低流度油藏分类及开发特征研究

低流度油藏指流度低于30×10-3μm2/mPa.s的油藏。根据流度大小以及油藏在开发生产中表现出的特征,可将低流度油藏分为一般低流度油藏、特低流度油藏和超低流度油藏。对大港低流度油藏的研究表明,由于低流度油藏地质情况复杂,地层认识不清,因而开发特征复杂,表现为采油速度低,采出程度和采收率低;注水效果差,油藏井距不适应;油井见水后含水迅速上升,产量则急剧下降。     

湘中海相浅层湘冷1井酸压工艺研究及应用

湘冷1井具有气层埋藏浅（400m-500m）、纵向上裂隙发育的特点，属低孔、低渗的含泥质灰岩致密储层。大量室内实验和研究采用“前置液酸压＋闭合酸化”工艺技术，并优选了相应降阻酸和闭合酸配方。通过酸压实现了该井工业油气流的突破，取得了明显的增产效果，为新区海相浅层气的开发探索出了一套成熟的改造增产措施。     

新型壳聚糖/纳米二氧化硅杂化材料的制备与性能

在纳米S iO2颗粒表面引入羟丙基氯活性基团,得到功能化S iO2颗粒,再将羟丙基氯化的S iO2颗粒交联固定在壳聚糖上,制备了一种新型的壳聚糖/纳米S iO2杂化材料(简称杂化材料);通过傅里叶变换红外光谱、透射电镜、扫描电镜方法对杂化材料进行表征,采用热重(TG)分析研究杂化材料的热性能;考察了杂化材料的沉降速率和对金属离子Ca2+和M g2+的吸附能力。电镜分析结果表明,杂化材料微粒为纳米尺度的无机S iO2加强化的微粒,S iO2颗粒分散在材料中,形成均匀的表面;TG分析结果表明,杂化材料的热性能有所提高;沉降实验测得壳聚糖和杂化材料作为吸附剂的沉降时间分别为130.3,68.5s,表明杂化材料的沉降速率比壳聚糖的沉降速率快了近一倍;杂化材料对金属离子Ca2+和M g2+的吸附量分别可达到0.289 3,1.445 6mm ol/g。     

片式多层陶瓷微波谐振器

介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为1GHz,有载品质因数大于80的试验双端口多层微波谐振器。微波谐振器体积小,整个谐振器的尺寸为7mm×2mm×1mm,适用于表面贴装技术。     

P(DBF-VA)型柴油低温流动性改进剂的研制

针对新疆地产柴油蜡含量较高的特点,以游离基聚合法合成了富马酸双链混合酯和醋酸乙烯酯共聚物型[P(DBF-VA)]柴油低温流动改进剂,利用正交实验研究了单体配比,引发剂用量,溶剂用量,聚合温度对聚合物降冷滤效果的影响。共聚物用IR进行表征,利用XRD初步探讨了该降凝剂的降凝机理。结果表明:该剂能使吐哈—10~#、0~#柴油冷滤点降低10℃和7℃;使独山子0~#柴油冷滤点下降12℃;使石化0~#柴油冷滤点下降8℃;使克拉玛依0~#柴油的冷滤点下降8℃。     

低渗低温低压水敏性储气层压裂改造技术研究与应用

低渗低温低压水敏性储气层因压裂液快速破胶困难、黏土膨胀水敏伤害严重和压后压裂液返排动力不足等因素，使得压裂增产面临诸多难题。针对上述难题进行了技术攻关，形成了弱交联、低温活化剂与超量破胶剂的低温储层快速破胶技术、有机盐与无机盐双元体系复合防膨技术以及高比例液氮全程助排的排液技术。该压裂增产改造技术使牛101井头屯河组首次获得工业油气流，扩展了三塘湖盆地勘探空间。     

取样式环空找水仪测井方法及效果评价

目前油田相当一部分产液井产液量相对较低,井下含水率高。这些特点给油井找水工作增加了很大难度,必然要求测试仪器具有适用于高含水率、低产液量的特点。取样式环空找水组合测井仪与常规过流式仪器相比,有着独特的优势,测量含水时不受井筒内流体的流速和抽油机冲程波动的影响。仪器含水测量精度可达到±5%以内,极大地提高了含水参数资料录取的准确性,对油田动态监测具有重要意义。     

低勘探程度区域油气资源评价方法

目前中国油气资源勘探和开发面临后备可采储量不足，低勘探程度区域受到重视。为了提高低勘探程度区域的资源评价精度，在前人评价的基础上，通过研究并利用勘探程度较高区域的资源评价结果，求准低勘探程度区域的油气聚集量，进而模拟求出其烃排聚系数、储量密度系数、单储系数和单生系数等关键参数，提出了利用练台地质推断法对低勘探程度区域进行评价，并对该方法评价的风险进行了分析。综合地质推断法的成果更能准确反映一个盆地、坳（凹）陷或区带的油气潜力及其分布特征。     

磁电雾化电晕放电低温等离子体及其应用

本文讨论了磁电雾化电晕放电低温等离子体技术的基本原理,以及它在静电除尘、烟气脱硫等环保生物工程等领域中的应用前景.     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。