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31.
MASS TRANSFER IN GAS-SPARGED POROUS ELECTRODES 总被引:1,自引:0,他引:1
The electrochemical limiting current method was used to measure mass transfer coefficients with cocurrent upward gas-liquid flow in packed bed electrodes. Liquid-solid and overall gas-solid coefficients were determined from limiting current data in the presence of inert or reactive gas flows with the use of a plug flow model. The presence of inert gas flow increased mass transfer coefficients over those in single-phase flow by a factor of up to 1.7. As a result of boundary layer penetration by gas bubbles, sparging with reactive gas increased mass transfer rates by a factor of up to 3.5. 相似文献
32.
Agnieszka J. Klemm Piotr Klemm Kazimierz Rozniakowski Tomasz W. Wojtatowicz 《Building and Environment》2002,37(12):1233-1240
This paper presents the results of the larger study into a potential application of laser radiation for the detection of phase transition processes in low temperatures occurring on the surface layers of cementitious materials. An attempt was made to identify relationships between the environmental conditions—temperature and air humidity, and the selected parameters of the reflected light. Onset of the condensation process and formation of water microdrops on the surface of the material leads to the phase displacement of individual laser rays, which are represented by different speckle images.
Although the analysis of parameters of the reflected light are very difficult in the case of porous materials because of highly developed roughness of the surface structure it has been proved that a dynamic study of the phase transition phenomena can be successfully carried out without mechanical intervention. 相似文献
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In this paper we discuss the different models proposed to explain the visible luminescence in porous silicon (PS). We review
our recent photoluminescence and Raman studies on PS as a function of different preparation conditions and isochronal thermal
annealing. Our results can be explained by a hybrid model which incorporates both nanostructures for quantum confinement and
silicon complexes (such as SiH
x
and siloxene) and defects at Si/SiO2 interfaces as luminescent centres. 相似文献
34.
多孔硅发光机制的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应,推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了PS光致发光的实验现象。 相似文献
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