国产碳化硅晶须的特性及其增韧效果

本文观察分析了两种国产ＳｉＣ晶须的表面杂质元素的形势，得知晶须Ａ表面光滑，其中少量晶须呈弯曲状，晶须Ｂ比较平直，表面粗糙。晶须Ａ中包含有许多堆垛层错，人字状花方缺陷和锯齿缺陷，而晶须Ｂ中仅观察到有堆垛层错，测试了这两晶韧的氧化铝陶瓷刀具材料的性质，并探讨了晶须增韧氧化铝陶瓷刀具材料的机理。     

注入氮离子的SiC涂层阻氢性能研究

利用离子束混合－离子注入（Ar^ ）和磁控溅射相结合的实验技术在HR－1不锈钢基体上制备了注入N^ 的SiC涂层，并用表面分析手段对所制备涂层的表面形貌，剖面形貌、相结构，表面成分，表面元素的化学态进行了分析，结果表明：制备的涂层结构致密，表面平整、膜层成分均匀；涂层与基体之间形成了一明显的过渡层，增强了涂层和基体之间的结合力，用二次离子质谱（SIMS）对充氘涂层的阻氢性能进行了定性分析，结果表明，涂层元素与氢形成稳定的化学键，抑制了氢的扩散和迁移，使得涂层具有一定的阻氢能力。     

纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.     

高温用（SiC—AlN）Mo功能梯度材料的加工

讨论了热屏蔽用（SiC－AIN）／Mo功能梯度材料的粉末冶金加工。利用钼作为基体材料，以承担结构强度和连接可能性。根据在1000K温差内的完全热传递，研究了组分配置的设计，并且以最佳的组分配置成功地加工出了（SiC－AIN）／Mo功能梯度材料的烧结坯料。     

粉末布法制备SiC/Ti基复合材料

用粉末布法制备了低成本SiC/Ti基复合材料.结果表明,采用合适的轧制参数即可容易地获得厚度合适、均匀的粉末布;热失重分析和热解残余物分析指出用来制备粉末布的有机粘结剂的去除过程分成两个阶段,合理除气后,基本没有残余物.使用真空热压工艺制备的SiC/Ti基复合材料,纤维分布基本均匀,纤维与基体的界面结合良好.     

非线性半导体SiC微粉及其半导体漆（带）特性试验方法的研究

本文介绍了非线性半导体 SiC 微粉及其半导体漆(带)伏安特性的测量方法,以及用微机程序计算其非线性特征参数的方法,从而为研究新型防晕结构提供了科学有效的手段。     

镁基复合材料预制块制备工艺的研究

高质量复合材料预制块是获得高性能复合材料的基本要求和关键要素之一。本文通过对粘结剂的选择、晶须的清洗、晶须的分散、预制块成型、预制块烘干及预测块烧结技术的研究，提出获得优质镁基复合材料预制块的最佳制备工艺。     

不连续纤维增强Ti基复合材料蠕变形变与断裂

研究了ＴｉＣ颗粒和ＴｉＢ_２晶须增强的Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ复合材料高温蠕变形变与断裂行为，ＴｉＣ增强的复合材料比基体合金的蠕变速率低一个数量级，ＴｉＢ_２增强的复合材料比基体合金低二个数量级。蠕变速率与应力的关系曲线呈两个阶段：在低应力阶段，蠕变应力指数为２～４，蠕变激活能为１２６～１８８ｋｌ／ｍｏｌ；在高应力阶段，应力指数为７～９，激活能为２４３～２７６ｋｌ／ｍｏｌ。复合材料与基体合金的应力指数和激活能相同。用透射电镜和扫描电镜研究了形变和断裂后的位错结构、裂纹和断口形貌。     

Al2O3/TiB2/SiCw三元复合材料的力学性能及显微结构

以Al₂O₃为基体,SiC晶须和TiB₂颗粒两种增韧剂,采用热压烧结工艺制备了Al₂O₃/TiB₂/SiC_w三元复合陶瓷材料。研究了热压工艺参数对材料致密度的影响和晶须含量对该复合材料的力学性能和显微结构的影响。结果表明;随晶须含量的增加,该复合材料的热压温度和保温时间需要相应的增加;晶须拔出、裂纹偏转和晶须的桥接为该复合材料的主要增韧机理;随晶须含量的增加,该材料的室温断裂韧性增加;该材料的断裂韧性随温度的升高而呈增大趋势,并且晶须含量越高,材料的高温断裂韧性增幅越大。