龙潭水电站励磁装置可控硅易损原因及改进措施

通过龙潭水电站对励磁装置可控硅元件实施过电压保护改进前后实际效果的分析,介绍了一种有效的过压保护方式.     

氮化硅/石墨激光合金化涂层的组织结构与性能研究

为获得金属表面特别是高副接触金属表面含自润滑特性且具有高硬度耐磨特性的功能材料 ,研究了 45 # 钢表面激光合金化氮化硅 /石墨复合涂层的工艺方法、组织特征、界面形态及其形成机制 ,利用光学显微镜、扫描电镜和X射线能谱对所形成合金化层的元素分布和含量进行了分析 ,并对试样硬度进行了测定。结果表明 ,合金化层中元素Fe ,Co ,Si,C分布均匀 ;C含量达到了 15 6 9%,大部分以石墨的形式存在 ,具有一定的自润滑性能 ;但在形成合金化层的温度条件下 ,氮化硅分解严重 ;合金化层硬度提高的主要原因是Si Fe ,Co Fe固溶体的强化作用及高碳马氏体的生成和高硬度碳化物的存在。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

High resistivity measurement of SiC wafers using different techniques

To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique, and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer was also obtained and reported in this work.     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析

讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。     

Electrical and optical properties of semi-insulating polycrystalline silicon thin films: the role of microstructure and doping

We have investigated the relationship between microstructure and electrical conductivity in semi-insulating polycrystalline silicon (SIPOS) with oxygen concentrations in the 2–35 at.% range and the effect of doping with boron, phosphorus, arsenic and erbium by ion implantation. SIPOS thin films are mixtures of silicon and silicon oxide phases. The chemical and morphological evolution of these phases upon annealing is emphasized. Electrical conductivity measurements are interpreted in terms of a physical model containing few free parameters related to the material microstructure. A direct extension of this model explains also the conductivity increase in SIPOS doped with elements of the third or the fifth group. In the last part of the paper, data of electroluminescence at 1.54 μm in Er-implanted SIPOS due to intra-4f transitions of the Er³⁺ ion are shown and discussed.     

微型真空力敏器件的研究

本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了<100>晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验,理论与实验符合的很好.     

激光冶炼太阳级硅材料的实验研究

通过实验研究表明，大功率ＣＯ２激光器在廉价硅材料制备中应用的可能性。     

新型硅蜡乳液的制备

将蜂蜡用复合乳化剂乳化时加入自制的乳化助剂，制得稳定的蜡乳液，将该乳液与羟基蛙油乳液复配，制得乳白色略带蓝光硅蜡乳液，该硅蜡乳液用于绵羊服装革作顶层手感改善剂，除了获得油润的蜡感和滑爽感之外，还使成革具有抗菌和抗静电作用。