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The bonding of β'-Al2O3 and pyrex glass to Al matrix composites by anodic bonding process is achieved. The microstructure of the bonded interface and the joining mechanisms are analyzed with scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray fluorescence spectrometer (EDX). It is observed that the bonding region across the interface consists of the metal layer, oxide transitional layer and the ceramic layer, with the transitional layer composed of surface region and sub-surface region. The bonding process can mainly be categorized into anodic bonding process and solid state diffusing process. The pile-up of the ions and its drift in the interface area are the main reasons for anode oxidation and joining of the interface. The temperature, voltage and the drift ions in the ceramic or glass during the bonding process are the essential conditions to solid state diffusing and oxide bonding at the interface. The voltages, temperature, pressure as well as the surface state are the main factors that influence the anodic bonding. 相似文献
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Yan Jianhui Zhang Houan Tang Siwen Li Yimin 《中国稀土学报(英文版)》2006,24(5):548-548
The oxidation behavior of 0. 8% La2O3- Mo5Si3/MoSi2 composites at 1200℃ in air was investigated. The results reveal that the oxidation resistance of the material with 0. 8% La2O3 and Mo5Si3 is impaired. The oxidation resistance is decreased with increasing Mo5Si3 content. The mass loss follows a linear law in the initial oxidation. With oxidation time prolonging, a continuous and dense oxidation scale prevents oxygen from diffusing increasing when and leads to mass change a Mo5Si3 content is less than 30%. However, the composite shows "PEST" with the addition of 40% Mo5Si3. With increasing Mo5Si3 content, the oxidation resistance of 0.8% La2O3- Mo5Si3/MoSi2 decreases. This attributes to the poor oxidation resistance of M05Si3 and the relative density decreasing of 0. 8% La2O3-Mo5Si3/MoSi2 composite. 相似文献
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JeffJu PravasPradhan 《世界电子元器件》2004,(10):30-31
消费电子和通信产业正见证着I/O解决方案从并行到高速串行的转变:能够降低成本、简化设计,并具备可延展性,满足全新带宽的要求。这类接口I/O技术的市场潜力巨大,包括移动电话、DVD-RW和高清晰度LCD电视机,而低功耗、低电磁干扰(EMI)和高数据吞吐量在这些应用中极为重要。因此,业界一直致力于设计和开发这些串行I/O,以低功耗提供高速的数据速 相似文献
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DanFeng HongJiang Yi-FengZhu 《计算机科学技术学报》2004,19(C00):108-108
Cluster已发展成为普遍用于高性能计算的一种体系结构,对于大规模并行计算,I/O仍是要解决的“瓶颈”问题。多种用于Cluster系统的并行文件系统将节点上的存储设备统一调度、管理,形成分布式磁盘阵列,以提供大容量、高性能存储系统,满足日益高涨的存储需求。 相似文献