异质栅非对称Halo SOI MOSFET

为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应，在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构．通过求解二维电势Poisson方程，为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压解析模型，并对其性能改进情况进行了研究．结果表明，新结构器件比传统的异质栅SOI MOSFETs能更有效地抑制漏致势垒降低效应，并进一步提高载流子输运效率．新结构器件的漏致势垒降低效应随着Halo区掺杂浓度的增加而减弱，但随Halo区长度非单调变化．解析模型与数值模拟软件MEDICI所得结果高度吻合．     

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.     

一种基于角度的正交FRIT变换及其在图像去噪中的应用

M.N.Do和M.Vetterli提出的Finite Ridgelet Transform(FRIT)因其对线奇异特征的高效表示能力而被广泛应用,但其在图像压缩、去噪的处理中却受到"环绕"现象的严重影响.本文在揭示"环绕"现象和FRAT域系数关系的基础上,提出一种基于角度的正交FRIT变换方案(Angle-based FRIT,AFRIT).该方案具有更好的能量集中特性,并有效地降低了"环绕"现象.进一步,对正交FRIT去噪问题建模,并提出了一种基于AFRIT的改进阈值.不同噪声水平下各种图像的去噪实验结果表明,采用改进阈值的AFRIT同现在常用的FRIT去噪方法相比,具有明显的优越性.     

Monolithic Integration of InGaP/AlGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode PHEMTs

提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.     

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.     

突发接收模块的接收特性研究

介绍了衡量接收特性的误码函数和Q因子,并以此为基础对突发接收模块中影响接收特性的因素,如判决电平偏离理想值、信号的消光比、信号间干扰、带宽滤波效应等进行了研究分析,对突发接收模块的设计具有重要意义.     

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the fullwidth half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10-12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.     

声源空间分离对向前时域掩蔽阈值的影响

从实验上探讨了掩蔽和被掩蔽声源在水平面方向分离时的向前掩蔽效应,并与单扬声器重发方式作比较．得到了这2种情况下3种频率的被掩蔽纯音信号（250Hz,1170Hz,4000Hz）的掩蔽闻值随掩蔽窄带噪声5种声压级（30dB,40dB,50dB,60dB,70dB）变化的曲线。实验结果表明：声源空间分离时,除了个别情况外,掩蔽阈值都比单扬声器重发时有较大幅度的降低。文中进一步指出掩蔽阈值的降低是较优耳效应和双耳效应等的综合作用造成的。因此掩蔽声和被掩蔽声在空间上的分离会削弱向前时域掩蔽的作用,这一结论可为将来改进音频压缩算法提供理论基础。     

飞秒脉冲的破坏阈值研究

在Stuart等人理论模型的基础上,综合考虑Ming等人对电子密度衰减机制的研究,对飞秒激光的破坏机制进行了分析。通过计算模拟,分析了多光子电离、雪崩电离、电子衰减等机制与被辐照介质中自由电子密度之间的关系。分析表明脉冲宽度越窄,多光子电离过程提供的自由电子比例越小,其对激光破坏的作用也越小,此时雪崩电离过程将提供绝大部分电子,起到主导的作用;而随着脉宽增大,多光子电离提供的自由电子比例也将增大,其作用逐渐增强。当考虑衰减机制的影响后,电子密度在脉冲后沿不是维持在一个稳定的值,而是在达到极大值后呈下降趋势。在研究电子密度的基础上,利用计算飞秒脉冲破坏阈值的模型,分析了不同的衰减因子对破坏阈值的影响,研究表明,考虑电子衰减机制模拟得到的破坏阈值比不考虑时有所提高。     

两种门限签名方案的密码学分析及其改进

Jan等和Gan分别提出了抗合谋攻击的门限签名方案。给出了一种合谋攻击方案表明他们的方案是不安全的,任何一组成员可以合谋假冒另一组成员对任何消息生成有效的门限签名而不需负任何责任。一旦事后发生纠纷,指定的秘书可以打开签名,而被假冒的成员无法否认签名。为克服他们的方案的安全性缺陷,给出了一个改进方案。并且,基于改进的方案,提出了一个可以追查签名者身份的、抗合谋攻击的门限签名方案。