电子镇流器用高压长寿命铝电解电容器

铝电解电容器是节能灯用电子镇流器的关键元件，由于镇流器的工作环境严酷，其电容器最易失效。改进后的ＣＤ１１Ｈ系列电子镇流器用铝电解电容器标准突出了１０５℃下满负荷工作３０００ｈ的高可靠性要求。设计目标放在延长寿命，提高可靠性，减少失效率方面。选用电容器时要注意工作电压、上限工作温度、耐久性。     

高频低阻抗铝电解电容器的研究

分析了高频低阻抗铝电解电容器系列产品的发展状况，讨论了实现高频低阻抗的有关技术、工艺，按开关电源的要求开发了宽温、高电导率、高稳定的工作电解液，成功地研制了ＣＤ２８６型铝电解电容器，该产品通过了＋１０５℃、２０００ｈ的耐久性试验。     

阳极铝箔交流腐蚀发孔对比容的影响

采用５０Ｈｚ交流电腐蚀发孔和进一步腐蚀阳极铝箔，在腐蚀箔表面形成透明钝化型腐蚀膜且蚀孔孔径较大。在交流电腐蚀过程中不产生发黑、掉粉和减薄现象。另外，该工艺对盐酸浓度和硫酸添加剂浓度的适应范围很宽。     

多极性基高聚物对铝电解电容器工作电解液性能的影响

乙二醇和二甘醇的混合液为溶剂，有机羧酸盐或苯甲酸盐为溶质的工作电解液，在加入多极性基高聚物ＰＬＹ－２后，具有高的闪火电压和氧化效率，在高温下热稳定性好     

铝电解电容器等效串联电阻的分析及控制

文章分析了铝电解电容器等效串联电阻对产品性能的影响,讨论了等效串联电阻的构成及其影响因素,阐述了铝电解电容器生产中控制等效串联电阻的对策,推出了一种改进的铆接工艺,能够有效降低、稳定电极箔与引线间的铆接接触电阻。     

双电层电容器高比表面积活性炭的研究

以石油焦为原料,KOH和NaOH为活化剂制取双电层电容器用高比表面积活性炭电极材料。考察了活化剂的种类及其与石油焦配比对活性炭比电容的影响,并对KOH和NaOH的混和物在活化过程中金属K和Na的协同作用进行了初步探讨。研究结果表明控制适宜的活化工艺条件可制得比电容高达52.60 F/g的高比表面积活性炭,用它组装成的双电层电容器具有良好的充放电性能。     

一种电机制动能量回收新技术

节约能源成为当今社会的一个主题,电机制动采用能耗制动已经和当今的主题格格不入。为此文章提出一个新思想:利用超级电容作为中间储能装置来回收电机制动时的能量,并且利用TI公司的高速处理芯片对双向DC-DC变换电路进行控制,以此能更好地对超级电容进行充放电。     

离子液体在片式铝电解电容器中的应用研究

利用离子液体具有的高热稳定性、高离子电导率的特点,选用了几种离子液体用作片式铝电解电容器工作电解液。性能测试结果表明,以马来酸或邻苯二甲酸的1,3-二烷基取代的咪唑盐或四氢吡咯盐的离子液体为电解质,所制成的电容器能通过105℃1000h寿命试验和耐回流焊接热试验。但电解液的闪火电压与传统电解液相比较低,一般只能做50V以下的低压电容器产品。     

Impact of carbon concentration on the interface density of states of metal-oxide Si<Subscript>1−x−y</Subscript> Ge<Subscript>x</Subscript>C<Subscript>y</Subscript> (strained) capacitors

We describe and model the electrical response of interface states of metal-oxide semiconductor (MOS) capacitors fabricated from Si_1−x−yGe_xC_y strained layers as a function of C concentration. We find that the introduction of Ge and C in the epilayers leads to anomalies in the capacitance-voltage curves in the form of kinks or plateaus. This behavior is explained by the presence of pronounced peaks on the density of interface states in the bandgap. Our results suggest an adequate Ge/C ratio of 40 minimizes the density of interface states. This ratio is different from the ratio of ∼10 required for stress compensation. Finally, we discuss the implications for the introduction of Si_1−x−yGe_xC_y strained layers to fabricate MOS devices.     

硫酸/盐酸比例和Al~(3+)含量对铝箔隧道孔生长的影响

研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al3+含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响,发现随着硫酸浓度增加,温度对隧道孔极限长度和孔径的影响减小,在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低到35℃。在电解液中一定含量的Al3+可以避免铝箔表面形成大孔,从而改善隧道孔分布均匀性。