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21.
本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性. 相似文献
22.
一种高铜铝合金板侵彻后的显微组织分析 总被引:2,自引:0,他引:2
采用53式7.62 mm穿燃弹斜入射一种高铜铝合金板,弹速为818 m/s。利用光学显微镜和扫描电镜观察铝板侵彻后的弹坑微观组织。结果表明:弹靶接触表面有熔化物,成分为靶材与弹丸的混合物;在侵彻的不同深度,弹坑微观组织呈现不同的特征,入口处晶粒被拉长,中间处的晶粒发生剧烈扭折,局部出现绝热剪切带,底部观察到形变显微带以及异常长大晶粒;靶板主要发生塑性扩孔型破坏。 相似文献
23.
绝热剪切带内微孔洞演化规律研究 总被引:2,自引:1,他引:2
为深入了解绝热剪切带内微孔洞的演化规律,进而揭示高应变率加载条件下绝热剪切破坏的特殊规律,本文对D35钢进行了约束爆破实验,爆破后回收圆筒的微观观察表明,绝热剪切破坏要经过绝热剪切带内微孔洞形核、长大和相互联接形成裂纹等一系列演化过程.在Guduru P等人的测试结果和Li Shaofan等人数值仿真结果基础上,通过简化(剪切带内的温度分布为由剪切带中心向边缘线性降低,并最终降至与基体温度相同; 微孔洞的形核、长大受温度控制,长大速度随温度呈指数规律降低)对Timothy S P和Hutchings I M的模型进行了修正,修正后的模型可以定量的描述绝热剪切带内微孔洞的演化直至破坏的全过程,模型的描述与微观分析获得的实验结果有较好的一致性. 相似文献
24.
论证了在三能级系统中经由受激拉曼绝热过程产生太赫兹,分析了基本模型和泵浦激光与太赫兹产生相干的三能级的理论,并应用在横向激励二氧化碳激光光学泵浦重水分子中,可以产生波长为385 μm的太赫兹辐射.产生的太赫兹脉冲功率表现为蒸汽压的函数,并得到了最高太赫兹功率.该技术提供了一种鲁棒性非常好的产生太赫兹的方法. 相似文献
25.
26.
27.
30CrMnSiA绝热剪切带显微观察与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分离式霍普金森装置对30CrMnSiA的片式帽型试样进行动态剪切,利用光学显微、扫描电镜、透射电镜、显微硬度等金相分析方法对材料绝热剪切带的微观结构演化过程进行分析。研究发现,随着加载应变率的增大,剪切带发生由形变带到转变带的变化趋势,转变带呈"白亮"色,带内由尺寸约为50 nm的低位错、等轴晶粒组成,这是典型的再结晶晶粒特征。转变带形成过程可分为剪切变形、晶粒细化、晶粒断裂旋转、动态再结晶4个阶段。 相似文献
28.
基于已有的以随机穿越量稳态方差表示的平均待机时间和平均滞留时间数学关系式,给出了以控制增益为变量的平均待机时间和平均滞留时间解析函数表达式;采用优化方法直接求解带有控制增益和平均滞留时间约束的平均待机时间优化控制问题;利用一个例子对该优化方法求解的过程进行了说明。结果表明本文提出的方法为待机控制系统的设计提供了一条有效的技术途径。 相似文献
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30.