溶胶–凝胶法制备ATO-SiO_2抗静电复合薄膜的特性研究

采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。     

带膜微通道板的工艺和特性研究

微通道板(MCP)电子透射膜是决定Ⅲ代微光像管稳定性和可靠性的主要因素。采用有机衬底掩膜技术和冷基底溅射相结合的方法在MCP输入面制备非晶态Al2O3电子透射膜，测量了带膜MCP紫外光辐照清洗前后的电学特性。讨论在多孔MCP输入面形成连续电子透射膜与气体辉光放电的关系，工艺失败对MCP的危害性。     

聚丙烯表面改性及与涂料的粘结

讨论了聚丙烯制品喷涂着色的优点及影响聚丙烯制品与涂料之间粘结强度的各种因素。综述和评价了对聚丙烯进行表面改性的必要性及各种表面改性方法。     

氧气放电辅助激光淀积原位制备高T_c超导薄膜

采用低压氧气放电辅助的激光淀积方法,原位外延生长出零电阻温度91K,临界电流密度10~5A/cm~2的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜。扫描电镜和X光衍射分析结果表明,薄膜中超导相晶粒的生长具有c轴垂直于表面的择优取向。     

图形电镀中抗镀现象——凹坑的原因剖析

该文通过对本公司在图形电镀时出现的凹坑现象,进行了一个简要的分析探讨,供大家参考。     

TiO2纳米薄膜的微结构控制

通过有机酸修饰的水基so1-gel法，分别制备了由层状、针形和球形纳米粒子构成的纳米二氧化钛薄膜，采用SEM、XRD、红外光谱进行了表征.研究发现，调节水解过程中钛酸四丁酯：醋酸的摩尔比，可以控制薄膜的微结构，并对其机理进行了分析.该方法可以应用于sol-gel法制备其他纳米薄膜过程中的材料微结构控制.     

多层复合膜的成型技术

阐述了用AutoLisp程序模拟塑料熔体在2层复合膜机头内的流动情况，并介绍了复合膜机头的内部结构。     

等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究

本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入 离子束增强沉积的技术(PIII IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能。     

氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性研究

测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性，讨论了颗粒形态，加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明，随着加热电压的升高，电阻响应-恢复的速度和程度明显加大；断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱．