分布式光纤温度传感器的系统设计及关键技术

首先介绍了喇曼散射的原理,并对喇曼散射分布式光纤温度传感器进行了理论分析,最后着重介绍了喇曼散射分布式光纤温度传感器的系统设计及关键技术.     

固体中光声拉曼效应的理论分析

从非线性波动方程出发，运用准平衡模型以及热弹理论，对固体样品中光声拉曼效应进行理论分析，导出了脉冲激光泵浦下光声拉曼信号的解析表达式，并总结分析了固体中光声拉曼效应的一些原理特性、实验问题和应用价值。     

液芯波导在拉曼光谱研究中的应用及其研究进展

采用液芯波导系统进行液体样品的光谱研究具有相当高的探测灵敏度，本文对液芯波导系统在拉曼光谱中的应用及其研究进展作了比较全面的综述．分析了液芯波导系统的特点及其影响液芯波导拉曼光谱强度的主要因素及其激励采集方法、液芯波导中的光漂白效应及其对荧光背景的消除作用，以及液芯波导中的光散射机制问题，并对液芯波导的主要应用做了详细介绍．     

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品     

光纤拉曼放大器的优化设计

文章介绍了一种设计多波长泵浦光纤拉曼放大器（FRA）的方法以及怎样用此方法实现需要的增益曲线。利用这种方法仿真实现了增益接近20dB、平坦度小于0.2dB的拉曼放大器，它与现有的拉曼放大器相比具有更平坦的增益曲线。     

利用SBS调Q的喇曼频移Nd:YAG激光器研究

对采用SBS调Q产生喇曼频移输出的激光器进行了理论分析,并对实验结果与染料调Q时的输出进行了对比,提出了改进该种激光器性能的方法。     

光纤喇曼放大器的功率转换效率分析

在定义光纤喇曼放大器(FRA)功率转换效率(PCE)的基础上,考察了不同工作条件下光纤喇曼放大器的功率转换效率,分析PCE与光纤喇曼放大器的输入信号功率、输入泵浦功率和光纤长度的关系,比较了分布式与集总式FRA的功率转换效率,给出提高FRA功率转换效率的途径。     

ZnO growth on Si with low-temperature CdO and ZnO buffer layers by molecular-beam epitaxy

Low-temperature (LT) buffer-layer techniques were employed to improve the crystalline quality of ZnO films grown by molecular-beam epitaxy (MBE). Photoluminescence (PL) spectra show that CdO, as a hetero-buffer layer with a rock-salt structure, does not improve the quality of ZnO film grown on top. However, by using ZnO as a homo-buffer layer, the crystalline quality can be greatly enhanced, as indicated by PL, atomic force microscopy (AFM), x-ray diffraction (XRD), and Raman scattering. Moreover, the buffer layer grown at 450°C is found to be the best template to further improve the quality of top ZnO film. The mechanisms behind this result are the strong interactions between point defects and threading dislocations in the ZnO buffer layer.     

激光二极管抽运的自拉曼Nd∶YVO_4激光器

研究了激光二极管(LD)抽运的自拉曼Nd∶YVO4调Q激光器的特性。Nd∶YVO4晶体同时作为激光介质和拉曼晶体,通过声光调Q技术,产生了1176 nm的拉曼激光。测量了平均输出功率、脉冲宽度和单脉冲能量随抽运功率和脉冲重复率的变化。典型的1064 nm基频光和1176 nm拉曼光脉冲的脉冲宽度分别为26.3 ns和9.0 ns。在脉冲重复率为20 kHz,抽运功率为8.46 W时,产生了平均功率为0.384 W的1176 nm光的输出,光-光转换效率为4.54%。使用速率方程对自拉曼Nd∶YVO4调Q激光器特性进行了理论研究,把脉冲重复率为10 kHz,20 kHz,30 kHz时拉曼光单脉冲能量和脉冲宽度的实验值与理论值进行了比较,结果基本相符。     

用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达

研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.