SHAPE GENERALIZED ISOTHERMAL EFFECTIVENESS FACTOR FOR FIRST-ORDER KINETICS

A generalized effectiveness factor equation (Eq. (32)), in terms of modified Bessel functions, is derived for a catalyst pellet of arbitrary shape. The derivation is based on utilizing an appropriate one-dimensional approximation for the Laplacian in an arbitrary shaped body subjected to a uniform external concentration field. The comparison of the result with the available expressions for various geometries is highly satisfactory. It unifies the expressions for the three fundamental shapes, viz., infinite slab, infinite cylinder and sphere, and also compares very well with the exact solutions for finite shapes over the entire range of the Thiele modulus.     

环境影响及计算机设备可靠性

和所有设备一样，计算机设备也是在一定环境中工作的，各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能，必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程，分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等，以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外，各种环境因素对计算机设备的影响。     

Electrical and growth characteristics of Au/Al0.15Ga0.85N:Si structures with various Si incorporations

We have investigated the growth characteristics of n-Al_0.15Ga_0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al_0.15Ga_0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al_0.15Ga_0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH₄. However, many cracks are observed in the n-Al_0.15Ga_0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher.     

Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析，结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变，600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的，而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致，为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。     

分布式光纤喇曼放大技术及其在WDM系统中的应用

介绍了分布式光纤喇曼放大技术的原理、特点和应用 ,并从受此影响的 WDM传输系统的信噪比、噪声指数和品质因数三个方面讨论了光纤喇曼放大技术在提升光纤通信系统性能方面的重要作用。     

心理因素对分析数据的影响及预防措施

研究了分析人员的心理状态、情绪变化、内在动机等对分析数据的影响,提出了具体的对策和预防措施     

台北凹陷小草湖次凹油气成藏特点及有利区带

吐哈盆地小草湖次凹发育多套烃源岩，油源条件好，油气资源丰富，油气勘探潜力巨大，中侏罗统发育三套储盖组合，凹陷内油气藏类型主要为侏罗系三间房组，七克台组的构造－岩性复合型和侏罗系西山窑组的深盆气藏，燕山运动末期是小草湖次凹一次重要的成藏期，古构造，古构造背景和构造－岩性复合型圈闭发育是小草湖次凹成藏主控因素，根据小草湖次凹成藏主控因素评价和优选有利区带，勘探工作取得了良好效果。     

固井声幅-变密度测井的影响因素分析

利用声幅－变密度测井进行固井质量的评价受到诸多因素的影响，各种影响因素对声幅－变密度测井资料的影响作用有较大的差异，根据大量测井资料分析和实验研究，对仪器偏心、测井时间，套管尺寸与重量，地层岩性，气侵、水泥环微间隔等因素的影响作用进行了较为深入的分析，为各种影响因素的识别与校正提出了相应的方法和依据。     

基于相关性的人机系统可靠性模型

本文在剖析人机系统中操作者行为特征的基础上,考虑到操作者行为的自适应性、自学习能力及其行为形成主因子,着重结合操作者行为的相关性-感知作用于判断决策后影响到动作,建立了人机系统中操作者行为模式,并推导出计算操作者可靠度的公式,求出了相应参数.最后进行了实例量度,同时定量辨识了行为相关性对人可靠性的制约程度,以期从人机系统可靠性角度为人机系统的优化设计提供新的依据.     

无功补偿对远距离供电节能降耗的分析

本文从理论上分析了在不同功率因数下不同供电距离的能耗对比及近年来进行无功补偿的情况,从而说明了无功补偿对远距离供电节能降耗的重要意义。