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991.
GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:1,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
992.
MD(Mini Disc)技术实现了在一张直径很小的盘片上进行高质量的数字录音,多种编辑功能和随机存取功能,在录音技术上为我们提供了新的概念和先进的操作手段,在众多应用场合,显示出与众不同的优势,并提供了优质的声音保证. 相似文献
993.
994.
《电子产品世界》1999,(7):41
用3端DC-DCPWM开关TOP414G构成的SV10W隔离的DC-DC变换器示于图1。此变换器具有宽输入范围(36~72VDC输入),输出5V2.0A。图1中的TOP414G是PowerIntegrations公司一款3端DC-DCPWM开关,它具有DC-DC变换器所需的所有功能。它含有:带控制导通栅极驱动器的高压N沟道功率MOSFET,带集成120kHz振荡器的电压模式PWM控制器,高电压启动偏置电路,带隙分支基准,环路补偿的偏置并联调节器/误差放大器和失效保护电路(见图2)。在图1的变换器电路中最大元件高度是12mm。EFD-20变压器铁芯的选择适合这个最大元件高度… 相似文献
995.
电路三要素理论和布尔代数失效原因分析 总被引:9,自引:0,他引:9
本文提出一个克服布尔代数失效的电路三要素理论。文中首先分析布尔代数在数字电路中失效的原因,接着证明开关运算定理等,它概括了文献中曾需一一证明的绝大多数开关运算等式,然后表明:数字电路的统一性既存在于门级和元件级电路间,也存在于各型元件级电路结构间,以及动态与静态电路间。此外,本文提出元件级电路设计的卡诺图方法和代数方法。 相似文献
996.
997.
变容二极管C-V特性的控制技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文针对变容二极管生产难点:C-V曲线的控制,在理论上分析了PN结纵横向结构对PN结C-V特性、串联电阻、反向电流的影响,得出了适当减小芯片面积,调高杂质浓度可以不增大串联电阻而减小反向电流、改善C-V特性的结论,并应用于生产。 相似文献
998.
999.
基于内容的视频编码系统 总被引:1,自引:0,他引:1
由于人们对多媒体业务交互性的要求越来越高,及MPEG-4标准制订活动的驱使,基于内容的视频编码成为异常活跃的研究领域。本文讨论了基于内容的视频编码的新概念,新技术,给出基于内容的视频编码系统的总体框架。基于内容的视频编码系统由对象描述,形状编码,运动编码,纹理编码等模块构成。具体的编码算法则做为构筑各个功能模块的可扩充的工具集。 相似文献
1000.
按照数据库应用系统的设计步骤和软件工程的设计方法,进行了移动通信营业子系统的设计,并提出了用营业自动机模型解决复杂业务关系的方法,该模型已在甘肃省实时计费营业系统中加以实施。 相似文献