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991.
基于解析各向异性分析理论,研究了矩形横截面Nd:YVO4激光晶体受到具有高斯分布LD端面抽运时的激光晶体温度场分布和抽运面热形变分布.通过LD抽运Nd:YVO4激光晶体工作特点分析,建立了符合激光晶体工作状态的热模型,利用各向异性介质热传导方程的一种求解方法,得出了矩形截面Nd:YVO4晶体的温度场、热应变场和端面热形变场的通解表达式,分析了各向异性热参量对Nd:YVO4激光晶体热应变场的定量影响.研究结果表明:当使用输出功率为15 W LD端面中心入射Nd:YVO4晶体(Nd3 浓度0.5 atm%)时,在抽运端面中心获得244.9℃最高温升和1.99μm最大热形变量. 相似文献
992.
利用红外光谱和渐进因子分析(Evolving factor analysis,EFA)对水溶液中牛血清白蛋白(Bovine serum albu-min,BSA)的热动力学过程进行了研究.三因子EFA的结果表明加热导致了牛血清白蛋白的结构变化经历了轻微变化和剧烈变化两个阶段,它们分别发生在温度区间56~76℃和68~82℃.研究显示了渐进因子分析在解析水溶液中蛋白质温度相关红外光谱中的重大作用. 相似文献
993.
994.
针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型。真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃。找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据。分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施。 相似文献
995.
To achieve a characterization method for the gate delay library used in block based statistical static timing analysis with neither unacceptably poor accuracy nor forbiddingly high cost,we found that general-purpose gate delay models are useful as intermediaries between the circuit simulation data and the gate delay models in required forms.In this work,two gate delay models for process variation considering different driving and loading conditions are proposed.From the testing results,these two models,especially the one that combines effective dimension reduction(EDR) from statistics society with comprehensive gate delay models,offer good accuracy with low characterization cost,and they are thus competent for use in statistical timing analysis(SSTA).In addition, these two models have their own value in other SSTA techniques. 相似文献
996.
997.
瞬态包络分析算法是一种快速有效的仿真算法,被广泛应用于RF电路仿真中,文章主要研究了基于打靶法的瞬态包络分析算法-采样包络算法,并给出了该算法的具体流程和计算机实现结果。 相似文献
998.
矩形集成电路半解析热分析软件--BJX热分析软件的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
半解析热分析法具有解析法的高精度,又具有数值法的较宽适用范围。编制出的计算软件具有分析时间短、操作简便、成本低廉等优点,可能成为下一代集成电路实际使用的热分析软件。 相似文献
999.
硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析 总被引:3,自引:2,他引:3
基于参数化的计算机辅助设计(CAD)软件,对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模,以有限元分析软件为工具,进行了谐振器的模态分析,静态分析和谐响应分析,初步揭示了谐振器的静、动态特性,有助于改善设计效率和质量,展示了计算机辅助工程(CAE)技术在微机电系统(MEMS)研究中的重要作用。 相似文献
1000.