-C系统（Al含量不大于2．5wt％）来说，采用多品种法将晶体开始阶段的晶体生长速度由1．5mg／h降至0．5mg／h后，对生长过程中金属包裹体的进入有了明显的抑制作用，晶体的质量有了很大提高。从晶体中包裹体的存任形式来看，为了获得优质Ⅱa型宝石级金刚石单晶，在触媒中人为地添加除氮剂给晶体生长过程中的排杂过程带来了很大的难度：为了更好的实现排杂，必须很好的处理晶体表面的径向平铺生长速度和晶体轴向的堆积生长速度之间的火系。     

应变速率对中碳低温贝氏体钢强塑性的影响

摘要：为探索低温贝氏体钢的断裂行为,研究应变速率对低温贝氏体钢TRIP效应的影响,采用不同应变速率的拉伸试验对低温贝氏体钢的强塑性进行研究。利用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）及X射线衍射（XRD）等试验方法对低温贝氏体钢的微观组织、断口形貌及裂纹走向进行表征。结果表明,随着应变速率的提高,试验钢的屈服强度由771MPa上升至806MPa,抗拉强度由1554MPa上升至1606MPa,断后伸长率由13.5%下降至9.0%。主要原因是高应变速率拉伸引发的绝热温升抑制了残余奥氏体的马氏体相变,对试验钢塑性造成负面影响。     

复吹转炉“留渣 双渣”脱磷工艺试验

摘要：在国内某转炉钢厂采用“留渣 双渣”工艺技术进行脱磷工艺试验。结果表明：随着转炉前期脱磷率不断升高,终点脱磷率不断提高。铁水硅含量对前期脱磷率的影响最大。根据铁水成分,在冶炼前期适当降低供氧强度、降低气固氧比、加入适量石灰及烧结矿,均有利于前期脱磷率的提高。在一倒时每吨钢液加入4~8kg石灰,不影响出钢温度,可提高一倒-终点阶段脱磷率,同时可提高终点脱磷率。从终点的控制效果可知,终点炉渣碱度应保持不小于3.0,炉渣中FeO质量分数在16%~20%,并适当降低终点出钢温度在1610~1630℃,有利于终点脱磷率的提高。通过加强熔池搅拌,促进钢渣反应趋于平衡,有利于终点磷分配比提高,从而可进一步提高终点脱磷率。