（Ba1-xSrx）（Zn1/3Nb2/3）O3微波介质陶瓷温度系数的异常

研究了（Ba1-xSrx）（Zn1/3Nb2/3）O3微波介质陶瓷温度系数的非线性变化以及异常的原因。根据CM公式，随着系统中Sr（Zn1/3Nb2/3）O3的增多，τc的异常是由于氧八面体的畸变导致的相转变（对称性降低）所造成的（晶体结构由无序立方相向有序赝立方相的连续变化）。相转变的发生相应影响了极化以及极化模式，这是造成τc异常的根本原因。     

压电陶瓷微位移器件迟滞模型的研究

在通过统计物理学角度分析压电陶瓷迟滞规律的基础上，结合数学建模方法，提出了一种简单实用的压电陶瓷迟滞数学模型。并设计了压电陶瓷实验控制系统，对迟滞数学模型进行了验证，实验结果表明，此模型可以有效减小压电陶瓷的迟滞非线性误差，提高压电陶瓷微位移的控制精度，本研究有助于实现基于压电陶瓷的高精度开环微位移控制。     

陶瓷行业推行ISO14000探析

大力推行ISO14000系列标准已成为我国陶瓷企业适应加入WTO后新的竞争形式，参与国际绿色贸易的有力武器。本文根据我国陶瓷企业的现状，分析了在陶瓷行业推行ISO14000系列标准工作中所存在的问题，提出了在我国陶瓷行业广泛推行ISO14000系列标准的对策和建议。     

X7R弛豫复相铁电陶瓷的研究

以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在55~+125℃范围内相当平坦,室温相对介电常数高达3 877,并从离子的键型分析了影响介电温度稳定性的原因,初步探讨了提高介电温度稳定性的机制。     

分割电极片状压电致动器——(二)位移特性及狭缝宽度对其影响的实验研究

研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。理论分析表明，分割电极狭缝宽度会减小致动器自由端的位移输出，但当狭缝宽度小于致动器电极宽度的１０％时，可忽略狭缝宽度的影响。致动器端部位移的测试结果大于理论计算值。与现有磁头悬浮臂尺寸相近的致动器，在２０Ｖ～５０Ｖ的电压驱动下均可获得１μｍ～２μｍ的致动位移。对９８５０道／厘米的密度磁盘，该位移能覆盖至少一个磁道宽度，满足磁头定位两级伺服系统对第二级致动器位移的基本要求。     

T_C≥400°C高温PTC陶瓷的研制

利用国产原料，采用传统的陶瓷材料制备工艺，研制了居里温度ＴＣ≥４００°Ｃ的高温ＰＴＣ陶瓷，制成了居里温度ＴＣ＝４１２°Ｃ，电阻Ｒ≤１０３Ω，ｌｇ（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）＝４的高性能ＰＴＣ热敏陶瓷材料     

YAG光学功能陶瓷材料

对日本研制的ＹＡＧ光学功能陶瓷的制备工、性能作了较详细的介绍。与过去的ＹＡＧ单晶陶瓷作了对比，并对其发展及应用前景进行了分析。     

超低膨胀陶瓷K_（2x）Ba_（1－x）Zr_4（PO_4）_6系统的X射线衍射

用高温Ｘ射线衍射方法对磷酸锆钡钾系统陶瓷材料的各向异性热膨胀作了研究．对七个组份试样的７７套高温Ｘ射线衍射图作了仔细的指标化和精密点阵常数测定．点阵常数随温度作非线性变化·对Ｋ_２ｘＢａ_１－ｘＺｒ_４（ＰＯ_４）_６的不同组份不同温度（３００～１３００Ｋ）的热膨胀系数。α_ａ、α_ｃ、　作了测定·该系统零膨胀陶瓷的组份为Ｋ_１．１６Ｂａ_０．４２Ｚｒ_４（ＰＯ_４）_６（ｘ＝０．５８）     

氧化锌压敏陶瓷烧结致密化过程的研究

本文研究了氧化锌压敏陶瓷的致密化过程，结果发现只有当烧结温度升高到一定值时，试样中的ＺｎＯ粉粒产生聚集，致密化过程才开始．致密化是瓷体获得稳定电性能的基础．低熔点添加剂Ｂ２Ｏ３可以降低致密化的起始温度，而致密化过程中的等温烧结对ＺｎＯ压敏陶瓷的最大密度几乎没有影响．     

双迭片弯曲压电陶瓷换能器及振动模态分析测量

介绍了双迭片弯曲压电陶瓷换能器的制作及边缘固定金属压电陶瓷双迭片弯曲振动，并利用有限元分析了换能器的谐振模式，采用激光多普勒干涉仪对换能器的谐振特性以及振动速度和位移分布进行了测量和分析，结果表明：换能器空载性能良好，通过有限元分析与先进测量手段的结合，能够对换能器器件的制作与分析进行指导。