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161.
用传输矩阵法模拟计算了AlGaInP发光二极管(LED)不同表面结构的光学特性,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或磁控溅射掺铟氧化锡(ITO)设备,在带有DBR结构的外延衬底上制备出具有不同表面层结构的LED.通过实验结果对比表明,表面生长λ/4n SiON加λ2n ITO增透膜结构复合增透膜的LED,器件光学性能提高最佳,在20 mA注入电流下,光强和光通量分别达到141.7 mcd和0.4733 lm.比同样结构的无增透膜LED轴向光强和光通量分别提高138%和91%.  相似文献   
162.
Surface plasmon enhanced antireflection coatings for GaAs solar cells have been designed theoretically.The reflectance of double-layer antireflection coatings(ARCs) with different suspensions of Ag particles is calcu-lated as a function of the wavelength according to the optical interference matrix and the Mie theory.The mean dielectric concept was adopted in the simulations.A significant reduction of reflectance in the spectral region from 300 to 400 nm was found to be beneficial for the design of ARCs.A new SiO2/Ag-ZnS double-layer coating with better antireflection ability can be achieved if the particle volume fraction in ZnS is 1%-2%.  相似文献   
163.
利用直流磁控溅射方法,在石英基底上制备了可用于太赫兹电磁波频率范围内的宽带抗反射涂层的掺铝氧化锌导电薄膜。在太赫兹时域光谱频率0.1~1.0THz范围内研究不同厚度的氧化锌薄膜的介电响应,得到了与频率相关的电导率、吸收和薄膜折射率,着重研究了膜厚对太赫兹波传输特性的调制作用。实验结果很好地符合了经典的Drude模型,表明可以通过控制氧化锌薄膜的厚度来改变太赫兹波的传输特性,并且导电氧化锌薄膜能够作为太赫兹频段范围的宽带抗反射涂层应用于衬底和光学器件上。  相似文献   
164.
Subwavelength nanostructure arrays on surfaces improve their optical transmittance by reducing the reflection of light over a wide range of wavelengths and angles of incidence. A method to imprint a sub‐100 nm nanostructure array on a large surface (Ø 20 mm) made from thermoplastic materials is reported. Transmittance through the flat polymer is improved by ≈6.5%, reaching values of up to 97.5%, after imprinting. The optical properties of the nanostructured samples are highly reproducible. After eight repeated imprinting operations with the same stamp, the transmittance of the nanostructured surface is decreased by less than 0.2%. Moreover, the nanostructures can also be imprinted on curved polymethylmethacrylate surfaces, achieving a maximum transmittance of 97%. This method to prepare large‐scale antireflective nanostructures on flat and flexible curved polymer surfaces is of interest for the production of antireflective screens, optical devices, and biomedical devices such as contact lenses and intraocular lenses.

  相似文献   

165.
探究了多晶硅太阳电池表面双层氮化硅减反、钝化结构的产线工艺.示范性实验结果表明,直接与多晶硅接触的底层氮化硅的厚度是双层氮化硅减反、钝化能力的一个关键因素.相对于单层氮化硅减反、钝化的多晶硅太阳电池,厚度优化的双层氮化硅减反、钝化电池片的短路电流和开路电压均有所改善,相应的光电转换效率提升超过0.2%.光电转换效率的提升归因于双层氮化硅减反、钝化结构有利于降低光损失和表面钝化.  相似文献   
166.
为提高柔性基底太阳能电池光电转化效率,减少表面反射损失,用Tracepro光学仿真软件模拟设计亚波长结构减反射膜尺寸参数,仿真结果表明亚波长结构薄膜在纳米柱高度72 nm,占空比为0.5,光栅周期在300~440 nm处,光通量增强效果最佳.采用纳米压印技术,以多孔结构阳极氧化铝为模板,制作聚酰亚胺基底减反射膜.采用扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计研究了阳极氧化技术所制作的Al2O3模板及其纳米压印技术等工艺参数对PI薄膜透过率的影响.测试结果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒压模式连续反应1 h条件下制备AAO模板,在280℃,800 kg压力条件下,热压印时间为10 min所得PI膜.在AM1.5大气质量条件下,UV-VIS透射光谱从440~1 000 nm区域,所制作的薄膜较原始PI膜的透过率提高2%~5%.  相似文献   
167.
高亚明  杨文  张连军 《中州煤炭》2016,(6):33-35,39
针对新维煤矿的地质条件,提出了高压水力割缝提高石门揭煤过程中瓦斯抽放量的方法,设计了水力割缝技术施工方案,并进行了卸压增透效果的跟踪考察。研究结果表明,在新维煤矿设计的水力割缝钻孔位置合理,措施实施后直接扰动煤体直径提高9倍以上,直接扰动煤体体积提高68倍以上,显著减少措施工程量且钻孔的瓦斯总平均单孔纯流量达到13.7 L/min,有效扩大了煤体的卸压区域,提高了煤体中瓦斯的渗流,大大降低了石门揭煤过程中的突出危险性。  相似文献   
168.
SLA端面增透膜设计的理论分析与计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
鲁乙喜  王健华  周丹 《半导体光电》2000,21(2):143-146,149
文章推导了多层平板波导结构的半导体激光放大器 (SLA)端面反射率的计算方法 ,为优化设计SLA端面增透膜参数提供了工具。对InGaAs/InGaAlAs多量子阱SLA端面增透膜参数进行了优化设计 ,并给出优化结果。  相似文献   
169.
阐述了利用Rugate膜系理论设计宽角度减反射薄膜的方法,从理论上分析了在宽角度的情况下,偏振产生透过率不同的原因,模拟设计了光谱区在1500-1600nm波段,入射角从0度到80度宽角度减反射薄膜,探索出了一条新型膜系设计的途径,其优化结果是较为理想的.这一研究方法如能在太阳能、光纤通信、航天、激光等领域应用,将大大地提高光能的利用率,具有重要的应用价值.  相似文献   
170.
ZnSe窗口10.6 μm红外增透膜的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
设计了ZnSe材料为基底10.6μm红外增透膜。低折射率膜材为BaF2,高折射率膜材为ZnS,计算出它们各自的光学厚度。对ZnSe零件镀膜后的透过率和牢固性等性能测试表明,其光学性能和牢固性皆优。  相似文献   
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