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991.
以4种不同Al2O3含量的矾土及SiO2微粉和Al2O3微粉为原料,以Al(H2PO4)3/H3PO4和铝酸钙水泥为结合剂和促凝剂,通过混炼、成型、养护、烘干等工序制备了Al2O3-SiO2质可塑料。通过引入不同品位矾土原料,重点研究不同Al2O3含量的矾土原料对烘干后及1100℃烧后可塑料体积密度、常温强度、烧后线变化率、耐磨性、矿物相组成及基质微观结构的影响。结果表明,随着矾土Al2O3含量增大(即提高矾土品位),烘干后和烧后Al2O3-SiO2质可塑料体积密度逐渐增大,常温强度减小。随着原料矾土品位提高,可塑料烧后矿物组成中刚玉相特征峰强度会逐渐增强,矾土中杂质及铝酸钙水泥对可塑料起助烧结作用。矾土中Al2O3含量增大,会增大骨料颗粒强度,但会降低基质烧结性,最终导致基质与骨料强度匹配性变弱,烧后可塑料磨损量增大,耐磨性降低。 相似文献
992.
以前驱体Ni_(0.815)Co_(0.15)Al_(0.035)(OH)_(2.035)和LiOH·H_2O为原料,采用微波法合成了LiNi_(0.815)Co_(0.15)Al_(0.035)O_2锂离子电池正极材料。通过XRD、SEM和充放电测试等方法对合成材料的结构、形貌和电化学性能进行了表征,结果表明:在微波中以1 300 W的输出功率合成的正极材料具有最大的c/a和I(003)/I(104)值以及最小的R值,以0.2C充放电、在2.8~4.3 V之间首次放电比容量为185.2mA h/g,首次充放电效率为84%,循环30次后容量保持率为92.3%,表现出较好的电化学性能。微波对材料升温曲线影响较大,氢氧化锂的强吸波能力能够增大混合物的升温速率,缩短反应时间。 相似文献
993.
以微米级、纳米级碳化硅(SiC)颗粒和纯铝(Al)粉为原料,通过高能球磨+放电等离子烧结(SPS)工艺制备了不同质量分数的SiC颗粒增强Al基复合材料(SiC_p/Al),研究了SiC颗粒尺寸和含量对复合材料组织性能的影响。结果表明:高能球磨能促进增强颗粒的均匀分布,放电等离子烧结具有烧结温度低、保温时间短的特点,可有效减少甚至避免基体与增强体有害反应的发生。纳米级SiC增强铝基复合材料的颗粒团聚趋势较大,复合材料致密度较低,但是其细晶强化和Orowan强化效果显著,包含源缺陷和源裂纹较少,因此,复合材料硬度和屈服强度相应提高。 相似文献
994.
针对镍铁生产中的红土镍矿原料制备系统,笔者对其典型设计方法进行了研究分析,比较了高炉(BF)与回转窑-电炉法(RKEF)两种生产工艺中烧结原料系统的设计方法,提出了原料制备系统的设计对于保证产品质量、提高生产效益、节能降耗和清洁生产具有的重要意义。 相似文献
995.
阐述沙钢烧结增产改造思路,并指出面临的主要问题是对外排烟气的处理。应用烟气循环技术,既可提高烧结系统设备利用率,增加烧结矿产量,又不会给环保设施增加负担。介绍沙钢烧结烟气循环工艺具体内容,并沙钢3号烧结机为例对烟气循环技术的应用情况进行分析,为国内烧结系统改造提供了崭新的思路。 相似文献
996.
从分析传统烧结环冷机与环保烧结环冷机的结构与性能缺陷入手,提出了新型多功能高效烧结环冷机的设计理念,介绍了其工作原理、结构特点以及技术优势,并通过对三种形式的烧结环冷机进行详细的比较,论证了该设计成果具有极高的工程应用价值与广阔的前景。 相似文献
997.
以工业氧化铝、铁磷铝钙石、石墨粉为原料,隧道窑内反应烧结合成铁铝尖晶石。研究了窑炉气氛、煅烧温度、保温时间对合成铁铝尖晶石的影响。利用X射线衍射(XRD)表征合成试样的物相,采用扫描电子显微镜(SEM)观察和分析合成试样的形貌和分布。结果表明:隧道窑内反应烧结合成高纯度铁铝尖晶石的最佳条件是窑炉气氛V(O2)∶V(CO)为0.3,煅烧温度为1540℃,保温时间为5 h。在最佳条件下合成的铁铝尖晶石结晶性好、外形规则,粒径约为6μm,含量可达到98.26%。 相似文献
998.
Romain Cariou Wanghua Chen Ismael Cosme‐Bolanos Jean‐Luc Maurice Martin Foldyna Valrie Depauw Gilles Patriarche Alexandre Gaucher Andrea Cattoni Ines Massiot Stphane Collin Emmanuel Cadel Philippe Pareige Pere Roca i Cabarrocas 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2016,24(8):1075-1084
Fabrication of high‐quality ultrathin monocrystalline silicon layers and their transfer to low‐cost substrates are key steps for flexible electronics and photovoltaics. In this work, we demonstrate a low‐temperature and low‐cost process for ultrathin silicon solar cells. By using standard plasma‐enhanced chemical vapor deposition (PECVD), we grow high‐quality epitaxial silicon layers (epi‐PECVD) from SiH4/H2 gas mixtures at 175 °C. Using secondary ion mass spectrometry and transmission electron microscopy, we show that the porosity of the epi‐PECVD/crystalline silicon interface can be tuned by controlling the hydrogen accumulation there. Moreover, we demonstrate that 13–14% porosity is a threshold above which the interface becomes fragile and can easily be cleaved. Taking advantage of the H‐rich interface fragility, we demonstrate the transfer of large areas (∽10 cm2) ultrathin epi‐PECVD layers (0.5–5.5 µm) onto glass substrates by anodic bonding and moderate annealing (275–350 °C). The structural properties of transferred layers are assessed, and the first PECVD epitaxial silicon solar cells transferred on glass are characterized. Copyright © 2016 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
999.
低温选择性催化还原催化剂抗SO_2性能的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
低温选择性催化还原法(SCR)是一种有潜力的烟气脱硝技术。针对低温SCR法目前存在的缺陷,综述了低温SCR催化剂受SO2毒害的作用机理,总结了催化剂组成成分、制备方法、硫酸化及还原剂种类等因素对低温SCR催化剂抗SO2性能的影响。为进一步开发出具备良好抗SO2性能的低温SCR催化剂提供一定的借鉴作用。 相似文献
1000.