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31.
利用国产原料,采用传统的陶瓷材料制备工艺,研制了居里温度TC≥400°C的高温PTC陶瓷,制成了居里温度TC=412°C,电阻R≤103Ω,lg(Rmax/Rmin)=4的高性能PTC热敏陶瓷材料  相似文献   
32.
提出了强碱介质沉淀钇及有关杂质元素而与铝进行分离的方法。试液酸化后采用NaF析出法络合滴定测定铝。  相似文献   
33.
介绍了双迭片弯曲压电陶瓷换能器的制作及边缘固定金属压电陶瓷双迭片弯曲振动,并利用有限元分析了换能器的谐振模式,采用激光多普勒干涉仪对换能器的谐振特性以及振动速度和位移分布进行了测量和分析,结果表明:换能器空载性能良好,通过有限元分析与先进测量手段的结合,能够对换能器器件的制作与分析进行指导。  相似文献   
34.
片式多层电容电阻复合元件的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。  相似文献   
35.
介绍了燃烧合成表面涂层技术的基本原理 ,开发了相应的制备工艺 ,并在此基础上研制了内覆陶瓷涂层的复合钢管、弯管及弯头。陶瓷涂层主要由α Al2 O3相、部分FeO·Al2 O3相和 3Al2 O3·2SiO2 相组成 ,采用添加剂可以有效提高熔体的流动性 ,使陶瓷的凝固和结晶过程得到进一步控制 ,有助于减少孔隙 ,提高陶瓷涂层的致密度。现场应用试验表明 ,涂层具有较好的耐磨性能 ,可使设备的使用寿命大为延长  相似文献   
36.
TiB2与BN复相陶瓷的渗流模型   总被引:7,自引:2,他引:5       下载免费PDF全文
试验结果证实,TiB2与BN复相陶瓷的导电性能符合渗流理论,原料粉粒度配比下,其渗流阀值为Vc%=22.9%;原料粉粒度比的改变将改变渗流阀值,从而改变各配比下的电阻率值;TiB2与BN在SPS系统中快速烧结,晶粒的尺度比与原料粉的粒度比基本保持一致。  相似文献   
37.
金属PTC陶瓷复合材料结构及其导电机理   总被引:2,自引:0,他引:2  
杨海  余鸿飞 《压电与声光》1997,19(3):196-200
研究了金属PTC陶瓷复合材料的电学性能和其材料组分。结果表明,掺入金属的PTC陶瓷材料经氮气中烧结,然后在空气中进行热处理,材料表面形成高势垒层,金属PTC陶瓷复合材料的室温电阻较PTC的陶瓷高。样品之中存在大量不同类型的极化,在低温时样品电阻较高,温度增加后,大量各种类型离子极化出现,在变价金属铁的变价导电作用下,削弱表面势垒,使金属PTC陶瓷复合材料电阻降低,表现出NTC现象。在电场作用下,正负电荷、晶粒畸变和空位缺陷等产生空间电荷极化使金属PTC陶瓷复合材料有较高介电常数。介电损耗(tgδ)频谱和介电δ温度谱上都出现一个介电峰,其主要原因是跃迁极化,金属阳离子由一个位置跃迁到另一个位置,在介电损耗所对应的频率和温度时出现跃迁极化率最大  相似文献   
38.
热释电系数的测量方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
描述热释电系数的两种测量方法。其一为电荷积分法,测试系统简单,测量数据准确,且能满足零电场条件下的测量。其二为动态电流法,采用调制热源技术,研究在特定温度条件下热释电材料的动态热释电响应。  相似文献   
39.
电致伸缩陶瓷微位移器非线性的数值方法补偿   总被引:7,自引:1,他引:6  
本文通过对电致伸缩陶瓷材料的非线性进行分析。找到了补偿电致伸缩陶瓷非线性的数值方法,并对不同回程大小的电滞回线进行了分段处理,使补偿结果更为精确。  相似文献   
40.
K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量   总被引:4,自引:2,他引:2  
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N.  相似文献   
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