全文获取类型
收费全文 | 107982篇 |
免费 | 9814篇 |
国内免费 | 5697篇 |
专业分类
电工技术 | 4510篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 6697篇 |
化学工业 | 25679篇 |
金属工艺 | 8186篇 |
机械仪表 | 3785篇 |
建筑科学 | 6620篇 |
矿业工程 | 6521篇 |
能源动力 | 6242篇 |
轻工业 | 9701篇 |
水利工程 | 758篇 |
石油天然气 | 19924篇 |
武器工业 | 806篇 |
无线电 | 3667篇 |
一般工业技术 | 9900篇 |
冶金工业 | 6124篇 |
原子能技术 | 1071篇 |
自动化技术 | 3300篇 |
出版年
2024年 | 342篇 |
2023年 | 1441篇 |
2022年 | 2981篇 |
2021年 | 3763篇 |
2020年 | 3652篇 |
2019年 | 3180篇 |
2018年 | 2961篇 |
2017年 | 3438篇 |
2016年 | 4004篇 |
2015年 | 4050篇 |
2014年 | 6230篇 |
2013年 | 6204篇 |
2012年 | 7965篇 |
2011年 | 8392篇 |
2010年 | 5961篇 |
2009年 | 5957篇 |
2008年 | 4949篇 |
2007年 | 6605篇 |
2006年 | 6611篇 |
2005年 | 5621篇 |
2004年 | 4777篇 |
2003年 | 4182篇 |
2002年 | 3598篇 |
2001年 | 3157篇 |
2000年 | 2674篇 |
1999年 | 2228篇 |
1998年 | 1760篇 |
1997年 | 1430篇 |
1996年 | 1198篇 |
1995年 | 957篇 |
1994年 | 812篇 |
1993年 | 562篇 |
1992年 | 484篇 |
1991年 | 347篇 |
1990年 | 253篇 |
1989年 | 224篇 |
1988年 | 105篇 |
1987年 | 73篇 |
1986年 | 55篇 |
1985年 | 44篇 |
1984年 | 39篇 |
1983年 | 29篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 70篇 |
1980年 | 44篇 |
1979年 | 12篇 |
1976年 | 5篇 |
1973年 | 7篇 |
1959年 | 9篇 |
1951年 | 15篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
171.
172.
韩婉琳 《油气地质与采收率》2002,9(4):28-30
由于岩屑沉积床的形成、井壁坍塌和井眼不规则、岩屑多次破碎、钻时资料失真及混油钻井液污染等因素影响,水平井的岩屑比普通直井更混杂、更细碎,代表性也更差,岩屑中的油气显示真假难辨。通过加密实测迟到时间,参考钻井参数及DC指数可以对岩屑进行较准确地分层、描述,采用多次荧光滴照、四氯化碳浸泡、气测资料分析等方法,能够有效地区分真假油气显示。 相似文献
173.
174.
175.
高纯硼烷中杂质的低温气相色谱分析 总被引:2,自引:2,他引:0
用低温色谱法解决硼烷的分解问题,使硼烷中氢的分析成为可能,该法又能消除硼烷和四硼烷(B4H10)对氧、氮和甲烷峰测定的干扰,此方法的建立使硼烷的标准制定成为可能。 相似文献
176.
大庆长垣外围油田的开发问题 总被引:1,自引:0,他引:1
方凌云 《大庆石油地质与开发》1989,(3)
本文在对大庆长垣外围油田的地质情况、油藏类型综合分析评价的基础上,论述了开发这些油田的一系列有关问题。 相似文献
177.
在发泡塑料的制造过程中,均相气体-聚合物体系的形成直接影响了制品的物理机械性能,因此了解气泡在粘弹性液体中的溶解机理成为必然。本文讲述了气泡在流体中塌陷行为的研究进展。对Rayleigh对低粘度牛顿流体,Foqer和Goddand在无线量线性Maxwell模型的粘弹性体,Tanasawa和Tang用oldroyd三常数粘弹模型等科学家的研究行为做了概述,总结出影响此过程的复杂的影响因素,并指出进一步的研究方向。 相似文献
178.
Cheul-Ro Lee 《Journal of Electronic Materials》2002,31(4):327-331
We have investigated the growth characteristics of n-Al0.15Ga0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al0.15Ga0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure
of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al0.15Ga0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH4. However, many cracks are observed in the n-Al0.15Ga0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation
exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling
components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher. 相似文献
179.
内循环好氧三相流化床处理造纸中段废水 总被引:6,自引:0,他引:6
本实验采用内循环好氧三相流化床处造纸中段废水,经过一段时间的驯化,获得了稳定的出水。CDO去除经保持在65%以上,系统对进水污染负荷的变化具有较大的承受能力。出水Cl^-的浓度有所增加,说明驯化后的微生物可能对有抽氯化物具有一定的降解作用。水气比在1/120至1/140之间可获得最好的COD去除效果。后进行絮凝处理后,出水COD降为60-80mg/L,BODo 50-60/L,色度为100-150CU,挥发性酚的质量浓度小于0.0265mg/L。 相似文献
180.