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41.
介绍了孔内深层超强夯法(SDDC)的基本原理,并将SDDC工法运用于处理某机场内厚层人工回填土地基,对无机固体废料进行了资源化回收利用。通过复合地基载荷试验、标准贯入试验和重型动力触探试验对SDDC施工质量进行检测,对SDDC桩体和桩间土的承载力效果进行评价。结果表明,经SDDC工法处理后的复合地基均匀性较好,承载力显著提高,达到工程使用要求。 相似文献
42.
43.
44.
石墨镶嵌Co纳米晶的形成及其特性 总被引:5,自引:0,他引:5
用直流碳弧法在阳极石墨棒中加入金属Co产生石墨镶嵌Co纳米晶,研究在复合石墨棒中加入不同的Co含量对石墨镶嵌Co纳米晶的形貌、结构特性及晶粒尺寸分布的影响,探讨石墨镶嵌Co纳米晶的形成原因及碳弧法中氦气压力和Co含量对掺Co阳极石墨棒所产生的碳灰的C60/70产率的影响。结果表明,复合阳极棒中的Co含量决定了石墨镶嵌Co纳米晶的数量和晶凿直径分布,碳弧法中的He气压力仍是影响掺Co阳极棒所产生的碳 相似文献
45.
光纤的总剂量效应分析研究 总被引:1,自引:1,他引:1
对光纤的总剂量效应进行了研究.介绍了光纤结构及传输特性,分析了光纤的总剂量效应.讨论了60Co-γ射线辐照条件下的试验结果.分析表明,在空间辐射环境中,光纤的传输性能在长波段受影响较小.对光纤在空间的应用有参考意义. 相似文献
46.
AbstractWe have characterized the structure and electrical properties of p-type nanocrystalline silicon films prepared by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition and explored optimization methods of such layers for potential applications in thin-film solar cells. Particular attention was paid to the characterization of very thin (~20 nm) films. The cross-sectional morphology of the layers was studied by fitting the ellipsometry spectra using a multilayer model. The results suggest that the crystallization process in a high-pressure growth regime is mostly realized through a subsurface mechanism in the absence of the incubation layer at the substrate-film interface. Hydrogen plasma treatment of a 22-nm-thick film improved its electrical properties (conductivity increased more than ten times) owing to hydrogen insertion and Si structure rearrangements throughout the entire thickness of the film. 相似文献
47.
E. Guziewicz M. Godlewski K. Kopalko E. Dynowska M.M. Godlewski 《Thin solid films》2004,446(2):172-177
Thin films of sphalerite-type ZnSe were grown by atomic layer deposition (ALD) from elemental Zn and Se precursors. These films, grown on various substrates, show bright blue ‘edge’ emission accompanied by donor-acceptor pair emissions in the blue, green and red spectral regions. Red, green and blue emissions mixed together give a white color, with a color temperature between 2400 and 4500 K depending on a layer thickness and temperature. ZnSe grown by ALD is in consequence a promising material for the fabrication of semiconductor-based white light emitting thin film electroluminescence displays. 相似文献
48.
49.
采用离子束溅射镀膜装置制备了一种新的材料组合Si/C多层膜 ,用于 30 4nm波段的正入射多层膜反射镜。并用软X射线反射率计测得其反射比最大值为 0 14。有效地抑制了 15 0nm处的二级衍射峰。 相似文献
50.
Thin films of CaCO3 (calcite) have been grown with the atomic layer chemical vapour deposition (ALCVD) technique, using Ca(thd)2 (Hthd=2,2,6,6-tetramethylheptan-3,5-dione), CO2, and ozone as precursors. Pulse parameters for the ALCVD-type growth are found and self-limiting reaction conditions are established between 200 and 400 °C. Calcium carbonate films have been deposited on soda-lime glass, Si(100), -Al2O3(001), -Al2O3(012), -SiO2(001), and MgO(100) substrates. The observed textures were: in-plane oriented films with [100](001)CaCO3 [100](001)Al2O3 and [100](001)CaCO3[110](001)Al2O3 on -Al2O3(001), amorphous films on -Al2O3(012) when grown at 250 °C, and columnar oriented films on soda-lime glass, Si(001), -SiO2(001), and MgO(100) substrates with (00l) and (104) parallel to the substrate plane at 250 and 350 °C, respectively. The film topography was studied by atomic force microscopy and AC impedance characteristics were measured on as-deposited films at room temperature. The films were found to be insulating with a dielectric constant (r) typically approximately 8. Thin films of CaO were obtained by heat treatment of the carbonate films at 670 °C in a CO2-free atmosphere, but the thermal decomposition led to a significant increase in surface roughness. 相似文献