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991.
在我国的变电所的分布不是非常集中,并且变电的设备也较多,因此精确管理难度和宏观调度都有很大的增加。WEB技术可以使得非常简单的浏览和开发信息,并且可以使得变电所之间的信息交流便得增加,因此电力信息自动化系统的WEB技术应用越来越广泛。 相似文献
992.
计算机技术领域中,使用键盘输入汉字的方法实质是区位码/国标码输入法。本文介绍了区位码/国标码输入法的现实意义,IME的组成结构以及区位码/国标码输入法的发展动态。主要说明区位码/国标码输入法在中文键盘输入法的重要地位,并简单分析了中文键盘输入法编辑器的组成结构等技术。 相似文献
993.
994.
995.
The linear thermal expansion of molybdenum has been measured in the temperature range 1500–2800 K by means of a transient (subsecond) interferometric technique. The molybdenum selected for these measurements was the Standard Reference Material SRM 781 (a high-temperature enthalpy and heat capacity standard). The results are expressed by the relation
where T is in K and l
0 is the specimen length at 20°C. The maximum error in the reported values of thermal expansion is estimated to be about 1% at 2000 K and not more than 2% at 2800 K.Paper presented at the Ninth Symposium on Thermophysical Properties, June 24–27, 1985, Boulder, Colorado, U.S.A. 相似文献
996.
The specific heat at constant pressure, C
p, of aluminum measured by Ditmars, Plint, and Shukla has been reduced to the volume V
0 appropriate for 0 K employing the Murnaghan equation. The C
v0 thus obtained is compared with the theoretical C
v0 calculated in the harmonic and the lowest-order anharmonic approximation from three different pseudopotentials (Harrison, Ashcroft, and Dagens-Rasolt-Taylor) as well as a phenomenological Morse potential. The higher-order (
4) anharmonic contributions are calculated from the same nearest-neighbor Morse potential as in the lowest-order anharmonic theory. The role of the vacancy and the higher-order anharmonic contributions to C
v0 has been examined and we conclude that the
4 contributions to C
v0 are much smaller than the vacancy contribution. After removal of the vacancy contribution, the reduced C
v0 is found to be in excellent agreement with the Ashcroft and Harrison pseudopotentials as well as the Morse potential including the
2 and
4 contributions to C
v0. 相似文献
997.
998.
电流密度对声电沉积生物活性透钙磷石涂层结构和形貌的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
通过声电沉积工艺在碳/碳复合材料表面制备了生物活性透钙磷石涂层,采用SEM、FFIR、XRD研究了超声场中电流密度对涂层组成结构和形貌的影响。发现在一定工艺条件下,随电流密度增加,涂层的平均晶粒尺寸减小,致密度增加;当电流密度小于l0mA/cm^2时涂层形貌为片状,l0mA/cm^2-26mA/cm^2时为粒状,32mA/cm^2时为花菜心状。且涂层中透钙磷石晶体的择优取向也发生变化,择优晶面依次为(021)、(111)、(220)。同时还讨论了涂层微观结构变化机理。 相似文献
999.
1000.
介绍了日本、美国、韩国、前苏联等国家不同时期各种钢管产品结构的发展情况及构成比。分析了影响钢管比、焊管比、特殊钢管比、冷加工管比和覆层管比的主要因素。指出了今后的发展趋势。 相似文献