氧化锡基ZnO／SnO2UPF复合工艺对其微观结构的影响

着重讨论了用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锡基ＺｎＯ／ＳｎＯ２超微粒子薄膜（ＵＰＦ）的制备工艺对其物相结合及表面形貌等影响。结果表明：复合型薄膜上层的ＺｎＯＵＰＦ比单层薄膜的ＺｎＯＦＵＰＦ致密；主要晶相成分为ＳｎＯ２相，并沿（００２）、（１１０）、（１０１）等晶面择优生长；ＺｎＯ相呈非晶态结构。     

Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应

超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。     

衬底对PZT铁电薄膜显微结构的影响

利用ＸＲＤ和ＳＥＭ观察了在不同衬底材料上用Ｓｏ１－Ｇｅｌ法制备的ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜的显微结构。发现ＰＺＴ薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。ＰＺＴ薄膜在金属铂片上能够很好地结晶，而在单晶硅片上则很难结晶，其在镀铂硅片上的结晶难易程度介于金属铂片与单晶硅片之间。在衬底上制备ＰＴ过渡层可以促进ＰＺＴ薄膜的结晶。     

沉积方式与基体材料对TiN薄膜内应力的影响

本文研究了TiN薄膜在化学气相沉积、物理气相沉积(包括热灯丝离子镀和多弧离子镀)以及等离子增强化学气相沉积等不同生成条件下的内应力变化。并通过改变钢及硬质合金基体的化学成份和表面状态。考察了基体材料对薄膜应力的影响。在此基础上,对薄膜内应力的形成机制进行了分析讨论。     

含淀粉聚乙烯膜的时控光降解研究

使用复合光降解剂，得到了可光降解的生物降解膜。对膜的光降解进行了考察，并对影响光降解的因素进行了讨论，结果表明，我们所制得的膜是一种较好的时控光降解膜。     

SnO2光敏,气敏元件的性能研究

报道了用常压蒸发法制备的ＳｎＯ２薄膜的光敏性能和用烧结法制备的圆珠状气敏元件的气敏性能。初步探讨了其结构与机理。指出进行集光敏、气敏全一体的传感器的研究。     

金刚石薄膜中晶粒尺寸的研究

扫描电子显微研究表明，化学汽相沉积的金刚石薄膜中晶粒大小比较均匀。但随着沉积时间和薄膜厚度的增加，晶粒逐渐变大，且每一层内，存在少量的大金刚石颗粒，讨论了晶粒尺寸变化和大晶粒形成的原因和机制。     

等离子氨化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。