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121.
n-Al2O3/Ni复合镀层的组织与滑动磨损性能研究 总被引:24,自引:4,他引:20
用电刷镀技术制得了镍基n-Al2O3复合镀层,并对镀层的滑动磨损性能进行了试验研究。纳米复合镀层的表面形貌比较细腻,镀层中纳米粒子分布均匀,与基质金属结合紧密。镀层显微硬度达到HV700,比快速镍镀层提高约40%。滑动磨损试验结果表明,随着纳米粒子含量的增大,镀层的耐磨性提高,摩擦系数也呈增大趋势;但当镀层中n-Al2O3粒子的超过2.56%(质量分数)时,镀层的耐磨性显著下降。纳米复合镀层的磨损机制以疲劳磨损为主,而快速镍底层以粘着磨损为主。 相似文献
122.
123.
124.
N. F. Kuschevskaya A. E. Kushchevskii A. I. Oleshko 《Powder Metallurgy and Metal Ceramics》2006,45(3-4):202-206
The possibility of utilizing nanopowders of iron and Fe-Co-Ni produced bu a thermochemical method in the fabrication of sealing
composition materials is investigated. It is established that such hermetic sealing composition materials function reliably
under extremal conditions and guarantee elevated strength of adhesion to the surface of the metal and high corrosion and temperature
stability.
__________
Translated from Poroshkaya Metallurgiya, Nos. 3–4(448), pp. 112–117, March–April, 2006. 相似文献
125.
R. D. Dupuis J. C. Bean J. M. Brown A. T. Macrander R. C. Miller L. C. Hopkins 《Journal of Electronic Materials》1987,16(1):69-77
We report the results of studies which have been made on heteroepitaxial layers of GaAs and AlGaAs grown by metalorganic chemical
vapor deposition on composite substrates that consist of four different types of heteroepitaxial layered structures of Ge
and Ge-Si grown by molecular beam epitaxy on (100)-oriented Si substrates. It is found that of the four structures studied,
the preferred composite substrate is a single layer of Ge ∼1 μm thick grown directly on a Si buffer layer. The double-crystal
X-ray rocking curves of 2 μm thick GaAs films grown on such substrates have FWHM values as small as 168 arc sec. Transmission
electron micrographs of these Ge/Si composite substrates has shown that the number of dislocations in the Ge heteroepitaxial
layer can be greatly reduced by an anneal at about 750° C for 30 min which is simultaneously carried out during the growth
of the GaAs layer. The quality of the GaAs layers grown on these composite substrates can be greatly improved by the use of
a five-period GaAs-GaAsP strained-layer superlattice (SLS). Using the results of these studies, low-threshold optically pumped
AlGaAs-GaAs DH laser structures have been grown by MOCVD on MBE Ge/Si composite substrates. 相似文献
126.
为了控制熔融铝合金直接氧化法制备Al2O3/Al复合材料的氧化生长,采用ZnO,SiO2和MgO3种表面引发剂,研究它们对Al-Si-Zn合金氧化生长过程及Al2O3/Al复合材料组织形貌的影响.结果表明:与未使用引发剂时相比,使用SiO2,ZnO或MgO表面引发剂制备的粉末都能显著地缩短Al-Si-Zn合金的氧化生长孕育期,提高合金氧化生长速率,改善复合材料的胞状生长方式,提高复合材料的组织均匀度和致密度,为实际生产应用提供了依据.实验发现:ZnO表面引发剂的使用效果最为突出,其最佳添加量为12mg/cm2. 相似文献
127.
高文义 《有色金属材料与工程》2006,27(2):27-31
碳化硅砖和碳化硅砖与普通碳砖复合侧块,在上世纪末期我国铝电解槽上开始推广应用。使用后各厂家普遍发现碳化硅砖及碳化硅砖与普通碳块复合侧块均出现不同程度的断裂、上抬和脱落现象,该文对断裂、上抬和脱落原因进行了分析,并提出了改进措施。 相似文献
128.
为了考察MoSi2/SiC防氧化涂层体系在动态氧化环境下的防护能力,对碳/碳复合材料MoSi2/SiC涂层试样在1100~1500℃下进行了高温燃气高质流冲刷环境下的氧化试验。结果表明,在1100~1500℃的燃气动态环境下,具有稳定的氧化失重速率,氧化失重曲线近似呈直线关系,氧化失重和氧化失重速率均随着氧化温度的升高而降低,表现出该涂层抗高质流冲刷和氧化的能力随温度的升高而提高,在该温度区间内,随着温度的升高,具有更优异的抗氧化和抗高质流冲刷的能力。 相似文献
129.
Woodceramics Prepared from Wood Powder/Phenolated Wood Composite 总被引:2,自引:0,他引:2
B.Y. Zhao T. Hirose T. Okabe D. Zhang T.X. Fan K.A. Hu 《Journal of Porous Materials》2002,9(3):195-201
In this paper, composites were made from wood powder and its phenolated product, and then were carbonized into woodceramics. The effects of the content of the phenolated wood in the composites on the forming ability, size, density, compressive strength, volume electrical resistivity, and specific surface area of the woodceramics were investigated. It is suggested that in the preparation of woodceramics, phenolic resin can possibly be substituted totally by phenolated wood that is the main constituent of liquefied wood. 相似文献
130.