基于微机械的多孔硅牺牲层技术

多孔硅作为一种牺牲层材料 ,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用。文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术 ,并用后两种“在低掺杂衬底上的多孔硅牺牲层技术”,制作了良好的悬空微薄膜结构 ,同时对多孔硅表面的薄膜淀积 ,和制备过程中的掩膜材料等进行了分析 ,为利用多孔硅工艺制作各种 MEMS器件奠定了基础。     

超短脉冲激光对无机硅材料的损伤

通过控制作用于材料表面的激光能量和脉冲数量,实验研究了800nm,50fs,1kHz激光作用下融石英玻璃和硅片的破坏机制和损伤规律,计算了材料的损伤阈值与脉冲能量以及脉冲数量的依赖关系,并采用简化的理论模型计算了熔石英玻璃材料的损伤阈值与激光脉宽以及光子能量之间的依赖关系。对这两种无机硅材料在飞秒脉冲作用后的微区结构改变进行了扫描电子显微镜(SEM)测试,研究了其形貌特征。结果表明,硅片是由缺陷中的导带电子作为种子电子引发雪崩电离导致材料损伤,而熔石英玻璃是由多光子电离激发出导带电子引发雪崩电离导致材料损伤。     

势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究

讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属一半导体一金属（MSM）器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低1个数量级,且势垒层厚度增加30nm其暗电流降低约1个数量级,而...     

量子点在生命科学中的应用及其进展

量子点因其独特的光学和电子学性质而具有很高的实用价值。本文概述了量子点的特性和制备方法,着重阐述了其在生命科学,尤其是免疫生物学和临床检验学中的应用进展,并对其发展进行了展望。     

基于量子框架和Stateflow模型的嵌入式系统软件设计

基于模型的设计是目前嵌入式系统软件设计的发展趋势,对嵌入式系统建模和根据模型自动生成代码是 其关键技术。量子框架作为一种事件驱动型的基础框架,可以作为嵌入式软件运行的支撑平台。Stateflow 模型适用 于描述嵌入式系统的逻辑控制功能,利用RTW 工具可以直接从该模型自动生成C 代码。以某飞行控制系统为应用 实例设计其活动对象和事件,针对时序控制功能建立Stateflow 模型并进行仿真,最后自动生成C 代码与量子框架集 成,从而实现飞行控制系统的软件设计。研究表明：量子框架较好地支持了Stateflow 模型自动生成的代码,两者结 合可以实现基于模型的设计在嵌入式系统软件设计中的应用。     

三氟化氯与碳氢燃料反应放能试验研究

在对三氟化氯与碳氢燃料反应机理进行分析的基础上,进行了密闭环境下三氟化氯与碳氢燃料的反应放能试验研究.结果表明:三氟化氯与碳氢燃料可以发生剧烈反应,释放大量的能量,将碳氢燃料部分雾化并喷出密闭空间,激活的碳氢燃料一旦接触空气,便诱发碳氢燃料的剧烈爆燃;在无氧条件下,三氟化氯与碳氢燃料爆炸反应所释放的能量相当于1.8倍T...     

多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究

在多孔硅（ＰＳ）表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此,器件电子发射效率显著提高,在３２．５Ｖ偏压下,发射效率达１３．５％,发射电流密度２９μＡ／ｃｍ＾２;工作电流和发射电流的波动性明显减小;器件稳定性得到提高。     

应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺，形成了较为优化的施镀流程，实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层．其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法，优化了氯化钯对表面的激活时间，使得镀层质量得到提高．提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法，施镀后获得的铜镀层的电阻率为2.1μΩ·cm，铜/镍复合镀层的方块电阻为0.19Ω/□．在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜，使得该元件的品质因数超过25．     

65-nm CMOS上带图案悬浮屏蔽的片上巴伦的特性

本文首先用一种简单的巴伦综合方法在工作频率范围内对巴伦结构进行估计,并借助电磁场仿真优化来检验估计的准确性,然后把优化后的巴伦（包括带屏蔽和不带屏蔽的两种情况）用于65-nm 1P6M CMOS工艺进行实现。测试结果显示图案悬浮屏蔽结构在频率范围内明显改善了插入损耗,并十分清晰地显示了线性改善的趋势。我们同样注意到图案悬浮屏蔽结构随着频率的增加逐渐改善了巴伦的相位平衡性,但对巴伦的幅度平衡性影响很小。为了得到器件本身的功率传输能力,我们提出一种方法从测得的三端口S参数直接获得巴伦的最大可用增益（Gmax）,并发现使用插入损耗比较的方式来检验屏蔽效果不是十分客观。另外阻性耦合效率也被用来衡量屏蔽效果。虽然图案悬浮屏蔽结构在测试中是完全对称的,但我们发现它对巴伦显示出不平衡的屏蔽效果。我们可以证明这种不平衡的屏蔽现象来自于巴伦本身的版图不平衡性。     

多孔硅新的表面处理技术

对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌，破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题．阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面，满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定，避免结构重组产生分子间的不均匀内应力，从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅．