简化源项计算方法

利用程序包STCP估算核电厂在发生严重事故情况下释放到环境的放射性源项需要耗费大量计算机时间和费用。所以,对所有感兴趣的事故情景完成源项程序包的计算实际上是不可能的。为此,发展了一个简化源项计算方法。它的基本思想如下:首先利用STCP计算几个选择的序列,然后根据放射性释放和事故进程的特点处理和分析由STCP计算得到的结果,得出一些特定参数,其它事故序列的源项能够通过这些参数的重新组合得到。     

电子型／离子型导电高分子共混物

用苯胺在酸性水溶液中的进行化学氧化聚合合成了能溶于Ｎ－甲基吡咯烷酮的高分子量聚苯胺（ＰＡｎ），并用这种ＰＡｎ与一种高分子固态离子导体－－聚乙二醇聚醚氨酯脲（ＰＥＵＵ）和ＬｉＣｌＯ４的复合物（ＰＥＵＵ－ＬｉＣｌＯ４）进行溶液共混制得了具有电子型／离子型两种导电功能的新型高分子共混物。用差示扫描量热法、动态粘弹仪、应力－应变试验、四探针法和交流阻抗谱对这种高分子共混物进行研究。实验结果表明，上述ＰＡｎ     

国内流延树脂薄膜的生产

综述了国内生产流延树脂薄膜的现状,着重介绍了流延膜的生产工艺、引进生产设备的情况、流延膜的种类及用途。     

超声波对化学镀Ni－Cr－P非晶态薄膜的金刚石性能的影响

研究了超声波对化学镀Ｎｉ－Ｃｒ－Ｐ非晶态薄膜的金刚石性能的影响。结果表明，超声波可使金刚石表面非晶态薄膜更加均匀和致密，从而提高了抗压强度，氧化温度和晶化后的强度。随超声波频率的增加，金刚石性能有增加的趋势。     

氧化铝丝的研制

氧化铅丝生产过程中最关键的工艺是连续阳极氧化。氧化膜击穿电压决定于氧化膜厚度。控制膜厚度的三要素为:电解液(成份、浓度及温度),槽电压和铝丝走速。     

非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测

本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。     

精轧油膜轴承密封失效机理的初步分析

对油膜轴承密封出现的进水、漏油现象作了大量的调查、测量和统计分析，找出了产生质量事故的根本原因，提出了解决措施。     

Measurement of the thermal diffusivity of thin films on substrate by the photoacoustic method

Measurements of the thermal diffusivity of thin films on substrate have been performed by the photoacoustic method. In order to examine the method we have built a new apparatus and proposed (1) a system calibration procedure using optically and thermally thick reference samples and (2) a data analysis procedure based on the RG (Rosencwaig and Gersho) theory. As a result of using a transparent photoacoustic cell, the systematic errors which are caused by stray light have been reduced. With this apparatus, measurements have been performed on platinum, titanium, and stainless steel (SUS304) thin foils (thickness form 50 to 100 µm) with three different liquid backing materials (water, glycerol, and ethyl alcohol). The reproducibility was within ±7% regardless of film thickness and substrate materials.     

磁控溅射WO3薄膜特性研究

用磁控溅射法制成WO3薄膜,通过改变成膜的溅射参数来改变WO3薄膜的性能.利用XRD分析了样品的粒径大小,研究了成膜工艺参数对气敏元件性能的影响.结果表明,薄膜中WO3晶粒的平均尺寸为17 nm,该传感器对NOx气体有非常好的灵敏度和选择性,对体积分数为1×10-5的NOx气体灵敏度高于50倍,而对其他干扰气体的灵敏度小于2倍.     

薄膜磁头磁轭制备工艺研究

本文重点讨论了用不同的工艺方法来制备薄膜磁头中的关键元件-磁轭。采用多次光刻的方法克服湿法工艺中磁性膜NiFe层的侧向钻蚀问题，从而实现对磁轭几何尺寸的精确控制，并对几种工艺方法的优缺点作了比较详细的分析。