半导体激光器加速寿命测试系统研制

介绍了半导体激光器(LD)加速寿命测试的理论依据,给出了寿命测试的数学模型,并据此研制了新型LD寿命测试系统。该系统在密封抽真空充氮环境下,通过采集恒功工作LD的工作电流随时间变化的信息及所处环境的温度,绘制出LD的老化曲线,即恒功条件下的“I-t曲线”,然后推断LD的使用寿命。     

GaAs/AlGaAs量子阱中飞秒超快光谱研究

使用飞秒白光泵浦探测技术研究了GaAs／AlGaAs量子阱材料中超快动力学行为。采用了非共振泵浦,激发了不满足△n=2p选择定则的光跃迁,观察到差分透射谱中的3个吸收跃迁饱和漂白峰。一方面,E1导带上的电子和HH2上的空穴通过各种散射和复合而快速减少,E1-HH2和E2-HH2峰迅速衰减;另一方面,由于处在带边的复杂性致使E1-HH1峰在25ps内几乎没有衰减。与掺杂多量阱材料的驰豫动力学比较可知,超晶格中由于阱间波函数的耦合使载流子的散射加快;而掺杂多量子阱中由于捕获中心的存在使载流子的复合加快。     

流态化复合载体生物膜工艺处理高含盐炼油污水的研究

流态化复合载体生物膜(FCBR)工艺使用中国石化石油化工科学研究院专利复合载体,可使生化反应器中的微生物浓度较常规流态化生物膜工艺增加近1倍,有效提高了生化处理能力和抗水质冲击能力,适用于处理高含盐炼油污水。某炼油厂的现场连续试验结果表明,在水力停留时间仅为厂内现有生化处理单元50%的情况下(20h),当进水COD质量浓度为185~620mg?L、氨氮质量浓度为18~60mg?L时,FCBR出水的COD质量浓度可降至150mg?L以下,氨氮质量浓度不超过11mg?L,悬浮物质量浓度基本不超过80mg?L,处理效果明显优于现有生化单元,同时具有较强的抗水质冲击能力,可稳定满足后续催化氧化单元的要求,具有工业化应用前景。     

以镁铝尖晶石为载体的脱硝催化剂的制备及性能评价

采用酸法制备镁铝尖晶石(MAS)载体,以等体积浸渍法制备Cu-Ce-O/MAS催化裂化脱硝催化剂,使用XRD,BET,H2-TPR等手段对样品进行表征,小型脱硝评价装置评价催化剂的脱硝性能。结果表明：当浓盐酸与Al2O3摩尔比为0.15、MgO与Al2O3摩尔比为1.0时制得的MAS载体结晶良好,比表面积和孔体积分别为149.8 m2/g和0.55 mL/g;Cu-Ce-O/MAS脱硝催化剂的比表面积和孔体积分别为135.2 m2/g和0.59 mL/g;活性氧化物在MAS表面分散程度高,还原峰温度低;脱硝反应中Cu-Ce-O/MAS催化剂的起始反应温度低,转化率在250 ℃时达到100%。     

Auger lifetimes in ideal InGaSb/InAs superlattices

Quantitative calculations are reported of both band-to band Auger and radiative recombination lifetimes in thin-layered type II In_xGa_1−x Sb/InAs superlattices with energy gaps in the 5–17 μm range, using accurate band structure and numerical techniques. Results for an 11 μm superlattice are compared with similar calculations for bulk HgCdTe and a HgTe/CdTe superlattice having the same energy gap. The results show the n-type Auger rates to be comparable and the p-type rates to be suppressed by three orders of magnitude in some experimentally realizable structures. Thus, well fabricated III–V superlattices appear to be excellent candidates as a new class of infrarer detectors.     

采用多晶硅制造高速光导开关(Au:Si-PCSS)的研究

首次报导采用多晶硅制造高速光导开关取得缩短寿命至10ns以下并改善光控灵敏度。分析了原理并涉及工艺等问题。文中对GaAs与Si两种材料的PCSS作了比较。     

单边带发送与接收

为更有效地利用短波广播频段,改善其广播质量,单边带制广播提到了议事日程。本文就单边带制的特点、产生机理、发射机的设计要求、提高发射效率的措施等进行较详细的介绍。     

Determination of generation lifetime fromC-t transients under linear voltage ramp bias

When a linear voltage ramp is applied to the gate of a MOS capacitor, a capacitancetime (C-t) transient is observed. The MOS capacitor is biased into strong inversion before applying the voltage ramp in order to eliminate surface generation. FromC-t transient curve obtained experimentally the minority carrier generation lifetime in semiconductor can be determined. The experimental results show that for the same sample the lifetimes extracted fromC-t curves under varying voltage sweep rates are close each other, and they are consistent with the lifetimes extracted by saturation capacitance method.     

克劳斯装置中温有机硫水解催化剂研究

针对硫磺回收装置克劳斯二级反应器有机硫水解率较低的问题,采用新型共浸技术研发了中温有机硫水解催化剂。考察了催化剂的耐硫性能及温度对催化剂性能的影响。实验结果表明,在220~300℃的温度范围内,催化剂表现出较高的有机硫水解性能;且在H_2S、SO_2、CS_2体积分数变化的范围内,均优于现阶段二级反应器中装填的活性氧化铝催化剂。     

荧光寿命成像显微技术

介绍荧光寿命成像显微（FLIM）技术及其在生物物理、生物化学及临床医学诊断等领域的最新研究成果和发展现状，并就其未来的发展及应用研究进行了讨论。