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1.
秀卢瑟福背散射-沟道技术(RBS-C)和X射线衍射技术(XRD)研究了Pt和注入YSZ(Y2O3稳定的ZrO2)后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Pt的晶化,RBS-C分析表明YSZ室温下的存在较强自退火效应,XRD分析结果示出硫以铂的晶化产生很大影响。 相似文献
2.
3.
本文分析了微通道板(MCP)在烘烤和电子轰击下大量放气的机理,结合有关实验数据给出了放气成分及放气量的相对大小。指出:放出的这些气体不仅对光阴极有毒害,而且对MCP自身的次级电子发射性能还有不良影响,即降低次级电子产额。在此基础上提出了解决MCP大量放气的方法。 相似文献
4.
本文通过有关理论依据和试验数据,着重阐述了在显像(示)管测试中,阴极像中心黑洞状缺陷产生的原因以及消除这种缺陷的处理方法。通过这种处理方法处理过的显像(示)管,其整体质量水平(尤其是真空度)将会得到明显的提高。 相似文献
5.
6.
7.
提高考夫曼型离子源束流密度的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果,对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究,取得了一些有价值的结果。 相似文献
8.
9.
为了提高Y-Gd-Hf-O压制式高温阴极的热发射性能,制备了Y2O3/HfO2摩尔比不同的S2O3掺杂Y-Gd-Hf-O直热式压制阴极。测试结果显示,当比值为5/2时,热发射能力最好,1500 ℃下发射电流为2.79 A/cm2。阴极支取直流发射电流密度1.0 A/cm2,在1500 ℃的工作温度下,已经稳定工作了1320 h,并在该温度下经过696 h的10 W连续电子轰击后,发射电流仍保持为初始值的86%,表现出良好的耐电子轰击能力。XPS结合深度刻蚀表明,发射活性层主要集中在距表面50 nm深度范围内。表层SEM、EDS分析表明,阴极经过激活、老炼,活性物质粒径变大,Y/Hf原子比低于初始值,且随着Y2O3含量的提高,阴极表层n型半导体Y2O3-x的含量相应地增加,对改善阴极表面的导电性、降低逸出功和提高阴极的热发射性能有促进作用 相似文献
10.
In the present work, ultra-high-molecular-weight polyethylene (UHMWPE) films were irradiated with 130 keV He ions. The fluence of the ion beam was ranged from 1 × 1012 to 1 × 1016 cm?2. The chemical, morphological, and crystallite structure changes resulted from the ion bombardment were obtained using different spectroscopic techniques. These techniques were Fourier transform infrared spectrometer, scanning electron microscope, X-ray diffraction, and UV–vis spectrophotometry. The surface free energy for untreated and ion-beam-treated samples was determined by means of contact angle measurements of three different liquids. Our results showed a decrease in the crystallinity of UHMWPE and formation of C=O groups on the polymer surface for modified samples as well. A remarkable shifting in the UV–vis spectra toward lower energy and increase in the optical absorption were observed as the ion fluence increases. Measurements of the contact angle indicate remarkable increase in the surface free energy as a function of ion fluence. 相似文献