GPU加速的圆弧轨迹Katsevich锥束CT重建算法

通过改进GPU的渲染到纹理策略加速锥束反投影计算,提高了圆弧轨迹Katsevich锥束CT重建算法的执行效率.在CPU中完成投影数据的滤波处理,并将其重排为四通道浮点纹理载人GPU内存;绑定2个浮点输出纹理到帧缓冲对象的不同绑定点,用于将渲染结果输出到纹理,并同时完成反投影数据的累加计算;将矩形网格编码为四叉树结构用于加速物体切片的绘制.实验结果表明,文中算法在较大锥角时仍能重建出高质量图像,并获得接近于实时的重建速度.     

Simulation of a liquid-liquid floating interface

The planar interface between two simple liquids interacting with 6-12 LJ potentials was simulated by molecular dynamics at a low temperature. The peculiar physical picture. the new breathing mode, the 2 x 2 matrix of the structure factorsS(k l, and the interfacial dynamic structure factor Slk. ), are reported.Paper presented at the Twelfth Symposium on Thermophysical Properties, June 19–24, 1994, Boulder, Colorado, U.S.A.     

坦克设计新发展

本文提出“针对式坦克发展战略”主要内容,它要求“突破性新概念高新技术”,获得“减法设计方法”,因而形成“坦克发展新道路”.运用“系统总体取胜”的系统工程理论,处理好坦克全系统“综合”、全系统与分系统“配置”、分系统与分系统“匹配”、全系统与人及作战环境“适应”四大关系,以“相互同水平组合”替代“单项高水平爬坡”.通过“从系统总体着眼、由边际零部件突破”的途径,善于从各个部分或部件之间的结合部加以突破,实现坦克设计新发展.     

浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响

提出了在屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT)的沟槽侧壁氧化层中形成浮动电极的结构,通过改善电场分布,优化了特征导通电阻与特征栅漏电容。在传统SGT结构的基础上,仅通过增大外延层掺杂浓度,改变浮动电极的长度和位置以及氧化层厚度,最终得到击穿电压为141.1 V、特征导通电阻为55 mΩ·mm²、特征栅漏电容为4.72 pF·mm^-2的浮动电极结构。与相同结构参数的SGT结构相比,在击穿电压不变的条件下,浮动电极结构的特征导通电阻降低了9.3%,Baliga优值提升了13%,特征栅漏电容降低了28.4%。     

基于模拟退火的动态缆线型优化北大核心CSCD

动态电缆在水中的线型对确保电缆的合理受力,保证疲劳寿命具有重要的作用。文中针对浮式风电动态缆的陡波线型,基于经典悬链线方程,以远位张力与近位曲率的利用率之和作为线型优化的目标,采用模拟退火算法对线型进行优化,分析了不同浮力系数对线型优化的影响。文中结论对线型工程设计具有一定参考和指导意义。     

典型半潜式平台结构的微振子捕能特性研究北大核心CSCD

半潜式平台在海洋资源开发领域应用前景广阔,但存在平台设备能源供给不足的问题。本研究把常见的半潜式平台简化为三种典型的浮式基础,将波浪能发电装置集成至浮式基础,建立浮式基础与浮子耦合的运动方程,利用水动力仿真软件AQWA开展数值模拟和参数化分析,获得了波浪方向、浮式基础的截面形状、浮子直径以及浮子与浮式基础间距等因素对浮子捕能特性的影响规律。结果表明,四棱柱浮式基础在特定波浪方向下能够增强微阵列浮子的捕能效果,三棱柱浮式基础使微阵列浮子更好地适应各个方向的波浪激励,圆柱浮式基础以遮蔽效应为主,较大程度上减弱了浮子的捕能特性;不同波浪方向对四棱柱浮式基础、三棱柱浮式基础周围的浮子影响较大,而对基于圆柱浮式基础的微阵列浮子影响不大;通过增加浮子的直径以及浮子距圆柱浮式基础的距离,能够有效提高微阵列浮子平均输出功率。本研究可为半潜式平台与波浪能发电装置的集成提供参考。     

