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81.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
82.
Anthraquinone [1, 2-C] methylisoxazole is synthesized from 2-ethylanthraquinone through nitration and treating with oleum. The different methods of 2-ethylanthraquinone nitrated were discussed. The optimum conditions were determined. The structure of the product was confirmed by MS and 1H NMR. 相似文献
83.
The 1,3-specific lipase-catalyzed interesterified fats were distinguished from chemically catalyzed products by the fatty
acids in the 2-position. The fatty acid contents in the 2-position of the 1,3-lipase-catalyzed and the original triglycerides
were similar but different from that of chemically interesterified fat. Also, the saturated-to-unsaturated fatty acid ratio
in the 2-monoglycerides was lower for the 1,3-specific lipase-catalyzed interesterified fats than for the corresponding chemical
products. 相似文献
84.
Solid-liquid phase equilibria of the benzene + 2-methyl-2-propanol system have been investigated at temperatures from 278 to 323 K and pressures up to 300 MPa using a high-pressure optical vessel. The uncertainties of the measurements of temperature, pressure and composition are within ±0.1 K, ±0.5 MPa, and ±0.001 mole fraction, respectively. The freezing pressure at a constant composition increases monotonously with pressure. The eutectic point shifts to a higher temperature and benzene-rich composition with increasing pressure. In order to describe the pressure-temperature-composition relation of high-pressure solid-liquid phase equilibria, a new simple equation has been proposed as follows:
相似文献
85.
86.
研究了一种制造低电电压氧化锌压敏电阻器的方法。在基本成分的基础上适当加入二氧化钛可降低梯度电压(V1mA/mm),适量掺硼和改进热处理工艺可减小元件的漏电流和提高其稳定性。 相似文献
87.
1 INTRODUCTIONTheorthorhombicalloysareofgreattech nolog icalinterestinhightemperatureapplicationssincetheyhaveagoodbalanceamongst 相似文献
88.
用呋喃树脂石英砂工艺生产牵引电机换向器套筒出现变形、裂纹等铸造缺陷,是由石英砂相变膨胀引起,后用高铬刚玉砂代替石英砂得到解决. 相似文献
89.
Highly conductive transparent aluminium-doped ZnO (ZnO:A1) films were successfully deposited by CW-CO2 laser-induced evaporation. Optimisation of evaporation parameters was based on laser power, substrate temperature, O2 partial pressure in the vacuum chamber and amount of Al in the ZnO source pellet. ZnO:A1 films with an electrical resistivity as low as 6.6 × 10−2Ω·cm and an optical transmission of 80% at 500nm were obtained at laser power of 15 W, substrate temperature of about 200°C, O2 partial pressure of 6—7 × 10−4 Torr and 5wt.% Al. Conductivity of ZnO films can be increased one order via Al-doping in ZnO films. The films obtained by laser-induced evaporation have compared quite favorably with the high quality films obtained by sputtering. 相似文献
90.
针对铝电解原材料中AlF3与Al2O3自动配料不准和难于观察及控制的现象,我厂开发应用了AlF3贮仓料位计,并与微机网络相连,实现了远程测量与在线监控,使AlF3配料更准确更均匀,电解质分子比更稳定,电解槽生产低耗高效。 相似文献
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