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21.
将人工浮床与生物接触氧化工艺有机组合,形成了以水生植物和微生物生态系统为主体的组合生态一体化工艺,考察了其对分散式污水的处理效果。研究表明,组合一体化装置在进水氨氮、总氮和COD平均进水质量浓度为25.18、31.68和172.56 mg/L的情况下,出水氨氮、总氮和COD质量浓度分别为4.47、15.74和35.73mg/L ,出水水质稳定。结果表明该组合工艺可有效处理分散式污水。 相似文献
22.
采用定量分析和定性分析相结合的方法,对影响我国流动人口的因素进行分析.定量分析主要用于对社会经济因素的分析,通过相关分析、因子分析以及回归分析,发现全国31个省(市、区)流动人口与全省(市、区)GDP等11项社会经济因素指标因子有显著的正相关关系,与全省(市、区)第二产业占GDP比重等3项指标因子无显著关系,同时提取两个主成分代表所有的变量,得到流动人口与各变量之间的回归方程.此外,结合制度、信息、宗教文化对流动人口的影响进行简要定性分析,认为政府不仅要发展经济也要进一步完善制度、信息可获得性等方面的政策,从而更好地管理流动人口,构建社会主义和谐社会. 相似文献
23.
为研究各参数对浮式风电装备动态响应的影响程度,寻找响应变化规律和设计优化方向,根据海装6.2 MW浮式风电装备参数进行一体化仿真。结合规范要求、设计经验和环境条件特点,针对不同环境条件的重现期、风谱类型、波浪谱类型、极端阵风周期进行参数敏感性分析,得到浮式风电装备不同部分动态响应结果。结果表明:不同环境条件的重现期和组合方式对运动响应和锚链张力影响十分明显,对机组载荷的影响则与机组所处状态相关;风谱类型主要影响机组载荷,对平台运动和锚链张力影响不大,考虑空间相干性的湍流风谱结果最危险;波浪谱类型对运动幅值和锚链张力极值影响较大,在发电工况下对机组载荷的影响较小,但在空转工况下对机组载荷的影响较大;阵风周期对运动响应、塔筒载荷、机舱加速度影响相对明显,但对轮毂载荷、锚链张力影响不大。 相似文献
24.
针对海上浮式装置力学分析中选用不同截止频率阈值得到重构的冲击载荷对结构响应结果有较大影响的问题,采用变分模态分解(Variable Mode Decomposition, VMD)方法得到冲击载荷各本征模态函数、对应频谱的特征频率和最大加速度幅值。选取不同的截止因数,重构得到不同的冲击载荷。数值仿真结果表明:当截止因数为0.01时,重构的冲击载荷动力学响应与原始冲击载荷动力学响应基本保持一致;在保证足够的安全裕度的前提下,当截止因数选0.20时,可获得更低的截止频率。 相似文献
25.
工艺参数对钼-铌合金单晶制备的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
主要讨论了熔炼室真空度,钼-铌合金原料棒化学成分和尺寸规格,熔炼速度,搅拌速度等对单晶制备的影响。试验结果表明,熔炼室残余压力值低于3.0×10-2Pa时,区熔过程能稳定制备出钼-铌合金单晶。高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,区域熔炼时放气严重,极大地破坏了熔炼室高真空而未能直接生长制备出单晶,但经两次电子束熔炼获得的Ф12mm ̄Ф17mm原料棒C含量降为63×10-6,O含量仅为14×10-6,区熔时熔炼室真空度较高,能稳定地生长制备出Ф31mm×735mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18mm或小于Ф11mm原料棒则未能获得钼-铌合金单晶。此外,熔炼速度和搅拌速度也是非常关键的工艺参数。本试验得出,原料棒在熔炼速度为0.4 ̄4.0mm/min,搅拌速度为1.0~20r/min的条件下能稳定制备出高质量钼-铌合金单晶。 相似文献
26.
27.
通过改进GPU的渲染到纹理策略加速锥束反投影计算,提高了圆弧轨迹Katsevich锥束CT重建算法的执行效率.在CPU中完成投影数据的滤波处理,并将其重排为四通道浮点纹理载人GPU内存;绑定2个浮点输出纹理到帧缓冲对象的不同绑定点,用于将渲染结果输出到纹理,并同时完成反投影数据的累加计算;将矩形网格编码为四叉树结构用于加速物体切片的绘制.实验结果表明,文中算法在较大锥角时仍能重建出高质量图像,并获得接近于实时的重建速度. 相似文献
28.
J. Stecki 《International Journal of Thermophysics》1994,15(6):1103-1113
The planar interface between two simple liquids interacting with 6-12 LJ potentials was simulated by molecular dynamics at a low temperature. The peculiar physical picture. the new breathing mode, the 2 x 2 matrix of the structure factorsS(k l, and the interfacial dynamic structure factor Slk. ), are reported.Paper presented at the Twelfth Symposium on Thermophysical Properties, June 19–24, 1994, Boulder, Colorado, U.S.A. 相似文献
29.
30.
提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构,通过改善电场分布,优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上,仅通过增大外延层掺杂浓度,改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度,最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm2、特征栅漏电容为4.72 pF·mm-2的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比,在击穿电压不变的条件下,浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。 相似文献