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H. Konishi 《Electrochimica acta》2003,48(5):563-568
Electrochemical implantation was performed at Ni electrodes to form DyNi2 films at 0.55 V (vs. Li+/Li), 0.62 V, and 0.70 V for 0.5-5.0 h in a molten LiCl-KCl-DyCl3 (0.50 mol%) system at 700 K. It was found that the DyNi2 films grew linearly with time with coulomb efficiency of about 100%. The obtained growth rates were higher at more negative potentials, i.e., 0.47 μm min−1 at 0.55 V, 0.32 μm min−1 at 0.62 V, and 0.14 μm min−1 at 0.70 V. On the analogy of the metal oxide growth, the observed rapid and linear growth of DyNi2 films may be explained by the existence of the outer and inner DyNi2 layers. 相似文献
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介绍了基于广义预测控制的模型预测控制(MPC)系统仿真软件的开发与实现过程。该软件包含了MAC,IMAC,DMC,DDMC和GPC五种预测控制算法,可以用不同的方法实现对预测控制系统的综合性仿真以及控制器参数的调整。利用该软件可对模型预测控制系统的作用机理做进一步仿真分析,并有助于定性分析各种算法中设计参数对系统性能的影响以及不同算法之间的区别。 相似文献
114.
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Kenji Nomura Hiromichi OhtaKazushige Ueda Toshio Kamiya Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):322-326
We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO3(ZnO)m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 105. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm2 (V s)−1 as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds. 相似文献
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基于对中国27个润滑脂生产厂的调查统计结果,综述了1992~2001年10年间中国润滑脂产量、生产规模、品种结构及包装形式的发展变化情况,展望了今后的发展趋势。 相似文献