透明吸波体综述北大核心CSCD

吸波体是一种带有损耗特性的周期结构,能够吸收电磁波,将电磁能转化为热能,降低反射的电磁波能量。随着应用场景的特殊化,吸波体朝着特殊领域、特定功能、更具针对性的方向发展。由于各类含有光学窗口的应用环境对抗电磁干扰需求的不断提高,吸波体光学透明化成为研究的重点方向。为了对透明吸波体的发展状况有系统的认识,文章以制造材料为脉络梳理了近年来可见光透明吸波体的研究现状,包括氧化铟锡(ITO)、金属网栅、石墨烯等,综述了以它们为材料制备的透明吸波体优缺点以及发展趋势,最后对透明吸波体的未来发展进行了展望。     

Surface activation of colloidal indium phosphide nanocrystals

Against general wisdom in crystallization,the nucleation of InP and Ⅲ-Ⅴ quantum dots (QDs) often dominates their growth.Systematic studies on InP QDs identified the key reason for this:the dense and tight alkanoate-ligand shell around each nanocrystal.Different strategies were explored to enable necessary ligand dynamics—i.e.,ligands rapidly switching between being bonded to and detached from a nanocrystal upon thermal agitation—on nanocrystals to simultaneously retain colloidal stability and allow appreciable growth.Among all the surface-activation reagents tested,2,4-diketones (such as acetylacetone) allowed the full growth of InP QDs with indium alkanoates and trimethylsilylphosphine as precursors.While small fatty acids (such as acetic acid) were partially active,common neutral ligands (such as fatty amines,organophosphines,and phosphine oxides) showed limited activation effects.The existing amine-based synthesis of InP QDs was activated by acetic acid formed in situ.Surface activation with common precursors enabled the growth of InP QDs with a distinguishable absorption peak between ～450 and 650 nm at mild temperatures (140-180 ℃).Furthermore,surface activation was generally applicable for InAs and Ⅲ-Ⅴ based core/shell QDs.     

蓄冷板释冷过程的数值模拟和实验研究

对蓄冷板内共晶液的热力学特性进行了分析,并且建立了蓄冷板释冷的数学模型。通过数值模拟的方法,模拟了NaCl蓄冷板在初始温度为-30℃,环境温度为-10℃、0℃和10℃三种不同温度条件下的释冷过程,并且通过相关的实验研究,对模拟结果的准确性进行了验证。通过研究得到了蓄冷板在不同条件下的释冷过程及特点。研究结果表明:在NaCl蓄冷板的释冷过程中,当其所处的环境温度高于-21.2℃,即其共晶温度时,外界环境温度会对冷板内共晶冰开始发生相变的时刻产生较大影响;外界环境温度越高,蓄冷板内共晶冰开始融化到完全融化所需要的时间越短。计算结果与实验结果吻合良好,两者之间的平均偏差小于0.5℃,说明数学模型及计算方法的可靠性。     

斯蒂芬酸铅含量对某型雷管作用可靠性的影响?

为解决某型雷管瞎火、半爆的问题,分析了工艺过程对针刺药组分和其中斯蒂芬酸铅含量的影响。试验结果表明,工艺过程中针刺药分药和回倒环节会引起针刺药中铅钡共晶含量的波动,当铅钡共晶中斯蒂芬酸铅的含量较低时会导致雷管作用失效。通过建立斯蒂芬酸铅含量与雷管作用可靠性的关系,合理解释了故障批产品几个异常现象,指出应通过使用较小的盒子盛装针刺药等措施来确保生产过程受控。     

多元低熔点共晶合金Sn16Bi52Pb32和In21Sn12Bi49Pb18凝固组织和相组成研究

随着环境保护的需要,具有较低Pb含量或不含Pb元素的多元低熔点合金越来越受到工业界的重视和青睐,但是该类合金的组织结构形态、相组成和基本的物理化学数据比较缺乏,不利于其工业化应用。鉴于此,文章对两种具有较低Pb含量的Sn_(16)Bi_(52)Pb_(32)(质量分数)合金和In_(21)Sn_(12)Bi_(49)Pb_(18)(质量分数)合金进行了凝固组织、相组成以及物化性能方面的研究。扫描电镜(SEM)、差示扫描量热法(DSC)、X射线衍射(XRD)等分析测试结果表明:Sn_(16)-Bi_(52)Pb_(32)合金由Bi-(Pb)固溶体相、Sn-(Bi,Pb)固溶体相以及Pb_7Bi_3化合物相组成,具有准规则共晶凝固组织结构。而In21Sn12Bi49Pb18合金由InBi化合物相、PbBi化合物相以及Sn-(Bi,In)固溶体相组成,具有复杂规则的共晶组织形貌。     

