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41.
Influence of Ni Interlayers on the Mechanical Properties of Ti6Al4V/(WC-Co) Friction Welds 总被引:2,自引:0,他引:2
M. Shamanian M. Salehi A. Saatchi T. H. North 《Materials and Manufacturing Processes》2003,18(4):581-598
Ni interlayers were introduced prior to dissimilar friction welding of Ti6Al4V base material to three cemented carbide substrates. The fracture strength of Ti6Al4V/(WC-6 wt% Co) welds were poor and were markedly improved when 20-µm thick Ni interlayers were introduced prior to dissimilar friction welding. These results were only produced when the (WC-6 wt% Co) cermet was electroplated prior to friction welding. When the Ti6Al4V alloy was electroplated prior to friction welding, fractured WC particles and cracking were observed in the (WC-Co) carbide substrate. The fracture strengths of Ti6Al4V/(WC-11 wt% Co) and Ti6Al4V/(WC-24 wt% Co) welds were not improved when 20-µm thick Ni interlayers were introduced prior to friction welding. During mechanical testing, the Ni layer retained at the dissimilar joint interface created a region of weakness. 相似文献
42.
双自由度后坐保险机构的计算机动态仿真 总被引:5,自引:2,他引:3
在Workin Model 3D软件上对引信的双自由度后坐保险机构进行了有关计算机仿真计算,并结合具体实例进行了优化设计。 相似文献
43.
Takuma Suzuki Hang-Ju Ko Agus Setiawan Jung-Jin Kim Koh Saitoh Masami Terauchi Takafumi Yao 《Materials Science in Semiconductor Processing》2003,6(5-6):519-521
We report the successful growth of Ga-polar GaN epilayers on O-polar ZnO templates pre-deposited on c-sapphire. Prior to GaN growth, NH3 is exposed onto the ZnO template. The polarity of the GaN layers is confirmed by etching of the surface and by conversion beam electron diffraction (CBED), while the O-polar ZnO is confirmed by CBED. It is suggested that the NH3 pre-exposure helps form a Zn3N2 layer, which possesses inversion symmetry and inverts the crystal from anion polar to cation polar. 相似文献
44.
针对TPS/TDC30 0 0系统串口通讯方式、机理进行了一般性的介绍 ,对规划与应用中常见的的问题 ,根据实际工程应用经验提出了解决方案。 相似文献
45.
O.V. TretyakV.A. Skryshevsky V.A. VikulovYu.V. Boyko V.M. Zinchuk 《Thin solid films》2003,445(1):144-150
The character of electronic states in porous silicon (PS)-Si, Pd-PS interfaces, and/or PS bulk at the formation of the metal-PS-silicon heterostructure was studied. The energy parameters were estimated using the deep-level transient spectroscopy and capacitance-voltage characteristics at the accounting of the voltage drop distribution along the structure. The analytical expression for voltage drop distribution along dielectric layer, porous layer and space charge region in silicon was obtained by solving the equation for continuity of the electrostatic induction vector. The electronic states studied were shown to manifest the quasi-continuous sub-band in the energy gap if the porous layer was 30-nm thick. Their density increased, as the energy position was being transformed to a deeper energy level of Ev+0.81 eV at the PS layer growing to 90 nm wide. 相似文献
46.
网络虚接口对特殊数据包的处理起着很大的作用。文章介绍了网络虚接口的概念,在对传统的网络接口比较分析的基础上,设计和实现了一个基于量Linux的用于对发送数据包的内容进行特殊处理的网络虚接口。 相似文献
47.
基于闭路电视网络的计算机远程控制 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种在闭路电视网络上利用DTMF变换技术和调频技术相结合来传输计算机串行控制编码信号的方法,并且将这种控制方法应用到计算机远程广播控制系统中。 相似文献
48.
生产装置在线模拟与优化技术的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
概述了以通用软件为基础开发化工生产装置严格在线模拟与优化系统的过程,介绍了在线模型的5个层次及其特点,以合成氨为例说明了在线模型的运行和应用情况。 相似文献
49.
50.
本文介绍了可在微机上实现大规模电信网践模拟的实用化软件SIMUNET,及基所采用的无时钟事件追踪法。该软件可用规划中的电信网络和实际网路的模拟及性能评价,也可用于不同流量控制算法的评价。文中给出一个评价实例。 相似文献