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71.
采用RF磁控溅射方法制备了Ag-MgF2复合薄膜.通过XRD测量,发现当退火温度在300~500℃时,Ag以晶态形式镶嵌在非晶态介质中;当退火温度低于300℃时候,Ag以非晶态形式存在.在分层镀Ag和MgF2薄膜后,经过热处理使Ag颗粒扩散在MgF2介质中,通过AFM观察,对复合薄膜形貌进行了分析:如果先镀MgF2薄膜,再镀Ag薄膜,发现Ag颗粒主要分布在薄膜的表面,并且富集形成较大的颗粒,表现出块体Ag的吸收特性.而先镀Ag薄膜,然后再镀MgF2薄膜,经过热处理,可以形成Ag颗粒均匀镶嵌在介质中形成的复合薄膜.同时对样品的吸收特性也进行了研究. 相似文献
72.
采用原位乳液聚合方法制备了基于共价键结合的P(MMA-AN)/TiO2复合粒子,红外光谱和热失重分析结果表明P(MMA-AN)在TiO2表面接枝率为15.9%。以甲基橙溶液为目标污染物,研究了P(MMA-AN)/TiO2复合粒子和TiO2对甲基橙的吸附和光催化降解甲基橙溶液的性能,结果表明:两种粒子对甲基橙的吸附都很少;在相同时间内,P(MMA-AN)/TiO2复合粒子对甲基橙溶液的降解性能优于TiO2,紫外光照180 min后,P(MMA-AN)/TiO2复合粒子对甲基橙溶液的降解率达到了88%,而TiO2仅为74%。 相似文献
73.
74.
为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善了IGBT主结电流丝分布,将一部分电流路径改为纵向流动,改变了碰撞电离路径,在提高主结电势的同时也提高器件终端结构的可靠性;带介质槽的场限环结构进一步缩短了终端长度,其横纵耗尽比为3.79,较传统设计的场限环结构横纵耗尽比减少了1.48%,硅片利用率提高,进而减小芯片面积,节约制造成本。此方法在场限环终端设计中非常有效。 相似文献
75.
食用油碟式分离机碟片的渗氮激光相变硬化复合处理研究 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了食用油碟式分离机碟片的常规表面处理方法,提出了渗氮激光相变硬化复合处理技术,通过硬度实验、耐磨性实验、抗腐蚀性实验及残余应力分布曲线,对实验结果进行了较深入的分析,得出渗氮激光相变硬化复合处理技术可提高4C r13钢碟片抗腐蚀能力和抗疲劳性能的结论。 相似文献
76.
提出经向夹衬加强筋机织物的结构,介绍其形成原理及方法,并通过实验及讨论,提出双梭口织机引纬、打纬、送经和卷取机构的改造方案。该结构改善了纤维或纱线在织物及其复合材料中的空间分布形态,从而也能加强其物理机械性能,扩大应用领域。 相似文献
77.
为探究高应力情况下复合顶板的治理控制方式,以煤峪口矿8605工作面复合顶板巷道为工程背景,研究了高应力复合顶板的变形破坏机理,并确定采用“帮顶同治”的围岩控制策略.现场应用实践表明,8605工作面运输巷表面位移变化稳定时间长,锚杆索受力平稳,巷道完整性控制效果好,能够满足矿井生产技术需要. 相似文献
78.
本文利用电子背散射衍射(EBSD)技术,研究了高温热暴露对SiC纤维增强Ti-6A1—4V复合材料基体织构的影响。结果表明,相对于制备态复合材料较为集中的晶粒取向,900℃10h热暴露后的复合材料其晶粒生长的方向既有基面方向,又有棱面方向,同时还存在锥面方向。随着热暴露时间的延长,900℃75h热暴露的复合材料基面方向的生长方式与900℃10h热暴露的复合材料情况恰好相反。另外,无论是基面方向还是棱面方向,随着热暴露时间的延长,晶粒生长的取向均有向单一取向演化的趋势,且锥面方向上的生长会逐渐消失。 相似文献
79.
复合材料网格结构由于内部结构复杂 , 在有限元分析中难以建立实际模型 , 需要对结构采用均匀化方法进行弹性常数等效。本文中根据结构的最小势能原理和有限元法基本思想 , 对结构的弹性力学基本方程进行了推导 , 使用有限单元法中的位移场 , 根据应变能相等的原则 , 得出了求解等效弹性矩阵的一种比较通用的方法 ;根据动能相等的原则 , 得出了等效质量的求解公式。采用有限元方法 , 对胞元进行了拉伸和剪切载荷下的细观力学分析 , 将分析结果代入到推导的公式 , 求出了复合材料网格结构的等效特性参数 ; 使用求得的等效模型对结构进行了宏观仿真 , 并与实际模型仿真结果进行对比。研究结果表明 , 该等效方法具有较好的精度 , 能够满足工程的需要 , 可用于各类大型结构的分析。 相似文献
80.