首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6842篇
  免费   565篇
  国内免费   252篇
电工技术   262篇
综合类   397篇
化学工业   1723篇
金属工艺   526篇
机械仪表   494篇
建筑科学   299篇
矿业工程   167篇
能源动力   181篇
轻工业   602篇
水利工程   40篇
石油天然气   1277篇
武器工业   46篇
无线电   257篇
一般工业技术   867篇
冶金工业   296篇
原子能技术   17篇
自动化技术   208篇
  2024年   58篇
  2023年   269篇
  2022年   233篇
  2021年   300篇
  2020年   279篇
  2019年   310篇
  2018年   197篇
  2017年   230篇
  2016年   210篇
  2015年   152篇
  2014年   201篇
  2013年   314篇
  2012年   314篇
  2011年   358篇
  2010年   263篇
  2009年   305篇
  2008年   248篇
  2007年   414篇
  2006年   405篇
  2005年   424篇
  2004年   362篇
  2003年   289篇
  2002年   280篇
  2001年   256篇
  2000年   224篇
  1999年   162篇
  1998年   145篇
  1997年   106篇
  1996年   97篇
  1995年   75篇
  1994年   41篇
  1993年   39篇
  1992年   28篇
  1991年   13篇
  1990年   10篇
  1989年   20篇
  1988年   6篇
  1987年   8篇
  1986年   4篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1982年   2篇
  1979年   1篇
  1977年   1篇
  1975年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有7659条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
Direct additive fabrication of thin‐film electronics using a high‐mobility, wide‐bandgap amorphous oxide semiconductor (AOS) can pave the way for integration of efficient power circuits with digital electronics. For power rectifiers, vertical thin‐film diodes (V‐TFDs) offer superior efficiency and higher frequency operation compared to lateral thin‐film transistors (TFTs). However, the AOS V‐TFDs reported so far require additional fabrication steps and generally suffer from low voltage handling capability. Here, these challenges are overcome by exploiting in situ reactions of molybdenum (Mo) during the solution‐process deposition of amorphous zinc tin oxide film. The oxidation of Mo forms the rectifying contact of the V‐TFD, while the simultaneous diffusion of Mo increases the diode's voltage range of operation. The resulting V‐TFDs are demonstrated in a full‐wave rectifier for wireless energy harvesting from a commercial radio‐frequency identification reader. Finally, by using the same Mo film for V‐TFD rectifying contacts and TFT gate electrodes, this process allows simultaneous fabrication of both devices without any additional steps. The integration of TFTs alongside V‐TFDs opens a new fabrication route for future low‐cost and large‐area thin‐film circuitry with embedded power management.  相似文献   
102.
增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
对表面已进行喷砂处理的增材制造TC4钛合金在氩气环境下进行激光抛光实验,通过极化曲线测试研究了抛光前、后钛合金的耐蚀性,并结合表面粗糙度、晶粒尺寸、表面残余应力以及显微组织分析了激光抛光对TC4钛合金耐蚀性的影响。研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的降低,自腐蚀电流密度的增大则是因为表面晶粒的细化以及残余拉应力的存在。  相似文献   
103.
对SiC粉体进行热处理,采用Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂,在1 750~1 950℃下30 MPa热压烧结1 h,制备SiC陶瓷。TG分析SiC的氧化特性,测定Zeta-电位研究SiC粉体的分散特性,测定其高温浸润性研究烧结助剂与SiC之间的亲和性。结果表明:SiC粉体热处理和提高SiC浆体的pH值,有利于提高Zeta-电位,进而提高分散均匀性;Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂高温下与SiC具有良好的浸润性;SiC粉体热处理明显降低了烧结温度。尽管Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂在高温下有一定的挥发,但是当其含量大于等于9%(质量分数)时,1 800~1 950℃下热压烧结可获得显气孔率小于等于0.19%的致密SiC陶瓷,其热导率大于190 W.m–1.K–1。  相似文献   
104.
采用真空碳管炉烧结SrTiO3陶瓷的方法,研究以CaCO3作为改性添加剂对SrTiO3陶瓷介电损耗的影响,并对添加剂的作用机理进行了解释。实验结果表明加入适量CaCO3能降低样品介电损耗。在1300℃的烧结温度下,未掺杂有CaCO3的SrTiO3基电容?压敏陶瓷介电损耗tan δ最低为0.4,而掺杂有CaCO3的样品介电损耗有了显著变化,当CaCO3掺杂量2 mol%时,样品介电损耗tan δ为0.312。  相似文献   
105.
The simplicity of decoding is one of the most important characteristics of the low density parity check (LDPC) codes. Belief propagation (BP) decoding algorithm is a well‐known decoding algorithm for LDPC codes. Most LDPC codes with long lengths have short cycles in their Tanner graphs, which reduce the performance of the BP algorithm. In this paper, we present 2 methods to improve the BP decoding algorithm for LDPC codes. In these methods, the calculation of the variable nodes is controlled by using “multiplicative correction factor” and “additive correction factor.” These factors are obtained for 2 separate channels, namely additive white Gaussian noise (AWGN) and binary symmetric channel (BSC), as 2 functions of code and channel parameters. Moreover, we use the BP‐based method in the calculation of the check nodes, which reduces the required resources. Simulation results show the proposed algorithm has better performance and lower decoding error as compared to BP and similar methods like normalized‐BP and offset‐BP algorithms.  相似文献   
106.
