全文获取类型
收费全文 | 39252篇 |
免费 | 4300篇 |
国内免费 | 2834篇 |
专业分类
电工技术 | 3518篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 3818篇 |
化学工业 | 6292篇 |
金属工艺 | 2635篇 |
机械仪表 | 1515篇 |
建筑科学 | 3891篇 |
矿业工程 | 1266篇 |
能源动力 | 2208篇 |
轻工业 | 2312篇 |
水利工程 | 1377篇 |
石油天然气 | 2859篇 |
武器工业 | 293篇 |
无线电 | 3192篇 |
一般工业技术 | 4656篇 |
冶金工业 | 1773篇 |
原子能技术 | 1017篇 |
自动化技术 | 3762篇 |
出版年
2024年 | 160篇 |
2023年 | 573篇 |
2022年 | 1217篇 |
2021年 | 1482篇 |
2020年 | 1292篇 |
2019年 | 1081篇 |
2018年 | 1107篇 |
2017年 | 1315篇 |
2016年 | 1440篇 |
2015年 | 1513篇 |
2014年 | 2218篇 |
2013年 | 2849篇 |
2012年 | 2651篇 |
2011年 | 3003篇 |
2010年 | 2270篇 |
2009年 | 2388篇 |
2008年 | 2243篇 |
2007年 | 2568篇 |
2006年 | 2289篇 |
2005年 | 1939篇 |
2004年 | 1636篇 |
2003年 | 1392篇 |
2002年 | 1237篇 |
2001年 | 1033篇 |
2000年 | 877篇 |
1999年 | 735篇 |
1998年 | 606篇 |
1997年 | 510篇 |
1996年 | 461篇 |
1995年 | 398篇 |
1994年 | 319篇 |
1993年 | 234篇 |
1992年 | 199篇 |
1991年 | 182篇 |
1990年 | 185篇 |
1989年 | 166篇 |
1988年 | 140篇 |
1987年 | 74篇 |
1986年 | 46篇 |
1985年 | 63篇 |
1984年 | 59篇 |
1983年 | 23篇 |
1982年 | 37篇 |
1981年 | 25篇 |
1980年 | 23篇 |
1979年 | 9篇 |
1964年 | 10篇 |
1960年 | 9篇 |
1959年 | 10篇 |
1955年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
A generalized effectiveness factor equation (Eq. (32)), in terms of modified Bessel functions, is derived for a catalyst pellet of arbitrary shape. The derivation is based on utilizing an appropriate one-dimensional approximation for the Laplacian in an arbitrary shaped body subjected to a uniform external concentration field. The comparison of the result with the available expressions for various geometries is highly satisfactory. It unifies the expressions for the three fundamental shapes, viz., infinite slab, infinite cylinder and sphere, and also compares very well with the exact solutions for finite shapes over the entire range of the Thiele modulus. 相似文献
62.
和所有设备一样,计算机设备也是在一定环境中工作的,各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能,必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程,分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等,以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外,各种环境因素对计算机设备的影响。 相似文献
63.
Cheul-Ro Lee 《Journal of Electronic Materials》2002,31(4):327-331
We have investigated the growth characteristics of n-Al0.15Ga0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al0.15Ga0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure
of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al0.15Ga0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH4. However, many cracks are observed in the n-Al0.15Ga0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation
exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling
components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher. 相似文献
64.
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
65.
66.
研究了分析人员的心理状态、情绪变化、内在动机等对分析数据的影响,提出了具体的对策和预防措施 相似文献
67.
台北凹陷小草湖次凹油气成藏特点及有利区带 总被引:2,自引:0,他引:2
吐哈盆地小草湖次凹发育多套烃源岩,油源条件好,油气资源丰富,油气勘探潜力巨大,中侏罗统发育三套储盖组合,凹陷内油气藏类型主要为侏罗系三间房组,七克台组的构造-岩性复合型和侏罗系西山窑组的深盆气藏,燕山运动末期是小草湖次凹一次重要的成藏期,古构造,古构造背景和构造-岩性复合型圈闭发育是小草湖次凹成藏主控因素,根据小草湖次凹成藏主控因素评价和优选有利区带,勘探工作取得了良好效果。 相似文献
68.
69.
70.
本文从理论上分析了在不同功率因数下不同供电距离的能耗对比及近年来进行无功补偿的情况,从而说明了无功补偿对远距离供电节能降耗的重要意义。 相似文献