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81.
在注塑成型工业中,产品质量自动监测一直是注塑工业智能化发展的核心问题。高品质和大规模的产品质量数据采集成本高昂,导致数据样本量少、不同类别样本数据不平衡,为注塑产品质量预测提出了更高的挑战。为此,该文提出一种基于宽度学习方法的注塑产品质量预测模型,以产品的3维尺寸为预测目标,在普通的宽度学习系统(BLS)中加入最小p范数来改进得到模型p范数宽度学习系统(pN-BLS),解决小样本和不平衡数据的问题,提高模型对离群点的检测性能。在第4届工业大数据竞赛任务2《注塑成型工艺的虚拟量测和调机优化》数据集中,将192个参数特征与预测目标进行相关分析,提取相关性高的基础特征17个,衍生特征4个和调机参数2个作为模型的输入。将16600条数据平均分为训练集和测试集各8300条,与支持向量机 (SVM)、最近邻算法 (KNN)、多层感知机 (MLP)和BLS进行对比实验,实验结果显示pN-BLS具有更快速和更准确的预测效果。在实际缺陷检测应用中,pN-BLS能更准确地预测异常数据,具有更高的鲁棒性。 相似文献
82.
While malicious samples are widely found in many application fields of machine learning, suitable countermeasures have been investigated in the field of adversarial machine learning. Due to the importance and popularity of Support Vector Machines (SVMs), we first describe the evasion attack against SVM classification and then propose a defense strategy in this paper. The evasion attack utilizes the classification surface of SVM to iteratively find the minimal perturbations that mislead the nonlinear classifier. Specially, we propose what is called a vulnerability function to measure the vulnerability of the SVM classifiers. Utilizing this vulnerability function, we put forward an effective defense strategy based on the kernel optimization of SVMs with Gaussian kernel against the evasion attack. Our defense method is verified to be very effective on the benchmark datasets, and the SVM classifier becomes more robust after using our kernel optimization scheme. 相似文献
83.
84.
互注入VCSEL非线性及同步特性的理论研究 总被引:1,自引:1,他引:1
考虑到瓦注入耦合特有的非线性效应,建立了互注入式垂直腔面发射激光器(VCSEL)的理论模型,推导了系统注入锁定范围的解析表达式,理论研究了互注入的同步类型以及注入延时对系统非线性行为的影响。结果表明:在激光器参数相同的理想情况下,系统能实现完全同步,此时注入延时会影响VCSEL的运行状态;当存在参数偏差或噪声时,系统能实现延时同步,此时注入延时对同步质量的影响呈阶梯状。仿真结果验证了所推导的锁定范围表达式的正确性,发现注入锁定范围与注入量的平方根成难比。 相似文献
85.
验证了通过注入锁模方法,分布反馈(DFB)半导体激光器的频率响应可以得到明显的改善.实验中通过一个环形器,将主激光器的输出光注入到从激光器.测量了从激光器在有注入光和没有注入光时的光谱和频率响应.发现在不同的注入光强度和波长下,激光器的调制带宽和弛豫振荡峰频率会发生变化.通过适当选择注入光的强度和波长,频率响应可以得到改善.激光器频率响应的改善可以用两个模式的拍频来解释,一个模式是从激光器的主模,另一个是主激光器的模式,该模式与从激光器的边带重合.该理论与实验结果符合得很好. 相似文献
86.
用正丁胺作碳源,采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜(DLC),沉积在聚合物发光器件中的发光层(MEH-PPV)和铝(Al)阴极间作电子注入层.制备了结构为ITO/MEH-PPV/DLC/Al的不同DLC厚度的器件,测量了器件的I-V特性、亮度及效率,研究了DLC层对器件电子注入性能影响的机制.结果表明:当DLC厚度小于1.0nm时,其器件有较ITO/MEH-PPV/Al高的启动电压和低的发光效率;当DLC厚度在1.0~5.0nm之间时,器件的性能随着DLC厚度增加而变好;当DLC厚度为5.0nm时,器件具有最低的启动电压与最高的发光效率;当DLC厚度继续增加时,器件的性能随着DLC厚度增加而变差.并对ITO/MEH-PPV/DLC/Al和ITO/MEH-PPV/LiF/Al的器件性能进行了比较研究. 相似文献
87.
88.
89.
The electrons and holes were injected into the blend electrets of polystyrene and C60 (PS/C60) by adjusting the biases of conductive atomic force microscopy probe. We visualized the charges trapping, release, diffusion, and retention processes of the PS/C60 electrets by utilizing the Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM), and found that the localization and retention abilities of the ambipolar charges are enhanced with the increase of C60 content, indicating that blending C60 in PS matrix is a promising method for the charge trapping layer in transistor memory devices. Furthermore, we discussed the storage and diffusion mechanisms, and speculated that the interface of C60 and PS in the blend electrets and repulsive force between charge clusters around C60 are the important factors for the novel storage effect of the blend electret. 相似文献
90.