风电场选址与风机优化排布实用技术探讨

风电场建设需要进行宏观和微观选址,在一个较大的区域内综合考虑风能资源、联网条件、地形地貌和交通运输等条件,选择出适合风电场建设的小区域,再对该区域进行风资源评估,确定每台风机的位置,以取得风电场最大的年发电量和最佳经济效益。结合某风电场的实例,对风电场选址和风机优化排布实用技术进行了探讨。     

基于UML Profile的WEB布局建模

在WEB系统开发时可以使用UML对系统的结构和行为建模,但是却不能对界面布局建模,设计者只能用勾绘草图等方法来进行界面布局设计,这给UML设计者带来很大的不便。文中基于UML2．0的扩展机制并结合UML2．0的图交换规范建立的WEB布局元模型,很好地解决了这一问题,使得Web布局建模可以统一在UML语言和工具中,并为界面的自动化生成提供了基础。     

nLEDMOS热载流子效应在版图及工艺上的改善方法

Two layout and process key parameters for improving high voltage nLEDMOS （n-type lateral extended drain MOS） transistor hot carrier performance have been identified. Increasing the space between Hv-pwell and n-drift region and reducing the n-drift implant dose can dramatically reduce the device hot carder degradations, for the maximum impact ionization rate near the Bird Beak decreases or its location moves away from the Si/SiO2 interface. This conclusion has been analyzed in detail by using the MEDICI simulator and it is also confirmed by the test results.     

汽车电压调节器集成电路芯片版图设计

介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调整管采用了宽发射极窄接触条和圣诞树型结构相结合的方案。芯片测试结果表明,电压调节器的调节精度为14.2±0.15V,最大调节电流为5A,较好地实现了预定电路功能。芯片成品率达80%。     

建筑方案设计中如何贯彻节能设计思想

建筑节能设计不仅仅局限在施工图设计阶段,而应贯彻于建筑设计的始终.节能观念更应包括生产、建设、运行的全过程.选取几个具有代表性的工程实例,阐述在方案设计中应当注意的节能设计关键点,说明在建筑方案设计中如何贯彻节能设计思想.     

Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS devices are measured using the transmission line pulsing （TLP） measurement technique. The relationships between snapback parameters and layout parameters are shown and analyzed. A TCAD device simulator is used to explain these relationships. From these results, the circuit designer can predict the behavior of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level. Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.     

0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响

本文中,在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下, 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。     

Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

r of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level.Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.     

现代餐饮设施及其室内设计

我国旅游事业的繁荣使餐饮建设向高层次、高水准方向发展,对餐饮设施及其室内设计提出了新的要求.文章围绕现代餐饮设施的地位及其设计构思进行了探讨,为改善和提高餐饮服务水平提供有用的信息资料,为设计师提供参考.