半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究

本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.     

一种高铜铝合金板侵彻后的显微组织分析

采用53式7．62 mm穿燃弹斜入射一种高铜铝合金板,弹速为818 m/s。利用光学显微镜和扫描电镜观察铝板侵彻后的弹坑微观组织。结果表明:弹靶接触表面有熔化物,成分为靶材与弹丸的混合物;在侵彻的不同深度,弹坑微观组织呈现不同的特征,入口处晶粒被拉长,中间处的晶粒发生剧烈扭折,局部出现绝热剪切带,底部观察到形变显微带以及异常长大晶粒;靶板主要发生塑性扩孔型破坏。     

绝热剪切带内微孔洞演化规律研究

为深入了解绝热剪切带内微孔洞的演化规律,进而揭示高应变率加载条件下绝热剪切破坏的特殊规律,本文对D35钢进行了约束爆破实验,爆破后回收圆筒的微观观察表明,绝热剪切破坏要经过绝热剪切带内微孔洞形核、长大和相互联接形成裂纹等一系列演化过程.在Guduru P等人的测试结果和Li Shaofan等人数值仿真结果基础上,通过简化(剪切带内的温度分布为由剪切带中心向边缘线性降低,并最终降至与基体温度相同; 微孔洞的形核、长大受温度控制,长大速度随温度呈指数规律降低)对Timothy S P和Hutchings I M的模型进行了修正,修正后的模型可以定量的描述绝热剪切带内微孔洞的演化直至破坏的全过程,模型的描述与微观分析获得的实验结果有较好的一致性.     

经由受激拉曼绝热过程高效产生太赫兹

论证了在三能级系统中经由受激拉曼绝热过程产生太赫兹,分析了基本模型和泵浦激光与太赫兹产生相干的三能级的理论,并应用在横向激励二氧化碳激光光学泵浦重水分子中,可以产生波长为385 μm的太赫兹辐射.产生的太赫兹脉冲功率表现为蒸汽压的函数,并得到了最高太赫兹功率.该技术提供了一种鲁棒性非常好的产生太赫兹的方法.     

鱼雷发射装置实现同舷信息通道组织研究

鱼雷连射可以对大型目标及舰艇编队实现重创打击,组织2条信息通道进行射前准备已不适应现代潜艇的作战需要。本文针对潜艇发射装置及控制系统的现实条件及作战系统不能同舷进行信息组织的问题,提出了改进因系统或装置故障而不能连续射击的方法,并对其发射模拟和注意事项作了说明。潜艇模拟水放试验证明,该改进方法是可行的。     

非关联双模场对Kerr介质中电子绝热跃迁转移现象的影响

本文研究了充满Kerr介质的高Q腔中非关联双模相干态场与级联三能级原子非共振相互作用情况下,电子的绝热跃迁转移现象与非关联场之间的关系。数值计算显示:级联三能级原子在与非关联双模相干态的相互作用下,该现象依然存在,但呈现不同于原子与关联场相互作用的新特征。     

30CrMnSiA绝热剪切带显微观察与分析

采用分离式霍普金森装置对30CrMnSiA的片式帽型试样进行动态剪切,利用光学显微、扫描电镜、透射电镜、显微硬度等金相分析方法对材料绝热剪切带的微观结构演化过程进行分析。研究发现,随着加载应变率的增大,剪切带发生由形变带到转变带的变化趋势,转变带呈"白亮"色,带内由尺寸约为50 nm的低位错、等轴晶粒组成,这是典型的再结晶晶粒特征。转变带形成过程可分为剪切变形、晶粒细化、晶粒断裂旋转、动态再结晶4个阶段。     

控制增益和平均滞留时间约束下的待机控制优化问题研究

基于已有的以随机穿越量稳态方差表示的平均待机时间和平均滞留时间数学关系式,给出了以控制增益为变量的平均待机时间和平均滞留时间解析函数表达式;采用优化方法直接求解带有控制增益和平均滞留时间约束的平均待机时间优化控制问题;利用一个例子对该优化方法求解的过程进行了说明。结果表明本文提出的方法为待机控制系统的设计提供了一条有效的技术途径。     

频谱分析在缸内压力测试处理中的应用

针对气缸压力测试中的通道效应问题,提出一套频谱分析的方法,实际应用分析表明,该方法可实时确定通道效应的干扰频率,再通过适当的滤波及移相处理,能有效地去除通道效应的影响,获得比较准确、光顺的缸压曲线。     

双流道转轮水力透平机的全流道数值模拟

依据给定的参数,对水力透平机进行模型设计。采用FLUENT软件对所设计的水力透平机进行了全流道三维定常湍流数值模拟,计算以雷诺时均N-S方程为基础,基于贴体坐标和交错网格划分,对控制方程进行变换和离散。采用SIMPLEC算法实现速度、压力变量的分离求解。定常湍流计算采用了标准k-ε湍流模型。模拟计算获得了水力透平各过流部件内部的流动机理,该数值计算方法和结果对水力透平机的水力优化设计具有重要意义。