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11.
12.
介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于100nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低。Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质。 相似文献
13.
SOI技术的新进展 总被引:4,自引:1,他引:3
林成鲁 《功能材料与器件学报》2001,7(1):1-6
通过对最近两次SOI国际会议的分析,综述了SOI技术取得的新进展。三种SOI技术SIMOX,Smart-cut和BESOI已走向商业化,在高温与辐射环境下工作的SOI电路也走向了市场。近来人们更加重视SOI技术,是因为SOI在实现低压、低功耗电路上的突出优越性。 相似文献
14.
CHEN Meng WANG Xi LIN Cheng-Lu 《核技术(英文版)》2005,16(6):330-334
In recent years, novel structure SOI materials have been fabricated successfully. Also, SiGeOI (SGOI) material, an ideal substrate for realizing strained-silicon structures, has been investigated by modified SIMOX technology. From 2002, the 100 mm, 125 mm and 150 mm SIMOX wafers have been successfully produced by Shanghai Simgui Technology Co. Ltd, a commercial spin-off of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences (CAS), and shipped to the semiconductor industry worldwide. This paper presents an outlook for R & D on SOI technologies, and the recent status and future prospect of SIMOX wafers in China. 相似文献
15.
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力. 相似文献
16.
17.
SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性 总被引:2,自引:0,他引:2
为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了2×1015和3×1015cm-2剂量的氮.实验结果表明,在使用Co-60源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时,埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的.尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小,但经5×104 rad(Si)剂量的辐照后,注入2×1015cm-2剂量氮的埋氧层表现出了比未注氮埋氧层高得多的辐射硬度,而注入3×1015cm-2剂量氮的埋氧层的辐射硬度却比未注氮埋氧层的辐射硬度还低.然而,随辐照剂量的增加(从5×104到5×105rad(Si)),这种埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量的敏感性降低了.采用去掉SOI顶硅层的MOS高频C-V技术来表征埋氧层的总剂量辐射硬度.另外,观察到了MSOS(metal-silicon-BOX-silicon)结构的异常高频C-V曲线,并对其进行了解释. 相似文献
18.
Ibis Technology Corporation, 32A Cherry Hill Dr., Danvers, MA 01923 Research and development on SIMOX silicon-on-insulator
material is rapidly increasing due to exciting applications for low power, low voltage, and advanced, high performance circuitry.
Consistency in wafer uniformity and interface smoothness, reduction of metallic contamination, and a drive toward lower substrate
cost have all contributed to the use of SIMOX as a starting substrate for production devices and circuits. Considerations
for new implanter development, product material improvement, and worldwide market expansion are discussed. 相似文献
19.
For silicon-on-insulator devices with very thin active layers, the quality of the buried oxide layer and its interface with
the top silicon layer can significantly affect device performance. This study focuses on the characterization of buried oxide
layers formed by high-dose oxygen implantation into Si wafers. Capacitance-voltage (C-V) and capac-itance-time (C-t) measurements
were performed on the epilayer/buried oxide/substrate capacitors. From high frequency C-V measurements, data on fixed oxide
charge, inter-face traps, and donor densities were obtained for both buried oxide interfaces, as well as the thickness of
the buried oxide layer. From C-t measurements, minority carrier generation lifetimes were calculated for thin depletion regions
on both sides of the buried oxide. The data is correlated to changes in implanted dose, anneal temperature, and anneal time. 相似文献
20.
TransientradiationeffectsinCMOSinvertersfabricatedonSIMOXandBESOIwafersZhuShi-Yang(竺士炀),LinCheng-Lu(林成鲁)(StateKeyLaboratoryof... 相似文献