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961.
为了制备出具有优良摩擦性能的氮化铬薄膜,采用了状态空间模型预测控制对氮气流量进行连续稳定控制。本文运用了靶电压控制法对氮气流量进行快速反馈控制,通过反应磁控溅射实验收集氮气流量与靶电压的迟滞效应数据,使用系统辨识法得到被控对象的数学模型,利用状态空间模型预测算法进行控制,并与PID控制对比研究。仿真结果表明状态空间模型预测控制的调节时间比PID控制快16 s,阶跃扰动比PID控制小七倍,模型预测控制具有更好的控制效果。在实验中应用状态空间模型预测控制氮气流量,制备的氮化铬薄膜进行摩擦系数的测试为0.7,实验达到预期效果。 相似文献
962.
柔性、透明的高阻隔性薄膜在有机太阳能薄膜电池、柔性有机发光二极管、电子纸和真空绝热板等领域都有需求。采用对电极辊结构的等离子体增强化学气相沉积方法,卷对卷的方式在聚酯(PET)基膜上,以硅醚(HMDSO)为单体,氧气(O2)为反应气体,制备了柔性硅氧烷(SiOxCyHz)薄膜。研究了膜厚,氧气/单体比例、压力等参数对透水率(WVTR)的影响规律、测试了膜层的组分、透射光谱、应力等特性。研究结果表明,透水率随硅氧烷薄膜厚度增大而减小,随氧气/单体比例增大而减小,随压力减小而增大。500 nm厚的硅氧烷薄膜透水率低于5×10-3g/(m2·day),可见光谱段(380-760 nm)透光率达到88.6%,表面粗糙度为1.8 nm,薄膜应力随薄膜厚度增加显著增大。 相似文献
963.
964.
金属外壳引线键合可靠性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式的优势,在连接方式中占主导地位。其中把内部电路与金属外壳内引线柱之间的连接称为引线键合,目前90%以上的封装管脚采用引线键合连接。引线键合强度和可靠性不仅与键合工艺有关(比如键合工艺参数、键合设备、操作技能等因素),而且与外壳引线的镀覆结构、镀层厚度、内引线柱高度等因素密切相关。文章简要介绍了引线键合工艺的基本原理,通过试验分析并比较了金属外壳镀覆结构、镀层厚度、内引线柱高度对键合可靠性的影响,提出了优化键合可靠性的外壳设计原则。 相似文献
965.
溢料问题是集成电路封装过程中常见的质量问题,如何减少溢料的发生和去除溢料方法是封装工程师、电镀工程师以及材料生产商和模具制造商共同探讨的课题。文章详细阐述了集成电路封装过程中常见的溢料发生机理,描述了溢料对组装的危害、如何防止溢料的发生以及溢料去除方法,并且对溢料去除方法的未来发展进行了展望。文中对溢料的发生机理方面进行了细致的研究,从材料、设备以及工艺方法等方面进行深入的解析,提出了有效的改善措施。另外,对业内溢料去除的几种方法进行介绍的同时,强调了各种溢料去除方法的效果及对产品质量的影响,并进行了有效评估。文章对溢料发生和去除方法的探讨是建立在理论基础之上,运用最细致的解析手段进行剖析,更具有指导意义,为提高集成电路封装良率以及组装良率提供理论支持。 相似文献
966.
汽车电子技术不断发展,越来越多的新器件、新封装应用在汽车中,这对汽车用功率半导体器件与封装提出很大挑战。文章介绍了不同种类功率半导体器件的特点,具体分析了当前主要的汽车用功率器件的分类、结构、封装与可靠性,并给出这一领域的发展现状。期望通过本综述能为发展国内汽车用功率半导体器件提供更广阔的视野。 相似文献
967.
新型钽酸锂薄膜热释电系数测试研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用溶胶-凝胶法在导电的Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了一种1μm厚的新型钽酸锂薄膜;采用直流电压对新制备的薄膜进行了极化;选择了电荷积分法,设计了与钽酸锂薄膜阻抗匹配的测试电路,组建了新的水浴搅拌加热的热释电系数测试系统,完成了薄膜的热释电系数测试。测试结果表明,钽酸锂薄膜有较好的热释电特性,在6V、15min极化条件下,测得热释电系数为122.8μC/m^2K,测试精度为1.14%,说明新开发的测试系统对新材料热释电系数测试具有重要的实用价值。实验误差分析表明,采用适合的搅拌速度和加热功率、采用更高精度的温度传感器,设计完全匹配的测试电路,是进一步提高钽酸锂薄膜热释电系数测试精度的最有效途径。 相似文献
968.
功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。 相似文献
969.
970.