超重力场凝固对Cu-1.6%Cr共晶合金组织的影响

本实验分别在普通重力场和4230g超重力场下制备了Cu_(98.4)Cr_(1.6)合金的凝固样品,研究了重力场对Cu_(98.4)Cr_(1.6)合金棒状共晶尺寸和宏观偏析情况的影响。结果表明:与普通重力场的凝固组织相比,当Cu_(98.4)Cr_(1.6)合金棒状共晶在4230g超重力场下凝固时,棒状共晶组织得到了明显的细化,其直径由250~350nm降至100~200nm。同时,Cu_(98.4)Cr_(1.6)共晶合金沿超重力场方向的硬度和成分分布基本一致,未出现明显的宏观偏析。     

氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展

Ⅲ族氮化物半导体材料(InN、GaN、AlN)由于能带结构的特殊性,使其在光电器件与微波等领域得到广泛应用。其中,研究和发展InN材料及器件已被公认是占领光电信息技术领域战略至高点的重要途径,InN材料的p型导电以及室温铁磁性研究更是成为Ⅲ族氮化物中新颖的研究课题。首先简单介绍InN的晶体结构和制备方法,并分析其目前所遇到的挑战,然后重点阐述国际上关于InN在p型掺杂以及铁磁性领域的研究进展,同时介绍本课题组在该方面的研究,最后进行了简要总结和展望。     

Er对原位ZrB2/A356.2复合材料组织与性能的影响

采用原位合成法制备ZrB_2/A356.2复合材料,研究了引入ZrB_2对A356.2铸态微观组织的影响以及不同Er含量对复合材料铸态微观组织及力学性能的影响。结果表明,引入ZrB_2后α-Al晶粒和粗大共晶Si发生略微细化,添加Er后α-Al晶粒细化明显,并且Er对共晶Si有很好的变质效果,α-Al由粗大树枝晶变为蔷薇状、球状,共晶Si从粗大的针片状变为细小的短棒状、球状,有效提高了复合材料的力学性能。当Er添加量为0.10%(质量分数)时,其细化变质效果最为明显,复合材料力学性能提高最为显著。     

Y2O3添加量对Al2O3/ZrO2共晶陶瓷显微组织及力学性能的影响

为探索第三组元Y₂O₃添加对Al₂O₃/ZrO₂共晶陶瓷显微组织与机械性能的影响,本文利用低温度梯度的高温熔凝法制备了直径为20 mm的Al₂O₃/ZrO₂(Y₂O₃)共晶陶瓷块体,采用SEM、EDS及XRD技术对共晶陶瓷进行微结构分析,并利用维氏压痕法对其硬度和断裂韧性进行测试。SEM结果表明,凝固组织由群集的共晶团结构组成,随着Y₂O₃添加量的增加,共晶团形态由胞状转变为枝晶状,内部相间距在1~2 μm范围内变化。力学测试表明,Y₂O₃摩尔分数小于1.1%时,由于组织内部存在低硬度m-ZrO₂及微裂纹缺陷,故陶瓷硬度较低,约为(9.53±0.22 )GPa;当Y₂O₃摩尔分数为1.1%时,陶瓷硬度最大,约为(18.05±0.27)GPa;当Y₂O₃的摩尔分数大于1.1%时,由于共晶团边界区内气孔缺陷及粗大组织增多,引起陶瓷硬度值略有下降。低Y₂O₃摩尔分数添加时,陶瓷断裂韧性相对较高,约为(6.30±0.16)MPa·m^1/2,这与其内部存在大量微裂纹缺陷有关;随着Y₂O₃添加量的增加,陶瓷的微裂纹数量减少、边界区内缺陷增多,断裂韧性降低。     

Nanobeam electron diffraction and high resolution imaging analysis of InN films grown on sapphire

A JEOL JEM-3000F field emission, analytical, high-resolution transmission electron microscope (HRTEM) was used to study InN films grown on sapphire substrates. It was found that, while the InN films maintained the hexagonal (wurtzite) structure, InN nanodomains with a cubic (zincblende) structure were also formed in the films. Nanobeam electron diffraction techniques were applied for identification of the cubic phase. The identification of the cubic InN was confirmed by HRTEM structural imaging. The cubic InN nanodomains are 3-10 nm in diameter, and are orientated in two different orientations with their [110](cubic) and [110](cubic) axes parallel to each other and their (111)(cubic) planes parallel to the (0001)(hex) plane of the hexagonal InN.