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21.
多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
制备AI/多孔硅/c-Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I-V特性关系,以及在不同温度下其I-V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化,解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合.是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。  相似文献   
22.
用化学气相沉积法制备了液晶光阀中光电导层———非晶硅薄膜,从实验中得出最佳制备工艺的参数取值。给出了用包络线法测量非晶硅薄膜光吸收系数的原理,测量了样品的光吸收系数随波长的变化规律。得到样品在最佳工艺条件下的光吸收系数高于1×103cm-1。  相似文献   
23.
In this paper results on surface photovoltage (SPV) and electron beam induced conductivity (EBIC) studies of edge-defined film-fed growth (EFG) and floating zone (FZ) silicon solar cell materials (both p-type) are presented. A systematic comparison based on minority carrier diffusion length and carrier recombination is made between: (i) samples contaminated with Ti and/or Fe, (ii) samples gettered by phosphorous diffusion, and (iii) as-received samples. Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements, together with the iron-boron (FeB) pairing kinetics [1] have successfully been used to detect the presence of Fe in the samples. Even though this process is effective in revealing Fe impurities in p-type FZ silicon it is evidently not suitable for Fe identification in p-type EFG silicon. Ti, like Fe, is found to be a prominent lifetime-limiting metallic impurity in both EFG and FZ silicon. Phosphorous diffusion is proven to be an effective external gettering technique for fast-diffusing impurities such as Fe, but not for Ti.  相似文献   
24.
以YAG为添加剂的气压烧结氮化硅   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文以添加YAG的反应烧结氮化硅(RBSN)为前驱体,采用气氛加压烧结的工艺,在0.5~9.0MPa氮气压力范围,研究了不同氮压对烧结体的密度、相组成、强度和显微结构的影响及其相互间的关系。研究表明,通过改变氮气压力能有效地调控材料的显微结构,材料的性能又受控于显微结构的变化。  相似文献   
25.
利用挤压铸造制备氧化铝/锌合金复合材料,在扫描电镜(SEM)上观察复合材料的界面。结果表明,在复合材料中纤维与基体间存在致密界面层,合金元素通过适当的化学反应可改善纤维与基体间的结合;在凝固过程中,纤维/基体界面上的硅在共晶体的共生生长过程中起了领先相作用,导致复合材料的共晶转变是由铝硅共晶转变和锌铝共晶转变两者组成。  相似文献   
26.
陈军  尤政 《激光技术》1998,22(5):290-294
提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法.给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在.这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点.  相似文献   
27.
本文介绍区熔单晶硅生产操作指导专家系统。首先,系统实现了连续图象的自动变周期、定瞬间采样,并提出一种新的区域扩张增量图象处理算法.其次,叙述了知识的获取过程及类规则,提出分布的多库结构,并实现了不确定性推理.最后,开发了区熔单晶硅生产操作指导专家系统,实现了从数据和图象采集、处理、事实获取、推理到给出操作指导一体化。  相似文献   
28.
本介绍了锡矿山前闪星锑业有限责任公司如何加强对关键耗水工序的管理及提高重复水利用率的措施,并对所取得的效果进行了阐述,可供用水大户如何节水以借鉴。  相似文献   
29.
提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.  相似文献   
30.
本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度.  相似文献   
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