某低频段T/R 组件电磁兼容问题研究

详细介绍某低频段T/R 组件研制过程中的电磁兼容问题——波控电路严重干扰接收通道,导致接收通道噪声系 数带内呈现周期性的尖峰。分别从被干扰对象、干扰源、干扰路径等方面对该问题进行深入的分析,提出完善的改进方 案,给出改进方案前后电磁兼容性能的对比情况,并总结出电磁兼容问题解决过程中可能的误判。该问题是低频段T/R 组件面临的共性问题。本解决方案及思路可为低频段T/R 组件的研制提供重要参考,并对数字T/R 组件的电磁兼容设计 具有指导意义。     

基于L^＊a^＊b^＊肤色模型和数学形态学的人脸检测

提出利用L*a*b*肤色模型和数学形态学相结合的方法,实现彩色图像人脸检测.建立L*a*b*颜色空间的肤色模型,利用该模型提取肤色区域;然后,用数学形态学算子,完成去除噪声和干扰,分割候选目标等处理过程;最后,利用人脸的比例关系框选出人脸区域.实验表明,该方法计算开销较小,易于实现,准确率较高,速度快.     

改进的机载大斜视SAR距离-多普勒算法

基于斜视成像几何模型,分析了目标回波信号距离走动比距离弯曲大得多的特点。推导了用于机载大斜视合成孔径雷达成像的改进距离-多普勒算法。该算法基于高阶距离模型,首先在距离压缩时校正距离走动,然后在两维频域校正距离弯曲。点目标仿真和实测数据成像结果证明了算法的可行性。     

基于LTCC多层基板技术的宽带T/R组件设计

介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)多层基板工艺的宽带发射/接收(T/R)组件的设计,详细论述了组件的电路布局和装配工艺,给出了具体的测试数据。T/R组件的体积为65mm×29mm×9mm,连续波输出功率大于25W,均方根移相误差小于3°,已达到工程应用要求。     

多端口网络噪声系数测试方法

将多端口网络某端口噪声系数的定义推广到非等噪声输入情形,并提出了两种多端口网络噪声系数测试方法。第一种方法方便快捷,只需测量任意一个端口的噪声系数即可得到多端口网络噪声系数。第二种方法不包含系统误差,但测试工作量及计算量较大。分别给出了两种测试方法的测量实例,并对两者的结果进行了比较,两者结果在误差范围内完全一致。第二种方法关于输入噪声功率的计算结果表明,第一种方法的系统误差可以忽略。该测试方法不仅适用于等增益网络,也适用于非等增益网络,文中给出了非等增益网络的测量实例。该测试方法可广泛应用于相控阵雷达所用T/R组件等多端口网络噪声系数的测试。     

基于SONY蓝光存储技术实现全台网络化

随着电视台的网络化建设步伐越来越快,各个节目业务板块都在电视台的内部不断出现,而要实现各业务板块系统的信息数据资源的互联互通,同时各板块之间相互独立,就要建立主干交换平台中心,实现全台资源共享网络化。介绍一种新型的交互共享平台中心——基于SONY蓝光存储技术实现台内各业务板块资源共享网络化,适合中小型电视台应用。     

Compiler compatible 5.66 Mb/mm2 8T 1R1W register file in 14 nm FinFET technology

1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm² is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm² array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall V_min of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances.     

软交换与3G网络互通关键技术分析

就软交换网络和WCDMAR4网络互通的关键技术进行了分析和探讨，并借此提出了对互通节点的技术要求。     

一种双梁互补式光纤光栅位移传感器及在地铁隧道变形监测中的应用

本文提出了一种双梁互补式光纤光栅(fiber Bragg grating, FBG)位移传感器,实现了正负双向位移的测量。采用双“悬臂梁+楔形滑块”的结构,当一个悬臂梁受位移作用处于变形状态时,另一个悬臂梁不变形并提供温度补偿功能。传感器处于零值测点状态时,两个悬臂梁处于零弯曲状态,且双梁互为温度补偿,消除了温度影响。通过性能测试实验证明,该传感器在±50的量程内,灵敏度为29.369 pm/mm,测量重复性好。制备出8个传感器应用于某市地铁的变形安全监测,从道床沉降、道床环缝、管片环缝3个方面开展了变形测量。在长期监测期间,传感器工作稳定,被测结构变形状态稳定,表明该传感器具有良好的测量性能,适用于长期的结构健康监测。