Flexible Nonvolatile Transistor Memory with Solution‐Processed Transition Metal Dichalcogenides

Nonvolatile field‐effect transistor (FET) memories containing transition metal dichalcogenide (TMD) nanosheets have been recently developed with great interest by utilizing some of the intriguing photoelectronic properties of TMDs. The TMD nanosheets are, however, employed as semiconducting channels in most of the memories, and only a few works address their function as floating gates. Here, a floating‐gate organic‐FET memory with an all‐in‐one floating‐gate/tunneling layer of the solution‐processed TMD nanosheets is demonstrated. Molybdenum disulfide (MoS₂) is efficiently liquid‐exfoliated by amine‐terminated polystyrene with a controlled amount of MoS₂ nanosheets in an all‐in‐one floating‐gate/tunneling layer, allowing for systematic investigation of concentration‐dependent charge‐trapping and detrapping properties of MoS₂ nanosheets. At an optimized condition, the nonvolatile memory exhibits memory performances with an ON/OFF ratio greater than 10⁴, a program/erase endurance cycle over 400 times, and data retention longer than 7 × 10³ s. All‐in‐one floating‐gate/tunneling layers containing molybdenum diselenide and tungsten disulfide are also developed. Furthermore, a mechanically‐flexible TMD memory on a plastic substrate shows a performance comparable with that on a hard substrate, and the memory properties are rarely altered after outer‐bending events over 500 times at the bending radius of 4.0 mm.     

粉煤灰漂珠@BaTiO_3@PAn的制备及其电流变性能

聚苯胺(PAn)作为电流变材料具有响应快、屈服应力大的特点,但因其良好的导电性能导致漏电击穿现象发生,为了进一步增加PAn的悬浮稳定性,引入了粉煤灰漂珠(FAFB),BaTiO_3作为经典的电介质材料也引入其中以进一步提高材料的介电性能。采用逐层包覆的思路,利用溶胶-凝胶法在漂珠表面包覆BaTiO_3,获得FAFB@BaTiO_3,再利用原位聚合法制备以FAFB@BaTiO_3为核、PAn为壳的结构复合材料即FAFB@BaTiO_3@PAn。利用FTIR、XRD和SEM对材料的结构与形貌进行分析,借助四探针技术和LCR数字电桥对材料的导电与介电性能进行分析,利用自组装电流变仪进行了电流变特性测试,考察了7d内的悬浮稳定性能。结果表明:BaTiO_3、PAn确实发生了逐层包覆,且电导率、介电常数、介电损耗和剪切应力均符合复合效应规律,介于PAn与FAFB@BaTiO_3之间,其中,剪切应力可达675Pa(电场强度为3.0kV/mm);漏电现象得到缓解,击穿电压提高了20%;比较悬浮稳定性发现,7d后FAFB@BaTiO_3@PAn悬浮率仍为82%。     

La1-xNdxB6单晶的制备及热电子发射性能

以LaB_6和NdB_6粉末为原料,采用区域熔炼法成功制备了大尺寸、高质量的多元稀土六硼化物La_(1-x)Nd_xB_6(x=0.1~0.3)单晶,并测试了该系列单晶(100)晶面的热电子发射性能。本实验制备的单晶长度大于40mm,直径大于4mm。单晶衍射、劳埃照片、晶面摇摆曲线、单晶断口扫描等检测结果表明单晶质量较高,热发射测试结果表明在1 873K、4 000V下,单晶零场电流发射密度随着Nd含量增加从6.01A/cm~2降为4.83A/cm~2,有效逸出功从2.88eV增大到2.95eV。     

燃气报警器报警点漂移模型研究

根据燃气报警器报警点年漂移试验 ,探讨了报警点漂移原因及改进措施 ,建立了报警点漂移的正态分布模型 ,并经用 χ2 检验法进行了检验。依据行业标准CJ- 30 5 7,结合燃气报警器的加严试验结果 ,提出了报警器最佳标定点。