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991.
连续相位调制(CPM)由于其相位连续和恒包络,可以使用低成本的非线性功率放大器,且CPM信号有近于1的峰均功率比,在放大器处产生的能量消耗小,从而解决协同系统中移动终端的成本和能量受限问题。本文针对平坦衰落信道下的CPM协同通信系统,研究了可表征系统容量下界的对称信息率(SIR)。分析和数值结果表明,协同CPM系统与单入单出CPM系统相比,能获得更大的信道容量,同时还拥有更低的中断概率。进一步地,以最大化系统遍历容量为目标,在考虑路径损耗的条件下,对系统的最优中继位置问题进行了讨论。分析和数值结果表明,对比中继位置在对称中点的系统,最优中继位置系统的信道容量获得明显提升。进一步,研究了信道估计误差和SNR估计误差对CPM协同通信系统的容量的影响。 相似文献
992.
993.
极化码拥有出色的纠错性能,但编码方式决定了其码长不够灵活,需要通过凿孔构造码长可变的极化码。该文引入矩阵极化率来衡量凿孔对极化码性能的影响,选择矩阵极化率最大的码字作为最佳凿孔模式。对极化码的码字进行分段,有效减小了最佳凿孔模式的搜索运算量。由于各分段的第1个码字都会被凿除,且串行抵消译码过程中主要发生1位错,因此在各段段首级联奇偶校验码作为译码提前终止标志,检测前段码字的译码错误并进行重新译码。对所提方法在串行抵消译码下的性能进行仿真分析,结果表明,相比传统凿孔方法,所提方法在10–3误码率时能获得约0.7 dB的编码增益,有效提升了凿孔极化码的译码性能。 相似文献
994.
煤岩破坏电磁辐射信号的短时分形模糊滤波 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了短时分形滤波的基础理论,在分析煤岩破坏电磁辐射信号噪声特点基础上,提出了煤岩破坏电磁辐射信号的短时分形模糊滤波模型及分形维确定方法,并应用于型煤和原煤两种煤岩破坏电磁辐射信号的滤波处理.结果表明,短时分形滤波法用于煤岩破坏电磁辐射信号滤波是可行的,实现了煤岩破坏电磁辐射信号的自适应模糊控制滤波. 相似文献
995.
在对氦质谱细检漏漏率公式的分析和对密封腔体内外气体交换过程公式的推演中,以氦气标准漏率LHe代替等效标准漏率L,引用了氦气交换时间常数τHe,使公式更为真实和简单直观。通过漏率偏差的分析和内部气体含量的计算表明,能够应用文中的公式对密封腔体内外气体的交换过程进行工程计算。计算分析了现行某些标准中各种试验条件漏率判据所对应的τHe,着重指出漏率符合接收判据并不能有效保证内部水汽含量要求。讨论了这些标准中进行的改进、存在的密封性等级及进一步改进的必要,并提出了建议进行研究的内容。 相似文献
996.
997.
声光调QCO_2激光器的理论计算和实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用谐振腔内插入声光调制器的方法进行了小型CO2激光器的调Q实验,并根据影响激光器输出的诸多因素,利用调Q脉冲激光器速率方程对该激光器输出的主要技术参数进行了理论计算,据此提出了声光调QCO2激光器优化设计的途径和方法。设计制成的声光调QCO2激光器获得峰值功率超过4000 W,激光脉冲宽度为180 ns,与理论计算基本一致。激光器脉冲重复频率调节范围1 Hz~100 kHz。理论分析和实验结果均证明,调Q晶体中超声场的渡越时间并不会影响输出激光的脉冲宽度,因此无需在腔内插入光学透镜进行光束直径的压缩变换;渡越时间的影响只是体现在延长了激光脉冲的建立时间上;激光器的最佳工作频率在1 kHz左右,这与CO2分子0001能级大约1 ms的辐射寿命相匹配,当频率超过1 kHz时,激光的脉冲宽度随着频率的增加而开始加宽。激光器通过光栅选线的设计方式实现了9.2~10.8μm的全波段波长调谐,测得激光输出谱线超过60条。 相似文献
998.
测量含有自动增益控制(AGC)电路的射频模块噪声系数时,使用Y因子法将改变模块的功率增益,进而无法测定.本文提出了一种新的噪声系数测量方法.该方法在信噪比较小的条件下用误码率推算前端的载噪比,避免了用仪器标定载噪比受信道滤波器通带平坦性影响较大的问题;测量过程中,AGC输入端信号和噪声的总功率几乎不变,能够保证AGC功率增益不变,从而可准确测量含有AGC电路的射频模块噪声系数.通过理论推导和数值模拟分析了随机误差、系统误差、实验温度以及测量次数对噪声系数估计的影响,验证了方法的有效性.本文成果已用于我国"北斗一号"卫星导航定位用户机的射频模块测量. 相似文献
999.
不停车电子收费装置中红外通信系统设计 总被引:2,自引:1,他引:2
开发了采用红外波段的电子收费系统的通信底层支持系统,通信速率4. 096Mbit/ s,通信距离30m (大于现有DSRC的10m) ,宽度4m,并对整个系统的系统结构、性能指标、工作带宽、误码率和试验结果等进行了分析。 相似文献
1000.
HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究 总被引:1,自引:3,他引:1
首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果。从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的R IE(Reactive Ion Etching)设备、刻蚀原理以及刻蚀速率的影响因素。采用ICP ( Inductively Coup led Plasma)增强型R IE技术,研究了一种标准刻蚀条件的微负载效应( etch lag)对刻蚀速率的影响,以及刻蚀非线性问题,并获得刻蚀速率随时间的关系。 相似文献