分光光度法测定催化剂浆料中的Sb2O3含量

本方法利用KI－抗坏血酸溶液为显色剂，在440nm的波长下，用分光光度计来测定催化剂浆料中Sb2O3的含量，能够得到准确、稳定的结果。     

CD—PT和CD—52浆料在纯棉高支高密品种上的应用

1前言我公司引进日本丰田JAT500型喷气织机164台，生产纯棉高支高密品种和T／C中支斜纹品种以及人棉中支细纺品种。一般高支纱品种多数配以高经密，在无梭织机上生产时多为63ill以上的宽幅织物。这样就带来经纱上浆过程中在上浆辊上的覆盖系数很大，一般超过80％，由于覆盖系数     

串行E~2PROM 24CXX在IC卡中的应用

文章介绍串行ＣＭＯＳＥ２ＰＲＯＭ２４ＣＸＸ在ＩＣ卡中的应用，并以２４Ｃ０１为例对它们的读写操作和通信协议进行了重点阐述。     

具有阻力特性材料的σ_f－σ关系及一种新的阻力曲线测定方法

通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃－陶瓷动态疲劳（恒应力速率）试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析，发现这种现象与材料的阻力特性（Ｒ－ｃｕｒｖｅ）密切相关。确立的σ_ｆ－σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_ｆ－σ在双对数坐标下为负斜率直线，直线斜率为（ｍ为阻力曲线ＫＲ＝ｋ（△ａ）~ｍ的指数），断裂主要由材料阻力行为控制；低应力速率区，σ_ｆ－σ在双对数坐标下为正斜率直线，直线斜率为　（ｎ为应力腐蚀指数），断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法，分别用这种方法及压痕／弯曲方法对一种可切削玻璃－陶瓷的阻力特性进行了实验测定，两种方法所得结果有很好的一致性。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

纳米硅薄膜界面结构的微观特征

对使用等离子体增强化学汽相沉积法（ＰＥＣＶＤ）制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ），使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象．首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况．使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的．