SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量

提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率.测量结果显示至少在5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率(1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅/二氧化硅边界存在边界热阻,并测量了该数值.结果表明,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略.     

SIMOX技术及CMOS／SIMOX器件的研究与发展

SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。     

短沟道薄硅膜CMOS/SIMOX电路的研究

通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电路特性。实验结果表明:薄硅膜器件有抑制短沟道效应(如阈值电压下降)、改善电路的速度性能等优点,因而薄硅膜SIMOX技术更适合亚微米CMOS IC的发展。     

300门CMOS／SIMOX门阵列容错ASIC电路的研制

本文简要地介绍了３μｍＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ门阵列的设计和制作技术。利用３００门门阵列母片成功地实现了容错计算机系统专用总线输出选择逻辑电路ＳＥＬ。其性能达到了用户要求，平均单级门延迟时间为２．６ｎｓ，输出驱动电流为２．４ｍＡ．     

A STUDY ON HOT-CARRIER-INDUCED GATE OXIDE BREAKDOWN IN PARTIALLY DEPLETED SIMOX MOSFET''''S

The hot-carrier-induced oxide regions in the front and back interfaces are systemati-cally studied for partially depleted SOI MOSFET's. The gate oxide properties are investigated forchannel hot-carrier effects. The hot-carrier-induced device degradations are analyzed using stressexperiments with three typical hot-carrier injection, i.e., the maximum gate current, maximumsubstrate current and parasitic bipolar transistor action. Experiments show that PMOSFET's     

抗总剂量辐射0.8μm SOI CMOS器件与专用集成电路

介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0.8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad(Si)的总剂量的关系来表征.实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于320mV,nMOS器件在开态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于120mV,器件在总剂量1Mrad(Si)辐射后没有观察到明显漏电,在总剂量500krad(Si)辐射下专用集成电路的静态电流小于5μA.     

SIMOX材料注F+后的SIMS分析

实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ材料中,注入剂量分别为５×１０＾１２Ｆ＾＋／ｃｍ＊＾２,５×１０＾１３Ｆ＾＋／ｃｍ＾２,１×１０＾５Ｆ＾＋／ｃｍ＾２,用ＳＩＭＳ技术了Ｆ在材料中的浓度分析,结果表明,随着注Ｆ＾＋能量和剂量的改变,Ｆ＾＋在材料中的深度分布也相应改变。     

Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响

为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料．辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线．结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力．     

SIMOX结构退化的卢瑟福背散射研究

在高温外延气氛下，ＳＩＭＯＸ结构会被损伤、退化。本文用卢瑟福背散射技术分析了这种退化，指出这种退化主要是高温下氢对表层硅的反应剥蚀及氢经表层硅中穿透性位错使埋层ＳｉＯ２分解。     

SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法

报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法 ,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度 .SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是 SOI电路设计时最重要的两个参数 ,提供的非破坏性测量方法 ,测量误差小于5% .在 SIMOX材料开发利用、批量生产中 ,用此方法可及时方便地检测 SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度 ,随时调整注入能量和剂量