A low power and low phase-noise 91~96 GHz VCO in 90 nm CMOS

This paper reports a 94 GHz CMOS voltage-controlled oscillator (VCO) using both the negative capacitance (NC) technique and series-peaking output power and phase noise (PN) enhancement technique. NC is achieved by adding two variable LC networks to the source nodes of the active circuit of the VCO. NMOSFET varicaps are adopted as the required capacitors of the LC networks. In comparison with the conventional one, the proposed active circuit substantially decreases the input capacitance (C_in) to zero or even a negative value. This leads to operation (or oscillation) frequency (OF) increase and tuning range (TR) enhancement of the VCO. The VCO dissipates 8.3 mW at 1 V supply. The measured TR of the VCO is 91~96 GHz, close to the simulated (92.1~96.7 GHz) and the calculated one (92.2~98.2 GHz). In addition, at 1 MHz offset from 95.16 GHz, the VCO attains an excellent PN of – 98.3 dBc/Hz. This leads to a figure-of-merit (FOM) of ?188.5 dBc/Hz, a remarkable result for a V- or W-band CMOS VCO. The chip size of the VCO is 0.75 × 0.42 mm², i.e. 0.315 mm².     

大气折射率结构常数C2n高度分布统计特性分析

大气折射率结构常数C2n是表示大气光学湍流强度的一个重要参数,利用温度脉动探空仪对合肥地区大气折射率结构常数进行了长期连续的实地探空测量,对大量探空实验数据的统计分析得出合肥地区(0～25 km)折射率结构常数随高度的分布廓线,并对其进行统计矩和概率分布的分析,研究表明合肥地区大气湍流随高度分布基本符合对数正态分布,昼...     

恒流源LED触摸台灯的设计

LED（发光二极管）以高效、低耗、发光柔和见长。用它作照明是一个发展方向。LED的伏安特性决定了它最好采用恒流源供电；为方便操作、减小机械磨损、降低故障率采用触模式调光是一种不错的选择。为解决停电麻烦增加后备供电也是必要的，此时LED的低耗特性显示出巨大的优势。设计采用特殊的恒流电路、电源管理电路和触摸防抖动电路使LED扬长避短，工作稳定可靠。     

基于不同醇的醇水法制备纳米CeO2的研究

在四种醇水体系中,以HMT为缓释沉淀剂制备了纳米CeO2粉体。研究了醇的种类、醇水比例及煅烧温度对纳米CeO2颗粒尺寸的影响;并用XRD,BET,TEM,TGA/DSC等表征方法对其影响机理进行了探讨。结果表明:溶剂从甲醇到异丙醇变化时,颗粒逐渐增大;异丙醇到正丁醇时,颗粒尺寸略有降低,且煅烧前颗粒尺寸均介于10~20nm之间。     

一种新型的漂移阶跃恢复二极管脉冲源设计

提出了一种基于漂移阶跃恢复二极管（DSRD）、结构简单的新型大功率脉冲源电路.论述了阶跃恢复二极管的快速开关特性,分析了该新型脉冲源电路的工作原理,并进行了实验测试.实验结果表明,脉冲源电路能够产生峰峰值为760 V、脉宽（10％-10％）8 ns的平衡输出脉冲信号,具有脉冲重频高、振铃小、波形质量高、无需高压供电等特点,适用于深层探测超宽带时域脉冲探地雷达系统.     

基于腔输入-输出过程的原子Bell态分析器和GHZ态分析器

如何能够在不破坏纠缠态且能将其辨认区分出来是量子信息处理过程中一个很重要的问题,方案首先利用相干光与腔-原子系统的输入-输出过程构造受控相移门,然后利用受控相移门和零差探测技术构造宇称分析器,最后利用宇称分析器和Hadamard等操作构造非破坏性的原子Bell态分析器和原子GHZ态分析器。方案的优势在于:（1）利用到相干光源和零差探测技术,比以往方案中的单光子源和单光子探测较易实现;（2）构造的原子Bell态分析器和原子GHZ态分析器是非破坏性的。方案用到的所有方法和技术在目前的实验上都是可以实现的。     

1064 nm波段泵浦掺铥光纤激光器的理论研究

文章对1064 nm波段泵浦掺铥光纤激光器进行理论分析,以获得到对实际研究有用的结论.先从理论分析计算了1064 nm泵浦掺铥光纤激光器的粒子速率方程和传输方程,并在传输方程中考虑了泵浦光和激光本征吸收影响.利用matlab软件理论模拟不同长度光纤的正反向泵浦光和激光在光纤中的分布.模拟讨论了输出功率与最佳光纤长度的关系,以及激光本征吸收系数和掺铥离子浓度对输出功率的影响.最佳光纤长度时的激光输出功率最高.考虑激光本征吸收是合理的,较小的本征吸收有较高的最大的输出功率.存在一个最佳的掺杂离子浓度使得输出功率最大.     

基于电流型控制的LED恒流源分析与设计

设计了一种输出功率约50W的LED恒流源驱动模块, 其负载为由多只LED管(每只功率为1W)采用混联方式组成的LED阵列。通过对其电流型反激式变换及恒流控制电路的设计与试制, 并在不同输入电压下, 改变负载测试, 可看出其电流变化规律基本相似。随着负载变小, 输出电压升高, 输出电流逐渐减小, 输出电流稳定度达4.6%。在一定负载时, 输出电压值保持在47.2V左右, 电压纹波峰-峰值约为400mV。电流波动约0.05A, 输出电流稳定可靠, 可用于对多只串并混联的LED阵列驱动供电。     

Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制

研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响.实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加.XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要原因.这主要是由于CMP工艺中,化学品溶液进入多孔的ULK薄膜.而退火工艺可以使得化学品挥发,从而使ULK薄膜表面C含量降低,由此介电常数k基本上得以恢复.初步建立了Cu CMP工艺对介电常数k影响的物理模型.根据模型计算的k结果为2.75,与实测值2.8基本符合.