激光焊接过程温度场的模拟

激光焊接是一个快速而不均匀的热循环过程,准确地认识焊接热过程,对焊接结构力学分析、显微组织分析以及最终的焊接质量控制具有重要意义.在计算机模拟过程中,利用高斯热源模型,采用ANSYS的APDL语言编写子程序,运用离散的思想,利用多步循环来实现对激光焊接过程的模拟,得到相应的温度场分布、当量应力场分布.从模拟结果可看出,激光焊接过程温度场呈椭圆分布,焊缝区的当量应力比焊前有所提高.     

非均匀厚度漂移区SOI高压器件及其优化设计

提出非均匀厚度漂移区SOl高压器件新结构及其优化设计方法.非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而 提高器件击穿电压.考虑到这种调制效应.提出解析模型用以优化设计该新器件的结构参数.借助解析模型,研究了电场分布和器件击穿电压与结构参数的关系.数值仿真'证实了解析模型的正确性.具有3阶梯的非均匀厚度漂移区SOl器件耐压为常规结构SOl器件的2倍,且保持较低的导通电阻.     

Growth,Cathodoluminescence and Field Emission of ZnS Tetrapod Tree‐like Heterostructures

We report the growth mechanism, cathodoluminescence and field emission of dual phase ZnS tetrapod tree‐like heterostructures. This novel heterostructures consist of two phases: zinc blende for the trunk and hexagonal wurtzite for the branch. Direct evidence is presented for the polarity induced growth of tetrapod ZnS trees through high‐resolution electron microscopy study, demonstrating that Zn‐terminated ZnS (111)/(0001) polar surface is chemically active and S‐terminated ( )/(000 ) polar surface is inert in the growth of tetrapod ZnS trees. Two strong UV emissions centered at 3.68 and 3.83 eV have been observed at room temperature, which are attributed to the bandgap emissions from the zinc blende trunk and hexagonal wurtzite branch, indicating that such structures can be used as unique electromechanical and optoelectronic components in potential light sources, laser and light emitting display devices. In addition, the low turn‐on field (2.66 Vµm⁻¹), high field‐enhancement factor (over 2600), large current density (over 30 mAcm⁻² at a macroscopic field of 4.33 Vµm⁻¹) and small fluctuation (∼1%) further indicate the availability of ZnS tetrapod tree‐like heterostructures for field emission panel display. This excellent field‐emission property is attributed to the specific crystallographic feature with high crystallinity and cone‐shape patterned branch with nanometer‐sized tips. Such a structure may optimize the FE properties and make a promising field emitter.     

市县级有线电视用户管理系统设计

通过构建局域网,利用计算机处理信息的准确、快速与强大的信息存储能力,设计出适合县市、乡镇有线电视台的用户管理系统软件,以提高有线电视用户管理水平,为有线电视的快速发展提供有力支持.     

舰载电子设备循环风冷式密闭机柜

介绍了一种循环风冷式密闭机柜的结构形式和设计要点,并给出了该机柜高低温环境试验的数据。     

与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N—CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。     

基于后小波处理的超分辨力图像复原算法

介绍了最大后验概率(MAP)复原超分辨力算法发展现状,然后着重介绍了基于Markov随机场的泊松最大后验概率复原算法(MPMAP)和小波滤波方法。以MPMAP算法为基础,提出了基于后端小波滤波处理和Markov分布的最大后验概率算法(PWMPMAP),试验证明这种算法具有很强的抑制噪声和振铃现象的能力,与MPMAP算法相比,复原效果明显提高,对红外热图像等低信噪比图像尤为有效,以30 dB的红外“建筑物”图像为例,相对MPMAP算法,峰值信噪比(PSNR)可以提高0.4 dB左右。     

用液晶电视研究径向剪切干涉的近场重建算法

对共光路径向剪切干涉(CRSI)的近场重建算法和LCTV的强度调制特性进行了分析.首先利用CRSI测量了实验中的LCTV强度调制特性的线性区域,然后将LCTV处于强度调制状态下模拟产生一任意强度分布,并使其灰度值限定在它的强度调制线性区域内,再进行径向剪切干涉测量,获取了该强度分布的干涉条纹图.从干涉图中提取出背景强度后,运用环路径向剪切干涉仪的近场重建迭代算法进行运算,得到了模拟光强的近场分布.本文同时对这一近场分布进行了数值仿真与实验研究,并对实验中出现的误差从理论上进行了合理的分析,进一步验证了实验方法的可行性和环路径向剪切干涉仪的近场重建迭代算法的正确性.     

单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化

基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。     

单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究

综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除、接触电阻大、滞后现象以及p型CNTFET转化等问题,并针对这些问题提出了具体可行的解决方案。