半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成

报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为16.2dB,远场发散角为7.3°×18.0°,和单模光纤的耦合效率达3.0dB.     

连续侧面泵浦Nd:YAG陶瓷激光器被动调Q研究

对比研究了808 nm激光二极管列阵侧面泵浦Nd∶YAG陶瓷与Nd∶YAG单晶激光器在连续和被动调Q运转下的激光输出特性。对于Nd∶YAG陶瓷激光器,在145 W泵浦功率,平平谐振腔20%输出耦合镜透过率时,获得最大44.28 W的1 064 nm连续激光输出,光-光转化效率和斜效率分别为30.5%和38.2%. 谐振腔中插入初始透过率87.89%的Cr⁴⁺∶YAG晶体作为被动调Q开关,在124 W泵浦功率下获得10.03 kHz重复频率,4.62 W平均功率,5.54 kW峰值功率的准连续激光输出。同样实验条件下利用相同尺寸和掺杂浓度的Nd∶YAG单晶进行对比,结果表明Nd∶YAG陶瓷在高功率泵浦下具有广阔的应用前景。     

Experimental Study of RF-excited Diffusion Cooled Off-axis Unstable Resonator with High Frequency Modulation in a Waveguide CO2 Laser

The experimental study of the laser beam parameters of the pulse repetitive RF-excited diffusion cooled waveguide CO2 laser are presented. The measurements are carried out for the pumping pulse duration of 100 μs and pulse repetitive rates 5 - 14 kHz. The average power density delivered to the active medium is 76 W/cm^3. Three types of the pulses, namely the square, the sine and the triangular ones have been applied at the input as pumping pulses and their effects on the output power and the delay time have been studied. The output power of the radiation versus input power, pressure of the laser gas mixture and modulation frequency has been investigated. The results indicate that the output peak power for the three types of pulses increases with increase of the pressure of the laser gas mixture and with the input power where as it decreases with the repetition frequency. The delay time of the output pulse decreases with the increase of the repetition frequency and input power, where as it increases with the increase of the pressure of the laser gas mixture. The behavior of the output power and the delay time with duty cycle for square pulse has also been investigated.     

光镊技术中的纳米位移探测及其测量误差讨论

光镊系统可以实现微米粒子的纳米精度位移测量，对该测量装置和方法及各种误差来源进行了分析。着重讨论了动态图像分析法，包括灰度重心法和新发展的幂次重心法、二次曲线拟合法。提出了一种对图像分析法边行评估的数值模拟方法，对这三种算法引起的误差进行了数值模拟。结果表明，方法误差与随机噪声的性质有关：在本底噪声为主时，二次曲线拟合法精度高，计算量小。用四像限探测器和图像分析法对固定的微米小球进行了位置测量，二者的标准偏差分别为1nm和0．3nm。在纳米精度的位移测量的基础上，可以实现光阱刚度的测量，并进而测量了微米小球所受到的亚皮牛顿力。基于位移和刚度的精密测量，微小力的测量可以达到飞牛顿量级。     

利用参量放大效应测量光纤的非线性系数和色散参数

通过对理想条件下得出的光纤参量放大增益解析解和相位匹配关系表达式进行修正,得出在光纤有损耗 时,小信号峰值增益和光纤非线性系数成正比以及光纤色散参数和峰值增益波长与抽运光波长的差成反比两个近 似表达式。以此为基础提出:只要在直流抽运光作用下测出小信号峰值增益以及增益峰值波长与抽运波长之差, 然后通过简单的代数运算就可以得出光纤的非线性系数和色散参数。实验中,分别用两个不同波长的抽运光,对 一卷长度为1450m的高非线性色散平坦光纤(HNLF)的非线性系数和色散参数进行了测量。测得非线性系数为 γ=11.8W-1·km-1,色散斜率在1550nm附近为S=0.0157ps/(nm2·km)。其中,色散斜率测量值和商家给定的 值之间误差不超过5%。对在测量中抽运光和信号光之间由于拉曼放大作用所带来的增益谱不对称性进行了讨论。     

GaN基可见盲紫外探测器及其研究进展

介绍了GaN基的3种可见盲紫外光探测器：p-i-n结、肖特基势垒和金属-半导体-金属紫外光探测器，并对其工作原理、特性和发展现状进行了综述。     

正方体GaAs量子点电子特性的数值自洽求解

采用抛物势作为量子点对电子有效约束势，使用有限差分法对Schrodinger-Poisson方程进行离散化，根据自旋密度泛函，进行数值自洽求解，得到三维正方体GaAs量子点电子总基态能、电子密度等电子特性，并与相同条件(电子数、自旋、尺寸)的二维正方形GaAs量子点的电子密度进行了对比．     

从Photonics Asia-2002看自适应光学的发展趋势

简要介绍了SPIE举办的亚洲光电子学会议（Photonics Asia-2002）,对其中的一个分会《自适应光学及其应用》进行了详细的介绍、分析与评述,对自适应光学的发展趋势作出了展望。     

关于光子学与光电子学

本文论述了光了学和光电子学的有关情况，以及光子学与光电子学的讨论中出现的几中不同的观点，展望面向２１世纪的光子学在我国信息产业中的重要意义。     

光散射对Z-扫描的影响

以光折变晶体KNSBN为研究对象，从理论和实验上仔细研究了标准的Z轴扫描技术，发现材料导致的光散射对测量结果有影响。因此把Z-扫描技术应用于光散射比较强的材料时，在进行Z-扫描测量时需排除光散射的影响。