程控电话交换机过电流保护元件用高性能PTC陶瓷的研制   总被引:3,自引:0,他引:3  
阐述了高性能PTC陶瓷材料制备的基本要点,并以基方固溶体化学组成、原材料选择、复合添加物改性以及特定烧结工艺等方面开展工作,制得了居里温度为90℃左右、室温体积电阻率为30Ω·cm,电阻率突变ρνmax/ρνmin>105、电阻率温度系数α≈15%/℃、耐电压强度≥150V/mm的高性能PTC陶瓷材料。此材料制得的元件能满足程控电话交换机过电流保护的要求。  相似文献   
107.
含能材料在国防以及民用等领域均有重要的战略价值。其中,热分解特性是直接关系到含能材料能否有效应用的最主要特征之一,明确含能材料的热分解行为及机理对进一步提高其热分解效率或抑制其不稳定分解至关重要。以3种典型含能材料:环四亚甲基四硝胺(HMX)、六硝基六氮杂异伍兹烷(CL-20)和3,4-二硝基呋咱基氧化呋咱(DNTF)为研究对象,从关乎热分解特性的基础物化性质展开介绍,总结其相关热分解行为及机理,重点论述了影响其热分解特性的材料结构特征和添加剂类型。发现硝基脱除是热分解发生的关键步骤,而富含活性中心的金属元素材料和富含活泼基团的有机类材料易与硝基作用,能加快热分解过程。无机非金属材料则因其具有较大的比表面积和优异的气体扩散能力也可起到促进分解的作用。以共晶、包覆、加入钝感剂为主的3种方法被广泛用于提高这3种含能材料的热稳定性能。在热分解机理研究基础上,开展热分解促进剂和抑制剂的设计研发,这将有效推动含能材料热应用的创新发展,成为未来含能材料热分解特性的研究重点。  相似文献   
108.
常规油井水泥触变剂常存在触变性不够强、影响施工安全、综合性能欠佳等问题。为此,通过将合成聚合物和超细无机材料以2∶3的比例复配,开发出一种新型油井水泥触变剂BCJ-200S,研究了其应用性能。结果表明,该触变剂可显著提高水泥浆触变性,且温度影响小,90℃加入1.5% BCJ-200S后水泥静浆静置10 min的胶凝强度从2.3 Pa增加到61.0 Pa,静置前后的φ300读数分别为206和210,再静置10 min胶凝强度为61.3 Pa,其触变结构可逆性良好,对水泥浆稠化、失水、强度等性能没有产生不良影响;其还可改善水泥石的力学性能,增强水泥石抗破坏能力;另外,配伍性研究结果表明,该触变剂具有良好的现场适应性。其在大港油田官38-22油井进行了首次应用,该井采用12 m3触变水泥浆封堵Ng2出水井段,一次封堵成功,最高挤注压力达16 MPa,钻塞后对封堵层试压8 MPa合格,解决了该井出水难题。   相似文献   
109.
选用六水合哌嗪为母体,二氯甲烷为溶剂,三乙胺为缚酸剂,正己胺、十二胺、氯乙酰氯为原料,合成新型可生物降解润滑油添加剂1,4-双(二硫代甲酸乙酰正己胺)哌嗪和1,4-双(二硫代甲酸乙酰十二胺)哌嗪;采用FT-IR,1HNMR,TG手段对合成产物进行结构表征及对产品热稳定性进行测试。以菜籽油为基础油,采用四球摩擦磨损试验机考察合成添加剂的抗磨性能,并对其进行可生物降解性测定。结果表明:合成产品与预测结构相同,热分解温度最低为305 ℃,与菜籽油的溶解度高达2.58%(质量分数),1,4-双(二硫代甲酸乙酰十二胺)哌嗪具有较好的抗磨性能,1,4-双(二硫代甲酸乙酰正己胺)哌嗪具有较好的减摩性能,两者均具有优异的可生物降解性能(BDI大于80%)。  相似文献   
110.
在巴陵石化1.05 Mt/a催化裂化装置上进行了降低不完全再生装置烟气氮氧化物(NOx)排放助剂RDNOx-PC1的工业应用试验。结果表明:RDNOx-PC1助剂可在锅炉出口CO浓度较低的情况下降低烟气NOx的排放浓度,有利于充分回收CO燃烧热量、减少CO排放;在相同CO出口浓度下,总结标定相对空白标定时烟气NOx排放浓度降低约20%,达到不大于200 mg/m3的排放标准要求。助剂的应用对催化裂化产品分布无明显的影响,主要产品的组成和性质基本保持不变。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号